半導體生產流程：

半導體材料：

半導體材料按應用環節劃分，可分為前端晶圓制造材料和后端封裝材料兩大類。主要的晶圓制造材料包括：硅片、電子特氣、光刻膠及配套試劑、濕電子化學品、拋光材料、靶材、光掩膜版等；主要的封裝材料包括：引線框架、封裝基板、陶瓷材料、鍵合金絲、切割材料等。

根據SEMI數據，2020年全球晶圓制造材料中，硅片占比最高，為35%；電子氣體排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻膠占比6%；光刻膠配套材料占比8% ；濕電子化學品占比7%；CMP拋光材料占比6%；靶材占比2%。

封裝材料中，封裝基板占比最高，為48%；引線框架、鍵合絲、包封材料 、陶瓷基板、芯片粘接材料分列第2-6 名，占比分別為 15%、15%、10%、6%和3%。

晶圓制造材料：

半導體硅片：

根據制造工藝分類，半導體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經過外延生長形成外延片，拋光片經過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。

按照尺寸分類，半導體硅片的尺寸（以直徑計算）主要包括23mm、25mm、28mm、50mm（2 英寸）、75mm（3 英寸）、100mm（4 英寸）、125mm（5 英寸）、150mm（6 英寸）、200mm（8 英寸）與 300mm（12 英寸）等規格。

當硅片尺寸越大，單個硅片上的芯片數量就越多，從而能夠提高生產效率、降低生產成本。300mm硅片是200mm硅片面積的2.25倍，生產芯片數量方面，以1.5cm×1.5cm的芯片為例，300mm硅片芯片數量232顆，200mm硅片芯片數量 88 顆，300mm硅片是200mm硅片芯片數量的2.64倍。

目前全球半導體硅片以12英寸為主，2020 年全球硅片12英寸占比69%，8英寸占比24%，6英寸及以下占比7%。

根據頭豹研究院數據，12英寸對應3-90nm制程，產品包括手機SoC、CPU、GPU、存儲、通信、FPGA、MCU、WiFi/藍牙等；8英寸對應90nm-0.25μm制程，產品包括汽車MCU、射頻、指紋識別、電源管理、功率、LED驅動等；6 英寸對應0.35μm -1.2μm制程，產品包括MOSFET、IGBT、MEMS等。

半導體硅片競爭格局：

2020年，全球前五大半導體硅片企業信越化學、SUMCO、Siltronic、環球晶圓、SKSiltron合計銷售額109.16億美元，占全球半導體硅片行業銷售額比重高達89.45%。2020年，滬硅產業集團市場份額上升至2.2%。

全球半導體硅片供給：

根據SUMCO統計，全球8英寸硅片2022Q1出貨量約600萬片/月，12英寸硅片2022Q1出貨量接近800萬片/月。

全球半導體需求預測：

根據Sumco預測，12英寸硅片需求從2022年的800萬片/月增長到2026年的1150萬片，CAGR為9.4%。具體細分應用中，智能手機和數據中心仍是占比最高的下游應用，而汽車芯片是增速最快的細分應用。

國內半導體硅片公司產能：

現有產能：8英寸200萬片/月，12英寸90萬片/月。

擴產后：8英寸300萬片/月，12英寸270萬片/月。

半導體硅片上游：原料和設備

設備：

從設備的采購情況看，長晶設備約占設備總投資的25%，日本Ferrotec是全球半導體級別長晶爐的龍頭，在12英寸半導體硅片長晶爐領域市占率高達80%以上。國內北方華創、連城精密和晶盛機電的12英寸單晶爐雖然與國際水平仍存在差距，但技術方面的差距已在不斷縮小。

原料：

上游半導體硅片原料電子級多晶硅主要依賴進口，關鍵性的技術主要掌握在德國、日本和美國為首的企業手中，近年來，隨著國內黃河水電（3300噸/年，國內市占率20%）、鑫華半導體（年產5000噸）、云冶芯材、洛陽中硅、宜昌南玻等企業逐步推進電子級多晶硅的研究與發展，電子級多晶硅對于海外進口的依賴正在逐漸緩解。

