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教你怎么使用R&S的網(wǎng)分,去嵌探針測(cè)試影響

高頻高速研究中心 ? 來(lái)源:高頻高速研究中心 ? 2023-08-28 15:39 ? 次閱讀

探針去嵌準(zhǔn)備工作

1:一臺(tái)R&S 網(wǎng)絡(luò)分析儀

2:高頻探針

3:高頻探針出廠S參數(shù)

"去嵌"是一種高頻測(cè)試中常用的技術(shù),旨在消除測(cè)量中探針或連接線等外部元件的影響,以便更準(zhǔn)確地測(cè)量被測(cè)試器件的性能。下面是進(jìn)行"去嵌"的基本步驟:

獲取S參數(shù):首先,需要獲取探針的S參數(shù)。這些S參數(shù)描述了探針在不同頻率下的傳輸特性,包括反射系數(shù)和傳輸損耗等。

測(cè)量被測(cè)試器件:使用探針對(duì)被測(cè)試器件進(jìn)行測(cè)量。這些測(cè)量結(jié)果會(huì)包含探針和被測(cè)試器件的組合效果,無(wú)法準(zhǔn)確反映出被測(cè)試器件的真實(shí)性能。

應(yīng)用S參數(shù):將探針的S參數(shù)應(yīng)用于測(cè)量數(shù)據(jù)。通過(guò)將探針的影響從測(cè)量數(shù)據(jù)中去除,可以得到被測(cè)試器件在沒(méi)有探針影響的情況下的性能。

分析結(jié)果:分析去嵌后的測(cè)量數(shù)據(jù),這將提供更準(zhǔn)確、更可靠的關(guān)于被測(cè)試器件本身特性的信息。

以下為去嵌過(guò)程實(shí)際操作

使用R&S 網(wǎng)絡(luò)分析儀導(dǎo)入探針測(cè)得的S參數(shù)

GSG探針去嵌過(guò)程

wKgZomTsT26ALn2uACjD8G_qsj8662.jpg

步驟1:

點(diǎn)擊Offset Embed進(jìn)入去嵌模塊

wKgaomTsT26AVkMFACVCKcOGDI8735.jpg

步驟2:

選擇單端探針模塊(根據(jù)所需去嵌的探針規(guī)格進(jìn)行選擇)

wKgZomTsT26ALk_fAC2Kw30tH3s026.jpg

步驟3:

先導(dǎo)入Port1端口

wKgaomTsT26ADjuLACA70Zfk2Q8117.jpg

步驟4:

選擇探針本身的S參數(shù)數(shù)據(jù)(以GSG-600um探針為例),后綴-1探針文件

wKgaomTsT26AEydNACZPnpboFL4018.jpg

步驟5:

**Port1完成后,選擇Port2端口**

wKgZomTsT26AQHfEABygkW52WF4512.jpg

步驟6:

**選擇探針本身的S參數(shù)數(shù)據(jù)(以GSG-600um探針為例),選擇后綴-2探針文件**

wKgaomTsT2-ASmCNAB71Ir8OoJg492.jpg

步驟7:

以上操作都已完成后,勾選激活,即可顯示去嵌后的探針參數(shù)

wKgZomTsT2-AU-ISADoRvc2HnNQ034.jpg

步驟8:

去嵌完成,插損全部歸零,基本都在0.1dB范圍內(nèi)

wKgaomTsT2-AHb7uADq-lXmMuj8629.jpg

步驟9:

探針插損,去嵌后與去嵌前的數(shù)據(jù)對(duì)比,插損基本都已歸零

wKgaomTsT2-AJ9LmADJRccBbBAc209.jpg

步驟10:

探針回?fù)p,去嵌后與去嵌前對(duì)比,回?fù)p與之前幾乎保持一致

結(jié)論

采用探針去嵌技術(shù),能夠顯著提升高頻測(cè)試的準(zhǔn)確性和便捷性。我們的方法十分簡(jiǎn)便,只需在出廠時(shí)獲得的探針S參數(shù)的支持下,即可進(jìn)行操作。

通過(guò)先對(duì)探針進(jìn)行校準(zhǔn),獲取其S參數(shù),我們能夠深入了解探針在測(cè)試中的影響。這些S參數(shù)涵蓋了探針的傳輸特性,包括損耗和反射等信息。將這些參數(shù)應(yīng)用于實(shí)際測(cè)量數(shù)據(jù)中,可以消除探針帶來(lái)的誤差,確保我們測(cè)量的是被測(cè)試器件的真實(shí)性能。

我們的方法不僅節(jié)省時(shí)間,還大大提高了測(cè)試的精確性。無(wú)論是射頻電路還是微波器件,都能從中受益。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:【迪賽康】教你怎么使用R&S的網(wǎng)分,去嵌探針測(cè)試影響

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