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雙束聚焦離子束FIBSEM在微電子技術中的應用

jf_05111693 ? 來源:jf_05111693 ? 作者:jf_05111693 ? 2023-09-04 18:49 ? 次閱讀

近期不少客戶朋友咨詢博仕檢測工程師,關于芯片橫截面采用FIB切片分析的制樣品的問題,這篇文章分享給大家,希望能幫到大家。

聚焦離子束技術(FIB)原理:

聚焦離子束(FIB)系統(tǒng)利用鎵離子源和雙透鏡聚焦柱,用強烈的聚焦離子束轟擊標本表面,以進行精密材料去除、沉積和高分辨率成像。簡單來說是聚合了FIB處理樣品和SEM觀察成相的功能。其中FIB是將Ga元素離子化成Ga+,然后利用電場加速,再利用靜電透鏡聚焦將高能量的Ga+打到指定點從而達到處理樣品的功能。

(PS大多數(shù)商用FIB都用Ga源,也有部分具有He和Ne等離子源)

聚焦離子束FIB切片截面分析過程:

FIB技術可以精確地在器件的特定微區(qū)進行截面觀測,形成高分辨的清晰圖像,并且對所加工的材料沒有限制,同時可以邊刻蝕邊利用SEM實時觀察樣品,截面分析是FIB最常見的應用。這種刻蝕斷面定位精度極高,在整個制樣過程中樣品所受應力很小,制作的斷面因此也具有很好的完整性。這種應用在微電子領域具體運用場合主要有:定點觀測芯片的內(nèi)部結構;失效樣品分析燒毀的具體位置并定位至外延層;分析光發(fā)射定位熱點的截面結構缺陷。

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聚焦離子束-掃描電子顯微鏡雙束系統(tǒng) FIB-SEM應用

聚焦離子束-掃描電鏡雙束系統(tǒng)主要用于表面二次電子形貌觀察、能譜面掃描、樣品截面觀察、微小樣品標記以及TEM超薄片樣品的制備。

FIB-SEM測試:

線路板PCB電路斷裂位置,利用SEM觀察銅箔金相。

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FIB切割PCB電路截面分析


FIB切割PCB電路截面分析

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微米級芯片樣品缺陷FIB-SEM截面測試

半導體芯片橫截面分析 -FIB-SEM EDS 測試

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審核編輯 黃宇

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