協鑫能源與TCL科技22年布局1萬噸電子級多晶硅產能，預計2023年三季度投產，2024年三季度達產。

電子特種氣體：

主要包括硅族氣體、鹵化物或鹵化物氣體、含硼、磷、砷特種氣體作為集成電路制造的關鍵材料，伴隨著下游產業技術的快速迭代，特種氣體的精細化程度持續提高，特別是在純度和精度方面，對特氣的要求持續提高。比如在純度方面，普通工業氣體要求在99.99%左右，但是在先進制程的集成電路制造過程中，氣體純度要求在6N（99.9999%）以上。等原子的氣體，以及氟碳氣體，種類繁多。

衡量電子特種氣體質量的指標不僅是指氣體本身的純度，還包括影響制造過程的各種關鍵雜質含量，如氧氣、水分、金屬、離子濃度、顆粒等，電子特氣中水汽、顆粒等雜質會影響電子器件壽命，造成半導體線路損壞。雜質含量通常為 ppm（百萬分之一，0.0001%）、ppb（十億分之一，十億分之一，0.0000001%）。

大宗氣體中的惰性氣體主要用作保護氣。氫氣和氧氣作為還原氣體和氧化氣體與其他物質發生化學反應。在離子注入工藝中，用到氫化物氣體作為磷源，硼源和砷源，形成P型和N型區域。在刻蝕工藝中，需要用氟化物氣體作為刻蝕氣體。在CVD工藝中，需要用硅烷和氯氣等等。在光刻過程中需要光刻氣，Kr/Ne/Ar等混合氣體作為***的光源氣體，另外，在清洗，氧化爐，退火等等制造過程也需要不同電子氣體。

電子氣體競爭格局：

目前全球市場主要被美國空氣化工Air Products、德國林德Linde、法國液化空氣Air Liquide、以及日本大陽日酸TAIYO NIPPON SANSO四家公司占據。

根據中國工業氣體工業協會統計，集成電路生產用的特種氣體，中國僅能生產約20%的品種，其余均依賴進口。目前中國國內企業所能批量生產的特種氣體仍主要集中在集成電路的清洗、蝕刻、光刻等工藝環節，對摻雜、沉積等工藝的特種氣體僅有少部分品種取得突破。

電子氣體上游：原料，設備，容器

氣體原料（例如氟化物和硅烷等）及化工原料（液氧、液氮等）是電子特氣的主要生產原料，氣體原來主要來源于上游空氣氣體企業、金屬冶煉企業、化工生產企業以及粗氣體產品企業。氣體設備是電子特氣的重要生產設備，主要包括分離、純化、壓力檢測等設備。目前空分設備、基礎化學原料供求普遍較為穩定，變動較小。隨著國家對環境保護以及工業尾氣排放目標的進一步明確，原材料中的工業尾氣的供應也將更加充足。

光刻膠：

光刻膠本質是一種感光材料，也稱光致抗蝕劑，主要用于微電子技術中微細圖形加工。在紫外光、電子束、離子束、X 射線等照射或輻射下，光刻膠溶解度會發生變化，再經適當溶劑溶去可溶性部分，便可實現圖形從掩模版到待加工基片上的轉移。進一步，未溶解部分光刻膠作為保護層，在刻蝕步驟中保護其下方材料不被刻蝕，從而完成電路制作。

按照下游應用領域，光刻膠可分為IC光刻膠、PCB光刻膠、LCD光刻膠。IC光刻膠根據曝光波長又可分g線光刻膠(436nm)、i線光刻膠(365nm)、KrF光刻膠(248nm)、ArF光刻膠(193nm)、EUV光刻膠(13.5nm)等。

光刻膠競爭格局：

目前，IC光刻膠領域前五大廠商占據全球87%的市場份額，其中日本合成橡膠（JSR）、東京應化（TOK）、美國杜邦、信越化學、富士電子市占率分別為28%、21%、15%、13%、10%。

中國大陸半導體光刻膠高度依賴進口，本土企業在低端產品上有所突破。2020年中國大陸光刻膠市場外資企業供給占比超過70%，內資企業主要在低端g/i線光刻膠產品上有些突破，6英寸硅片自產占比約20%，KrF、ArF、EuV光刻膠國產替代任重道遠。

