吴忠躺衫网络科技有限公司

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

7.3.4 電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-02-14 09:44 ? 次閱讀

7.3.4 電流-電壓關(guān)系

7.3 pn與pin結(jié)型二極管

第7章單極型和雙極型功率二極管

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

bc7e8e26-8cef-11ec-9d5f-dac502259ad0.jpg

bc8ffbde-8cef-11ec-9d5f-dac502259ad0.jpg

bca2e7da-8cef-11ec-9d5f-dac502259ad0.jpg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    9702

    瀏覽量

    167567
  • 電壓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    45

    文章

    5637

    瀏覽量

    116257
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

    碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術(shù)至關(guān)重要。本文將詳細(xì)解析
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:21 ?64次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)
    發(fā)表于 01-04 12:37

    8英寸單片高溫碳化硅外延生長(zhǎng)室結(jié)構(gòu)

    隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來一段時(shí)間內(nèi)的主流尺寸,其外延生長(zhǎng)
    的頭像 發(fā)表于 12-31 15:04 ?185次閱讀
    8英寸單片高溫<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>生長(zhǎng)</b>室結(jié)構(gòu)

    碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的創(chuàng)新應(yīng)用

    能源轉(zhuǎn)換、電力傳輸和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將介紹碳化硅功率器件基本原理和特點(diǎn),并探討其在能源轉(zhuǎn)換中的創(chuàng)新應(yīng)用,引領(lǐng)高效能源轉(zhuǎn)換的未來之光。
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:49 ?283次閱讀

    碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:04 ?279次閱讀

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì)。本
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?724次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì),逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),使得碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:56 ?874次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?668次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢(shì)

    碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件,近年來在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件相比,
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:25 ?710次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>有哪些優(yōu)勢(shì)

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和分類

    碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,
    的頭像 發(fā)表于 08-07 16:22 ?692次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)勢(shì)和分類

    碳化硅器件的類型及應(yīng)用

    碳化硅是一種廣泛用于制造半導(dǎo)體器件的材料,具有比傳統(tǒng)硅更高的電子漂移率和熱導(dǎo)率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作,同時(shí)保持穩(wěn)定
    發(fā)表于 04-16 11:54 ?802次閱讀

    碳化硅功率器件特性及基本原理

    碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比,具有更寬的能隙、更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和熱導(dǎo)率。
    發(fā)表于 03-19 11:12 ?717次閱讀

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    圓盤的能量吸收范圍高達(dá) 122,290J,允許圓盤組件具有數(shù)十兆焦耳的極高能量吸收額定值。 電氣參數(shù) EAK碳化硅磁盤應(yīng)用來自雷電、電感或電容耦合的電源過電壓。開關(guān)帶感性負(fù)載的觸點(diǎn)。變壓器、電機(jī)
    發(fā)表于 03-08 08:37

    碳化硅功率器件基本原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用
    發(fā)表于 02-29 14:23 ?1728次閱讀

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)碳化硅功率器件

    隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點(diǎn),被譽(yù)為“未來電力電子的新星”。本文將詳細(xì)介
    的頭像 發(fā)表于 02-21 09:27 ?1235次閱讀
    澳门百家乐官网娱乐城信誉如何 | 做生意门口对着通道| e娱乐城棋牌| 百家乐官网规则以及玩法| KK娱乐| 如何看百家乐路| 百家乐官网开户投注| 威尼斯人娱乐城 老品牌值得信赖| 开百家乐官网骗人吗| 名仕国际棋牌下载| 百家乐稳赚的方法| 百家乐官网预测神法| 百家乐赌台| 百家乐官网大光明影院| 威尼斯人娱乐城网站| 李雷雷百家乐官网的奥妙| 亚东县| 千亿娱百家乐的玩法技巧和规则| 奇迹百家乐官网的玩法技巧和规则| 大发888代充| 做生意看风水| 高阳县| 大发888游戏下载中心| 百家乐娱乐城代理| 哪里有百家乐官网赌博网站| 大发888怎么修改密码| 圣淘沙百家乐游戏| 缅甸百家乐官网网站是多少| 尊爵线上娱乐| 大发888虎牌官方下载| 香港百家乐玩| 华侨人百家乐官网的玩法技巧和规则 | 大发888官网黄金版| 百家乐官网平点| 百家乐官网信誉平台现金投注| 马牌百家乐的玩法技巧和规则| 火命与金命做生意 | 超级百家乐官网2龙虎斗| 最新娱乐城注册送彩金| 百家乐庄闲当哪个好| 真人百家乐官网斗地主|