集微網消息，據evertiq報道，由于碳化硅（SiC）芯片的需求正持續增加，德國工業巨頭博世近期計劃通過收購美國芯片制造商TSI半導體，來應對這一需求。

博世表示，未來幾年內，博世計劃在TSI位于美國加利福尼亞州羅斯維爾的工廠投資超過15億美元，并將TSI半導體制造設施改造為最先進的工藝。

報道稱，這家美國公司擁有250名員工，是一家專門生產專用集成電路的代工廠。目前，公司主要在200毫米碳化硅晶圓上開發和生產大量芯片，用于移動、電信、能源和生命科學行業。從2026年開始，第一批芯片將在這些晶圓上生產。

通過TSI半導體，博世正在加強其半導體業務，并將在2030年底之前大幅擴展其全球碳化硅芯片產品系列。更為重要的是，博世要準備好滿足全球經濟繁榮和電動汽車發展對碳化硅半導體的巨大需求。

然而，博世也明確表示，計劃中的投資將嚴重依賴于美國《芯片和科學法案》獲得的聯邦資金，以及加利福尼亞州的經濟發展機會。

兩家公司已達成協議，不披露交易的任何財務細節，交易尚待監管部門批準。

“通過收購TSI半導體，我們在一個重要的銷售市場建立了碳化硅芯片的制造能力，同時也增加了我們在全球的半導體制造。羅斯維爾現有的潔凈室設施和專家人員將使我們能夠更大規模地生產用于電動汽車的碳化硅芯片。”博世董事會主席Stefan Hartung博士在新聞稿中表示。

審核編輯黃宇