中芯國際公布“半導體結構及其形成方法”專利
最近，中芯國際有許多新的專利信息，其中發明專利名稱為“半導體結構及形成方法”，公開編號為cn116508133a。
根據專利要點，具體的形成方法是提供包括目標層的基礎（base）， base包括用于形成目標圖像層的目標區域和與截斷位置相對應的截斷區域。
基底上形成口罩側壁。以面罩側壁為面罩，圖形花木表層形成分立的初期圖形層，初期圖形層橫向延長，橫向和垂直方向縱向，靠近縱向的初期圖形層之間形成凹槽。在目標區域和截斷區域的邊界上形成貫穿初期圖像層的邊界槽。
在槽和邊界槽中形成間隔層。以位于邊界定義槽上的圖層和槽間隔的間隔圖層分別應對橫向及縱向的靜止層疊，切割領域的初期圖片圖層和剩下的初期圖形對象領域的目標圖形對象的層疊。
據悉，上述發明專利有利于增加大刻蝕切割區早期圖像層的技術窗口。
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