截至2021年年初，北京科華（彤程新材）可量產g/i線光刻膠、KrF光刻膠，晶瑞電材可量產g/i線光刻膠。

光刻膠原材料：

光刻膠主要原材料占比從大到小分別是溶劑（50%-90%）、樹脂（10%-40%）、光引發劑（1%-6%）以及添加劑（<1%）。

溶劑：

目前光刻膠溶劑主要為PGMEA（丙二醇甲醚酸醋酯，簡稱PMA），大陸自給率較高。根據新思界產業研究中心數據，我國是全球最大的PGMEA生產國家，產能占據全球總產量的35%左右。生產企業有百川股份、瑞佳化學、怡達化學、華倫、德納國際等。

樹脂：

光刻膠樹脂方面，日本、美國企業目前占據主要市場。國內方面，圣泉集團、彤程新材、強力新材等目前開始逐步布局。

單體：

單體方面，微芯新材、徐州博康、萬潤股份、瑞聯新材具備量產能力。

光引發劑：

目前被德國巴斯夫壟斷，國內強力新材、久日新材能夠量產，強力新材是國內少數專營光刻膠原料生產的企業，兼具半導體光引發劑、LCD光引發劑和PCB光引發劑，2020年產能分別達到 80t/a、100t/a 和1400t/a。

光掩模板：

光掩膜，即光刻掩膜版，又稱光罩、掩膜版等，是集成電路光刻工藝中的圖形轉移工具或母版。光掩膜的功能類似于傳統相機的“底片”，在***、光刻膠的配合下，將光掩膜上已設計好的圖案，通過曝光和顯影等工序轉移到襯底的光刻膠上，進行圖像復制，從而實現批量生產。

光掩模板競爭格局：

光掩膜主要供應商以美日大廠為主，其中日本凸版印刷、大日本印刷、美國 Photronics 三家就占了80%以上的市占率，其他還有日本豪雅HOYA、日本SK電子、中國臺灣光罩等。

目前我國芯片制造能力與國際先進水平仍有差距，半導體領域用掩膜版行業的中高端市場仍主要由國外掩膜版廠商占據，國內的掩膜版廠商的技術能力主要集中在芯片封測用掩膜版以及100nm節點以上的晶圓制造用掩膜版，與國際領先企業有著較為明顯的差距。

光掩模版原材料：

在光掩模制造成本中，直接材料占比達 67%，包括掩膜版基板、保護膜和其他輔助材料，而掩膜版基板又占直接材料的比重超過 90%，是最重要的生產材料，會直接影響最終產品質量。

被用來制作光掩模基版的玻璃包括合成石英、硼硅玻璃和蘇打玻璃，其中合成石英最為化學穩定，具有高硬度、低膨脹系數和透光性強等優勢，適用于較高精度要求的產品生產，廣泛應用于 LSI 用光掩模、FPD 用大型掩膜的制造。

目前，光掩模版上游原材料廠商主要集中在日本和韓國，主要被日本信越化學、尼康、東曹和韓國KTG、Samsung C&T等壟斷，遮光材料主要依賴日本信越化學、旭化成等。國內有數家企業有能力生產，但主要集中在中小尺寸，產品應用行業也多在 TP、PCB 等低端行業，對于半導體用高精度及高世代面板用基材，基本被日韓壟斷。

石英掩模版基材國內公司：菲力華

CMP拋光液：

CMP拋光液是研磨材料和化學添加劑的混合物，可使晶圓表面產生一層氧化膜，再由拋光液中的磨粒去除，達到拋光的目的。

CMP拋光液競爭格局：

拋光液當前的全球主流供應商為卡博特(Cabot)、日立(Hitachi)、FUJIMI、慧瞻材料(Versum)等，壟斷全球近65%的市場份額，根據Cabot數據統計，2020年龍頭企業Cabot拋光液全球市場占有率達36%，在中國市場內占比達39%，國內代表企業安集科技在國內市場中占13%份額，其余48%為其他海外企業占據。而當前的國內晶圓廠需求除了安集科技以外，主要依賴進口。

