為了保護環境，降低功耗已成為全球面臨的重大挑戰，正因如此，變頻器日益廣泛用于各類型設備。借助變頻器提高能效是重要目標。要求大電流和高功率的應用中通常使用硅（Si）IGBT，因為在大電流條件下，IGBT的飽和電壓低于MOSFET。然而，IGBT在關斷過程中的拖尾電流導致損耗增加，限制了其在高速開關中的應用。

基于CoolSiC? MOSFET的技術，CIPOS? Maxi IPM IM828系列推出全球首款采用壓鑄模封裝的1200 V碳化硅IPM，集成了一個優化的6通道1200V SOI柵極驅動器和6個CoolSiC? MOSFET。作為最小巧、最緊湊的1200V等級封裝，這款SiC MOSFET IPM使用簡便，因為其嵌入式SOI柵極驅動IC經專門優化，可減小開關振蕩。此外，它采用緊湊式封裝，得益于使用具備很高熱導率的DBC基板，IM828-XCC提供的額定功率超過4.8 kW，具有出色的功率密度、可靠性和性能。它針對工業應用進行了優化，例如供暖通風空調（HVAC），風扇電機，泵和電機驅動器的功率因數校正。采用先進的電機控制引擎 （MCE），無需任何編碼即可實現最先進的無傳感器磁場定向控制 （FOC）。

產品規格：EVAL-M1-IM828-A
相關器件：IM828-XCC，IMBF170R1K0M1，ICE5QSAG和IFX25001ME V33

?場景應用圖

?產品實體圖

?展示板照片

?方案方塊圖

?核心技術優勢

? 1200V 絕緣體上硅(SOI) 門極驅動IC
? 集成自舉功能

? 過電流保護

? 全通道欠壓鎖定保護

? 觸發保護時六個開關器件全部關閉

? 內置死區時間，防止直通短路

? 獨立的熱敏電阻用于過溫保護

? 當VBS=15V時，允許負VS電勢達到-11V

? 獨立的熱敏電阻用于過溫保護

? 三相橋低端開路，適用于單/三電阻相電流采樣

? 故障清除時間可調

? 節約系統成本，設計簡單

? 投入市場周期短

?方案規格

? 輸入電壓: 380~480VAC

? 4.8kW電機功率輸出

? 輸出電流: 15A/19A (低速）

? EMI濾波器

? 默認配置單相分流電流傳感

? 直流母線電壓檢測

? 故障診斷輸出