新的USB Type-C? (USB-C)電纜和連接器規(guī)范極大地簡化了實現(xiàn)互連和為數(shù)碼相機和超薄平板電腦等電子產(chǎn)品供電的方式（圖1）。該規(guī)范支持高達15W的USB-C充電應(yīng)用，而USB-C功率傳輸(PD)將充電能力擴展至100W，包括各種可互換充電的設(shè)備。USB Type-C在系統(tǒng)保護方面帶來了新的挑戰(zhàn)。新連接器的間距比USB Micro-B小，增加了VBUS發(fā)生機械短路的風險。此外，由于USB PD具有高電壓，需要更強大的保護。最后，電子負載越來越復(fù)雜，需要加強ESD和電壓浪涌保護。此設(shè)計解決方案首先探討了USB Type-C PD架構(gòu)以及與D+/D-數(shù)據(jù)信號保護相關(guān)的挑戰(zhàn)。然后提出了一種高度集成的2 x SPDT開關(guān)，只需較少的BOM和PCB占用空間，就能夠攻克這些挑戰(zhàn)。

USB-C PD系統(tǒng)

圖2顯示了一個典型的便攜式電源管理設(shè)備前端，該設(shè)備可連接到USB-C電纜，并且由鋰離子(Li+)電池供電。

當存在VBUS時，它為充電器、系統(tǒng)和其余模塊供電。同時，對電池充電。當VBUS斷開時，電池為系統(tǒng)供電。使用USB-C電纜時，CC1和CC2引腳決定端口連接、電纜方向、角色(role)檢測和端口控制。D+/D-線是標準的USB-C通信線，以480Mbps的速度處理數(shù)據(jù)，并受到D+/D-保護裝置的保護。PD控制器實現(xiàn)供電協(xié)議。

圖2. USB PD電源管理系統(tǒng)

保護挑戰(zhàn)

電源中出現(xiàn)電涌和靜電放電(ESD)很常見，可能會干擾或?qū)е码娮迂撦d和設(shè)備損壞。ESD是由于靜電荷從人體轉(zhuǎn)移到電子電路引起的，這是手持電子設(shè)備面臨的一個大問題。浪涌可能是由閃電引起的，也可能是在靠近雷擊的地方鋪設(shè)的長電纜中引起的。開關(guān)或繼電器會在開啟和關(guān)閉操作期間引起浪涌。負載突降是通過切斷汽車上的電池連接而產(chǎn)生的浪涌。良好的數(shù)據(jù)線保護IC應(yīng)能提供足夠的保護，而不會顯著降低數(shù)據(jù)質(zhì)量。

集成解決方案

例如， MAX20334 是一款2 x SPDT開關(guān)，具有過壓保護功能，適用于便攜式設(shè)備（圖3）。該IC旨在保護下游數(shù)據(jù)線免受高壓短路、ESD或浪涌事件的影響。該設(shè)備具有便攜式電子設(shè)備中高性能開關(guān)應(yīng)用所需的低導(dǎo)通電容和低導(dǎo)通電阻。該IC具有內(nèi)部正過壓和浪涌保護功能。該設(shè)備可處理USB低/全/高速信號，并采用2.7V至5.5V電源供電。該IC采用12引腳(1.23mm x 1.63mm)晶圓級封裝(WLP)，可在-40°C至+85°C擴展溫度范圍內(nèi)工作。

圖3. 具有擴展保護的2 x SPDT開關(guān)

擴展保護

所有引腳均采用了ESD保護結(jié)構(gòu)，以防止在處理和組裝過程中遭受高達±2kV（人體模型）的靜電放電。COMA和COMB（圖2和圖3）進一步受到高達±15kV（人體模型）、±15kV（IEC 61000-4-2中描述的氣隙放電方法）和±8kV（IEC61000-4-2中描述的接觸放電方法）的ESD保護，且不會造成損壞。ESD結(jié)構(gòu)在正常運行和設(shè)備斷電時均可承受高ESD。在ESD事件之后，IC繼續(xù)工作，而不會發(fā)生閂鎖。該IC受到-30V至+45V (IEC61000-4-5)的浪涌保護和高達+20.5V的過壓保護。

圖4將這種高度集成的擴展保護解決方案的PCB布局與提供純正電涌保護及較低OV和ESD保護的典型競爭產(chǎn)品進行了比較。后者需要額外的電路來滿足ESD/浪涌/OV規(guī)范要求，增加了BOM成本，并且PCB占用空間擴增了5倍。

圖4. 擴展保護優(yōu)勢

數(shù)據(jù)完整性

從圖5的眼圖可明顯看出，彎曲的藍線與禁止的紅色禁區(qū)保持接近最大(close-to-maximum)的距離，數(shù)據(jù)信號具有良好的完整性。保護IC的高帶寬使信號升降時間和抖動的下降幅度最小，從而產(chǎn)生良好的誤差容限，這對于通過USB一致性測試很重要。

圖5. D+/D-眼圖

結(jié)論

USB Type-C在數(shù)碼相機和超薄平板電腦等電子產(chǎn)品的互連、供電和保護方面帶來了新的挑戰(zhàn)。新連接器的間距比USB Micro-B小，增加了VBUS發(fā)生機械短路的風險。此外，由于USB PD具有高電壓，需要更強大的保護。最后，電子負載越來越復(fù)雜，需要加強ESD和電壓浪涌保護。本設(shè)計解決方案采用提供高達±15kV ESD保護、-30V至+45V浪涌保護和+20.5V過壓保護的增強型保護裝置，可單獨保護數(shù)據(jù)線，與集成度較低的裝置相比，能夠以更低的BOM和更小的PCB占用空間滿足ESD/Surge/OV規(guī)范要求。

審核編輯：郭婷