我們華林科納討論了在InP、GaAs、GaN、AlN和ZnO等化合物半導體中氫和/或氦注入引起的表面起泡和層分裂。起泡現象取決于許多參數，例如半導體材料、離子注量、離子能量和注入溫度。給出了化合物半導體的這些參數的最佳值。在廣泛使用的絕緣體上硅晶片的制造過程中，對硅的起泡和分裂過程進行了詳細的研究。因此，還對硅和化合物半導體的起泡過程進行了比較。這項比較研究在技術上是相關的，因為離子注入誘導的層分裂與直接晶片鍵合相結合，原則上可以將任何類型的半導體層轉移到任何選擇的外國襯底上——這項技術被稱為離子切割或智能切割法。對于上述化合物半導體，使用離子切割方法進行的層轉移研究仍處于初級階段。我們華林科納報道了通過離子切割方法對一些最重要和廣泛使用的化合物半導體進行層轉移的可行性研究。討論了晶片彎曲、表面平整度和粗糙度等特征值對成功接合晶片的重要性，并指出了實現其中一些值的困難。

在這篇綜述中，我們華林科納討論了GaAs、InP、GaN、AlN和ZnO等化合物半導體中的表面起泡和層分裂現象。此外，我們報告了通過離子切割方法對這些半導體進行層轉移的可行性研究。討論了晶片的彎曲、平坦度和粗糙度等特性對晶片鍵合過程的重要性。此外，還指出了獲得這些臨界值的困難。本文的組織結構如下：首先，將簡要概述半導體中的起泡和分裂，然后分別介紹每種化合物半導體的不同部分。最后，將提出結論和今后工作的范圍。

與GaAs的情況一樣，InP對注入溫度也非常敏感，以觀察受控的起泡/分裂。窄溫度窗口背后的一個原因可能是氫在這些半導體中的高擴散率，這可能導致在更高溫度的注入過程中氫從受損區域損失。由于在損傷區域內需要最少量的氫來形成隨后導致表面起泡的微裂紋，因此由于向外擴散而從該區域耗盡的氫導致沒有起泡/分裂。GaAs和InP中這一過程的微觀細節需要進一步研究，以對這些半導體的注入溫度敏感性做出結論性評論。

感謝德國聯邦教育和技術部（BMBF）在CrystalGaN項目框架內提供的部分支持。所報告的部分工作得到了德國馬克斯·普朗克學會（MPS）的財政支持，根據馬克斯·普朗克印度合作伙伴小組的印德合作計劃，并由印度科學技術部（DST）共同資助。馬克斯·普朗克學會和弗勞恩霍夫學會聯合資助的研究項目“納米應力”也得到了部分支持。

為更好的服務客戶，華林科納特別成立了監理團隊，團隊成員擁有多年半導體行業項目實施、監督、控制、檢查經驗，可對項目建設全過程或分階段進行專業化管理與服務，實現高質量監理，降本增效。利用仿真技術可對未來可能發生的情況進行系統的、科學的、合理的推算，有效避免造成人力、物力的浪費，助科研人員和技術工作者做出正確的決策，助力工程師應對物理機械設計和耐受性制造中遇到的難題。原文轉載自化合物半導體中離子注入引起的起泡和薄層分裂現象學-華林科納半導體

審核編輯黃宇