功率MOS場效應晶體管電參數指標中規定的電參數一般分為三大類：直流參數、交流參數和極限參數。直流參數包括：漏源擊穿電壓BVDSS，靜態漏源導通電阻RDS(on)，柵閾值電壓VGS(th)，正向跨導gfs等;交流參數包括：輸入電容Ciss、輸出電容Coss，反向傳遞電容Crss，開關時間ton、ts、tf等；極限參數包括：連續電流ID和脈沖漏電流IDM，最大耗散功率PD，柵源電壓VGS，單脈沖雪崩耐量EAS等。

功率MOS場效應晶體管的設計任務就是根據用戶使用要求，確定主要電學參數指標，設計出滿足參數指標要求的縱向參數、橫向參數和熱學參數。

功率MOS場效應晶體管在實際設計過程中，主要從以下幾個方面進行設計：功率MOS場效應晶體管的結構設計、功率MOS場效應晶體管的主要電參數設計、功率MOS場效應晶體管的工藝設計以及功率MOS場效應晶體管的零部件設計。

由產品電參數指標可知，該產品具有漏源擊穿電壓（BVDSS）、導通電阻低、電流容量高、耗散功率大、抗靜電擊穿能力強等特點。產品具有電壓控制、快開關速度、易并聯以及電參數溫度穩定性高。非常適合應用于開關電源、馬達驅動、逆

變器、斬波器、音頻放大器以及高能量脈沖電路。

表1 產品電參數指標（25℃）

外延區電阻率：

漏源擊穿電壓越大，外延層摻雜濃度越小 （電阻率越大），對于平行平面結，外延層摻雜濃度為：

但是，在實際VDMOS結構中，PN結并不是理想的平行平面結，采用平面擴散或離子注入工藝制備的PN結邊緣為柱面結或球面結，由于不可避免的邊緣效應，盡管有各種終端結構，仍不能避免PN結提前擊穿。因此，在設計中我們必須留出充分的余量，在計算中將BV乘以一個系數K。通常當漏源擊穿電壓大于200V時，K取0.7。所以上式變為：

產品電參數指標給出的漏源擊穿電壓的下限為500V，考慮20％的裕量，設計漏源擊穿電壓值為600V，帶入（2）式計算得到N外延層摻雜濃度Nb=3.24×1014 cm-3。

根據摻雜濃度與電阻率的關系，外延層電阻率設計為：

所設計的外延層電阻率的范圍為：

14Ω.cm＜ρ＜16Ω.cm