igbt的作用和功能是什么？

IGBT，全名為Insulated Gate Bipolar Transistor，是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。其基本結(jié)構(gòu)由PN結(jié)和電暈隔離層組成，可以實(shí)現(xiàn)電流放大和電壓控制，是高性能功率開關(guān)和逆變器的重要組成部分。

IGBT最早于1980年研發(fā)出來，是繼MOSFET之后的另一種新型晶體管，可以同時(shí)具備BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的雙重優(yōu)點(diǎn)。其大電流、高速度、低損耗的特點(diǎn)使其在現(xiàn)代電子和電力領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

IGBT器件的作用和功能主要包括以下幾個(gè)方面：

1.功率放大功能

IGBT能夠承受大電流和大電壓，同時(shí)具備增益和放大功能。其注入極中的控制信號可以控制PN結(jié)區(qū)域的導(dǎo)通情況，從而實(shí)現(xiàn)功率放大。

2.控制和保護(hù)功能

IGBT的集電極終端和門極終端相互獨(dú)立，因此，可以通過對門電極的控制來實(shí)現(xiàn)其導(dǎo)通和截止。此外，當(dāng)IGBT受到超負(fù)荷或短路等異常情況時(shí)，它還可以通過內(nèi)部保護(hù)功能自主斷電，保護(hù)整個(gè)系統(tǒng)的安全。

3.逆變功能

IGBT的輸出信號可以通過逆變電路將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。通過逆變電路的作用，IGBT可以將高壓（低電壓）直流電轉(zhuǎn)換成要求的低壓（高電壓）交流電。

4.速度和效率的提高

IGBT不僅具備高輸電的能力，同時(shí)也具備較高的開關(guān)速度，相對于BJT器件的能耗損耗更低。這就大大改善了傳統(tǒng)電力設(shè)備的效率和工作速度。

綜上所述，IGBT在現(xiàn)代電子和電力領(lǐng)域內(nèi)的作用和功能是各種各樣的。因其高功率、高精度、高可靠性的特點(diǎn)，它已經(jīng)成為各種電力設(shè)備、電控系統(tǒng)、驅(qū)動系統(tǒng)、發(fā)電機(jī)和電機(jī)、及其他用電設(shè)備中的核心部件。隨著科技的不斷進(jìn)步和工業(yè)的不斷發(fā)展，IGBT技術(shù)也在不斷革新和升級，為電力產(chǎn)業(yè)貢獻(xiàn)出了巨大的力量。