新品 | 1200V TRENCHSTOP? IGBT7 H7
新品
1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7
40-140A 1200V的TRENCHSTOP IGBT7 H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應(yīng)用。
產(chǎn)品特點
得益于著名的英飛凌出色VCEsat特性TRENCHSTOP技術(shù)
高速開關(guān)，低EMI輻射
針對目標(biāo)應(yīng)用的優(yōu)化二極管，實現(xiàn)了低Qrr
可選擇較低的柵極電阻（低至5Ω），同時保持出色的開關(guān)性能
Tj(max)=175°C
特性圖
動態(tài)特性和靜態(tài)特性
應(yīng)用價值
具有最高功率密度的技術(shù)，系列產(chǎn)品中最高標(biāo)稱電流140A
按照應(yīng)用優(yōu)化性能
最低的導(dǎo)通損耗
最低的開關(guān)損耗
惡劣環(huán)境下的防潮性能
改善EMI性能
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1269文章
3834瀏覽量
250080 -
1200V
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
4瀏覽量
7465
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
英飛凌IGBT7系列芯片大解析
，英飛凌IGBT芯片的“當(dāng)家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micropatterntrench）技術(shù)，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過精心設(shè)計，并且
新品速遞 英飛凌、ST等新品速覽
涵蓋工業(yè)驅(qū)動器和工具的芯片應(yīng)用、電動汽車( EV )車載充電器和電機芯片應(yīng)用、發(fā)電和儲能系統(tǒng)芯片應(yīng)用等。 01 | 英飛凌：可實現(xiàn)高開關(guān)頻率應(yīng)用的IGBT芯片 英飛凌近期發(fā)布Easy2B Easy3B 1200V IGBT7
新品 | Easy2B Easy3B 1200V IGBT7 H7高速芯片的T型三電平模塊的先導(dǎo)產(chǎn)品
新品Easy2BEasy3B1200VIGBT7H7高速芯片的T型三電平模塊的先導(dǎo)產(chǎn)品EasyPACK封裝圖采用最新一代TRENCHSTOPIGBTH7芯片的FS3L40R12W2H7
英飛凌推出新型CIPOS Maxi 10-20A 1200V IPM
高性能CIPOS Maxi轉(zhuǎn)模封裝IPM IM12BxxxC1系列基于新型1200V TRENCHSTOP IGBT7和快速二極管Emcon 7技術(shù)。由于采用了最新的微溝槽設(shè)計芯片，該
深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊
本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結(jié)構(gòu)，并通過可以控制
新品 | D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP?的IGBT7系列
新品D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用額定
新品 | 采用IGBT7的CIPOS? Maxi 10-20A 1200V IPM
新品采用IGBT7的CIPOSMaxi10-20A1200VIPM高性能CIPOSMaxi轉(zhuǎn)模封裝IPMIM12BxxxC1系列基于新型1200VTRENCHSTOPIGBT7和快速二
新品 | 900A 1700V Wave基板的EconoDUAL? 3 IGBT7 模塊
新品900A1700VWave基板的EconoDUAL3IGBT7模塊EconoDUAL3FF900R17ME7W_B11基板采用Wave波浪結(jié)構(gòu)，針對開放式液冷散熱器應(yīng)用進行了優(yōu)化，以實現(xiàn)更高
新品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴展
新品采用1200VSiCM1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴展1200V的62mmCoolSiCMOSFET半橋模塊現(xiàn)已上市。由于采用了M1H芯片技術(shù)，模塊在VGS(th)、RDS(
1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120HA數(shù)據(jù)手冊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120HA數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 04-10 18:02
?0次下載
1200V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N120SE數(shù)據(jù)手冊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N120SE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 04-10 15:23
?0次下載
收藏！IGBT7系列分立器件核心知識點最全整理！
IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應(yīng)用，例如馬達(dá)驅(qū)動。該系列可實現(xiàn)更高的功率輸出以及更高的功率密度，無需重新設(shè)計散熱器，縮短設(shè)計周期和降低設(shè)計成本。 H7采用最新型
最新IGBT7系列分立器件常見問題
英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場熱度不減，本文為大家整理針對該產(chǎn)品系列的常見問題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過
安森美推出第7代絕緣柵雙極晶體管技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SP
IGBT7系列分立器件核心知識點最全整理！
IGBT7S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應(yīng)用，例如馬達(dá)驅(qū)動。該系列可實現(xiàn)更高的功率輸出以及更高的功率密度，無需重新設(shè)計散熱器，縮短設(shè)計周期和降低設(shè)計成本。H7
工商網(wǎng)監(jiān)
評論