在當(dāng)今科技時(shí)代,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長,NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來,虛擬 SLC(pSLC)閃存技術(shù)的引入,為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC閃存的原理、優(yōu)勢(shì)以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。
什么是pSLC
pSLC是一種虛擬的 SLC技術(shù),通過采用特殊的控制算法和管理方法,在 MLC或 TLC閃存芯片上模擬 SLC存儲(chǔ)單元。
1、pSLC技術(shù)的可靠性介于SLC和MLC之間,其性能接近于SLC;
2、透過Flash控制器的創(chuàng)新性設(shè)計(jì),大幅提升Flash的性能和使用壽命,使得設(shè)備在極端的環(huán)境溫度下能穩(wěn)定運(yùn)行
pSLC的性能
1、pSLC不管是小檔案?jìng)鬏斶€是全盤讀寫,寫速都會(huì)穩(wěn)定維持,而MLC/TLC模式,則會(huì)出現(xiàn)明顯的掉速。
2、針對(duì)不同應(yīng)用的場(chǎng)景加入AI技術(shù),使產(chǎn)品維持高性能。
eMMC 8GB pSLC (MKEMF008GT1E-IE)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù):
pSLC模式性能:
MLC/TLC模式性能:
pSLC的可靠性
相較于 MLC、TLC和 QLC閃存技術(shù),pSLC閃存具有更高的性能和耐久性。雖然 MLC/TLC/QLC閃存在提供更高存儲(chǔ)密度方面更有優(yōu)勢(shì),但其壽命相對(duì)較短。pSLC閃存通過虛擬 SLC特性,彌合了性能和壽命之間的鴻溝,為高要求應(yīng)用帶來了更好的選擇。
pSLC極大的提高了設(shè)備的使用壽命,P/E壽命可達(dá)30000~50000次
8GB eMMC pSLC 486hrs實(shí)測(cè)數(shù)據(jù):
1、極致的Wear-Leveling,WAF=1.15
2、TBW:8GB pSLC eMMC高達(dá)489TB,接近MLC的25倍(8GB MLC僅20TB)
pSLC的潛力
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,pSLC閃存有望持續(xù)發(fā)展,進(jìn)一步提高性能和壽命,并降低制造成本。這將使得 pSLC閃存在更多領(lǐng)域中扮演更為重要的角色,滿足不斷增長的存儲(chǔ)需求。
pSLC閃存作為一種高性能與低成本的創(chuàng)新技術(shù),為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來了新的可能性。其虛擬 SLC特性使其成為傳統(tǒng) SLC閃存和現(xiàn)代 MLC/TLC/QLC閃存之間的理想選擇。未來,pSLC閃存的發(fā)展將進(jìn)一步推動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)步,滿足不斷增長的存儲(chǔ)需求,為各個(gè)領(lǐng)域提供穩(wěn)定可靠的存儲(chǔ)解決方案。
MK-米客方德 PSLC產(chǎn)品選型表
產(chǎn)品類型 | 容量 | 型號(hào) | Flash類型 | 關(guān)鍵特征 | 工作溫度 | 尺寸 |
eMMC | 4GB(32Gbit) | MKEMC004GT1E-IE | pSLC |
工業(yè)級(jí)寬溫 P/E Cycles 3萬次 LDPC糾錯(cuò) |
-40℃~85℃ | 11.5x13.5mm |
8GB (64Gbit) | MKEMF008GT1E-IE | |||||
16GB(128Gbit) | MKEMF016GT1E-IE | |||||
32GB(256Gbit) | MKEMF032GT2E-IE | |||||
SD NAND | 32Gbit | MKDN032GIL-AA | pSLC |
P/E Cycles 3萬次,工業(yè)級(jí) C10, U1, V10, A2 支持1.8v/3.3v IO電壓 |
-25℃~85℃ | 9.0x12.5mm |
64Gbit | MKDN064GIL-ZA | |||||
8Gbit | MKDV008GIL-SSP | pSLC |
P/E Cycles 3萬次,工業(yè)級(jí) C10, U1, V10 支持1.8v/3.3v IO電壓 |
-25℃~85℃ | 6.6x8.0mm | |
16Gbit | MKDV016GIL-SSP | |||||
32Gbit | MKDV032GIL-SSP | |||||
Micro SD Card | 8GB | MKUS008G-IGT1 | pSLC |
工業(yè)寬溫 P/E周期3萬次, 1920 TBW SD6.1 > C10,U3,V30,A2 高速持續(xù)寫入不掉速 pSCL, LDPC糾錯(cuò) |
-40℃~85℃ | Micro SD Card |
16GB | MKUS016G-IGT1 | |||||
32GB | MKUS032G-IGT2 | |||||
64GB | MKUS064G-IGT4 |
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