新品發(fā)布

三菱電機(jī)開始提供

集成SBD的SiC-MOSFET模塊樣品

適用于鐵路、電力系統(tǒng)等大功率高效變流場合

3.3kV 集成SBD SiC-MOSFET 模塊

2023年5月8日，三菱電機(jī)宣布將于5月31日開始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模塊樣品，該半橋模塊額定電壓為3.3kV，絕緣耐壓為6.0kVrms。將有助于為鐵路、電力系統(tǒng)及大型工業(yè)變流系統(tǒng)提供更大功率密度、更高效率和可靠性。該產(chǎn)品正在PCIM Europe 2023（5月9-11日，德國紐倫堡）上展出。

近年來，為降低全球社會(huì)范圍內(nèi)的碳排放，功率半導(dǎo)體器件正越來越多地被用于高效電力變換場合，特別是在重工業(yè)中，這些器件被用于變流器設(shè)備，如軌道牽引中的變流系統(tǒng)和直流輸電系統(tǒng)。其中，SiC功率半導(dǎo)體能夠大幅降低功率損耗，人們對其期待很高。此外，對于大型工業(yè)設(shè)備，為了進(jìn)一步提高其轉(zhuǎn)換效率，對高效率功率半導(dǎo)體模塊的需求不斷增加。

為進(jìn)一步為大型工業(yè)變流設(shè)備的高功率輸出、高效率和高可靠性做出貢獻(xiàn)，三菱電機(jī)開發(fā)了這款SiC MOSFET模塊，采用內(nèi)置SBD的SiC MOSFET芯片和優(yōu)化的內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)，能有效降低開關(guān)損耗，將很快開始提供樣品。至此，三菱電機(jī)3.3kV LV100封裝共包含4款SiC MOSFET模塊和2款Si IGBT模塊。

產(chǎn) 品 特 點(diǎn)

集成SBD的SiC-MOSFET，降低功率損耗，提高變流器輸出功率、效率和可靠性

采用集成SBD的SiC MOSFET和優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)，與公司現(xiàn)有的硅功率模塊相比，開關(guān)損耗降低了91%*4，與現(xiàn)有的全SiC功率模塊相比降低了66%*5，從而降低了變流器功率損耗，并有助于提高輸出功率和效率。

集成SBD的SiC MOSFET和優(yōu)化的電流容量提高了變流器的可靠性。

優(yōu)化的端子布局，適用于不同容量大小的變流器

優(yōu)化的端子布局利于并聯(lián)連接，通過并聯(lián)不同的數(shù)量實(shí)現(xiàn)變流器的靈活功率配置。

直流和交流主端子布置在兩端的封裝設(shè)計(jì)，有助于簡化電路設(shè)計(jì)。

主 要 規(guī) 格

本產(chǎn)品為符合《出口貿(mào)易管制令》附表1第2（41）3項(xiàng)的產(chǎn)品。

*1：Schottky Barrier Diode

*2：Silicon Carbide碳化硅

*3：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

*4：3.3kV/600A 硅功率模塊(CM600DA-66X)

*5：3.3kV/750A全SiC功率模塊 (FMF750DC-66A)

關(guān)于三菱電機(jī)

三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)。在2022年《財(cái)富》世界500強(qiáng)排名中，位列351名。截止2022年3月31日的財(cái)年，集團(tuán)營收44768億日元(約合美元332億)。作為一家技術(shù)主導(dǎo)型企業(yè)，三菱電機(jī)擁有多項(xiàng)專利技術(shù)，并憑借強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場，三菱電機(jī)從事開發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有60余年。其半導(dǎo)體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動(dòng)汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

審核編輯：湯梓紅