三星3納米良率不超過(guò)20% 將重新擬定制程工藝時(shí)間節(jié)點(diǎn)
三星制程工藝時(shí)間節(jié)點(diǎn)更新，2025年2nm，2027年1.4nm 。
三星最新公布的制程工藝技術(shù)路線(xiàn)圖顯示，該公司計(jì)劃在2025年開(kāi)始量產(chǎn)2納米級(jí)SF2工藝，以滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)高性能處理器的需求。此前，三星已于今年公布，其3納米工藝已滿(mǎn)足大規(guī)模生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)。
三星雖然公布了自家的 3 納米制程工藝已經(jīng)達(dá)到了可以批量生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)，但因?yàn)槿枪に囋隍旪?888 和驍龍 8Gen1 兩款芯片上的表現(xiàn)并不盡如人意。
盡管三星在4納米和5納米工藝上仍然有產(chǎn)量問(wèn)題，但在3納米工藝上卻面臨更大的良率問(wèn)題，因此與Silicon Frontline Technology公司合作，改進(jìn)晶圓廠前端工藝和芯片性能已成為他們的必需之舉。
而與目前的4納米和5納米工藝相比，3納米制程工藝在性能和能效比上有較大的提升，但三星3納米解決方案制程自量產(chǎn)以來(lái)，良率不超過(guò)20%，這讓它們陷入了瓶頸。
根據(jù)最新的技術(shù)路線(xiàn)圖，三星計(jì)劃在2025年推出2納米級(jí)SF2工藝，2027年推出1.4納米級(jí)SF1.4工藝。
編輯：黃飛
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
處理器
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
19407瀏覽量
231183 -
制程工藝
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
44瀏覽量
9460 -
2nm
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
207瀏覽量
4543 -
三星
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
1608瀏覽量
31496
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
三星3nm良率僅20%，仍不放棄Exynos 2500處理器，欲打造“十核怪獸”
，導(dǎo)致Exynos 2500良率不佳的原因是，這顆SoC基于三星第二代3nm GAA制程工藝——
三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計(jì)報(bào)道
DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重挑戰(zhàn)，已決定在2024年底對(duì)現(xiàn)有的1b nm工藝進(jìn)行改進(jìn)，并從頭開(kāi)始設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM。然而，三星電子現(xiàn)在對(duì)此表示否認(rèn)，強(qiáng)調(diào)其并未有
三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM
問(wèn)題，在2024年底決定在改進(jìn)現(xiàn)有1b nm工藝的同時(shí)，從頭設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM。 不過(guò)，三星通過(guò)相關(guān)媒體表示相關(guān)報(bào)道不準(zhǔn)確。盡管三星否認(rèn)了重新設(shè)計(jì)，但有業(yè)內(nèi)人士透露，
三星電子1c nm內(nèi)存開(kāi)發(fā)良率里程碑推遲
據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本，三星計(jì)劃在2024年底
三星1c nm DRAM開(kāi)發(fā)良率里程碑延期
(High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本，三星電子計(jì)劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率
三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì)，應(yīng)對(duì)良率與性能挑戰(zhàn)
近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí)，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm
三星芯片代工新掌門(mén)：先進(jìn)與成熟制程并重
與成熟制程的并重發(fā)展。他指出，當(dāng)前三星代工部門(mén)最緊迫的任務(wù)是提升2nm產(chǎn)能的良率爬坡。這一舉措顯示了三星在先進(jìn)
三星3nm芯片良率低迷，量產(chǎn)前景不明
近期，三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域遭遇挑戰(zhàn)，其最新的Exynos 2500芯片在3nm工藝上的生產(chǎn)良率持續(xù)低迷，目前仍低于
臺(tái)積電3nm工藝穩(wěn)坐釣魚(yú)臺(tái)，三星因良率問(wèn)題遇冷
近日，全球芯片代工領(lǐng)域掀起了不小的波瀾。據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電在3nm制程的芯片代工價(jià)格上調(diào)5%之后，依然收獲了供不應(yīng)求的訂單局面。而與此同時(shí)，韓國(guó)的三星電子在3nm
三星第五代DDR產(chǎn)品良率不達(dá)標(biāo)
據(jù)報(bào)道，三星電子在最新的半導(dǎo)體技術(shù)探索中遭遇了挑戰(zhàn)。其第五代10nm級(jí)（1b）制程DRAM的良率尚未達(dá)到業(yè)界通常期望的80%~90%的水平，這一狀況引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
傳三星電子12nm級(jí)DRAM內(nèi)存良率不足五成
近日，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星在其1b nm（即12nm級(jí)）DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過(guò)程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前，該制程的良
三星的HBM3芯片生產(chǎn)良率約為10-20%！
3月13日消息，據(jù)外媒報(bào)道，三星電子將采用競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士主導(dǎo)的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封裝工藝，而非此前堅(jiān)持使用的非導(dǎo)電薄膜（NCF）技術(shù)。
三星3納米良率不足60%
三星近年來(lái)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域持續(xù)投入，并力爭(zhēng)在先進(jìn)制程技術(shù)上取得突破。然而，據(jù)韓媒報(bào)道，三星在3納米制程上的
三星電子3nm工藝良率低迷，始終在50%左右徘徊
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱(chēng)，三星電子旗下的3納米工藝良品比例仍是一個(gè)問(wèn)題。報(bào)道中僅提及了“3nm”這一籠統(tǒng)
三星半導(dǎo)體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”！
近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論