安集科技目前化學機械拋光液已在130-28nm技術節點實現規模化銷售，14nm技術節點產品已進入客戶認證階段，10-7nm技術節點產品正在研發中。

安集科技年產16000噸。

鼎龍股份年產5000噸，原材料自主可控。

拋光液原材料：

拋光液組分復雜，由氧化劑、磨粒、絡合劑、表面活性劑、緩蝕劑、pH調節劑及pH緩沖劑按照一定比例配置而成。

磨粒在拋光液原材料中成本占比最高。根據安集科技招股說明書，磨粒約占拋光液原材料成本的50%-70%。目前卡博特、Versum、Entegris、安集科技等拋光液企業主要向第三方采購核心磨粒材料，其中安集科技磨粒主要來自日本廠商。

二氧化硅磨粒是當前市場使用最廣泛的產品，核心技術被日產化學、阿克蘇諾貝爾公司等海外巨頭壟斷。國內企業上海新安納具備IC拋光液磨粒生產能力，擁有IC硅溶膠產能6300噸，中芯國際認證該磨粒制成的拋光液可滿足12英寸40納米相變存儲器GST拋光需求，客戶包括扶桑化工、安集科技等拋光液企業。

鼎龍股份目前實現了超純硅溶膠，水玻璃硅溶膠、氧化鋁三類研磨粒子的自主制備。

CMP拋光墊：

拋光墊是一種具有一定彈性且疏松多孔的材料，在CMP過程中直接與晶片接觸產生摩擦，以機械方式去除拋光層。拋光墊的性質直接影響晶圓的表面質量，是關系到平坦化效果的直接因素之一，目前使用最多的是由緩沖層和拋光層組成的復合型拋光墊。

拋光墊競爭格局：

陶氏化學占據了全球拋光墊市79%的市場份額，陶氏的20英寸拋光墊占據了85%的市場份額，30英寸的市占率則更高。此外Cabot、ThomasWest、FOJIBO分別占居5%、4%、2%，日本廠商JSR占據1%。國內方面，鼎龍股份掌握了拋光墊全流程核心研發和制造技術，已通過下游部分客戶認證。

以中芯國際等公司公告來計算，目前國內12寸硅片需要的拋光墊的量大約為40萬片。目前鼎龍在國內進展迅速，月產能約2萬片/月，市占率約為50%。

拋光墊上游原材料：

拋光墊上游材料為聚氨酯、無紡布等基礎化工產品，其中高質量聚氨酯是生產拋光墊的技術難點，拋光墊廠商通常外購聚氨酯彈性體原材料。

濕電子化學品：

濕電子化學品，指主體成分純度大于99.99%的化學試劑，一般要求控制化學試劑中顆粒粒徑低于0.5μm，雜質含量低于ppm級，其純度和潔凈度將直接影響電子元器件的成品率、電性能和可靠性。電子濕化學品伴隨集成電路的整個制作過程，涉及到多個制造工藝環節。

濕電子化學品主要應用于半導體市場、光伏市場和平板顯示器市場。

2021年國內濕電子化學品產量達64.35萬噸，同比增長17.68%。2021年國內濕電子化學品需求超102.41萬噸，同比增長23.6%。

濕電子化學品競爭格局：

目前歐美傳統老牌企業市場份額約為31%，日本企業市場份額約為29%，韓國、中國大陸及中國臺灣地區的市場份額合計約為39%。

目前，國內電子濕化學品產業整體呈現出結構性的發展不均衡，高端產品仍存在不足。集成電路領域，2020年集成電路工藝用電子濕化學品整體國產化率23%，8英寸及以上晶圓制造用電子濕化學品國產化率不足20%，國內企業產品供應主要集中在6英寸及以下晶圓制造及封裝領域。

中國大陸市場集中度較低，濕電子化學品生產企業共有40余家，具有規模化的企業有30余家，各公司產量較小。

國內濕電子化學品生產企業主要有3類：

（1）濕電子化學品專業供應商，產品種類豐富且毛利率高，主要企業代表為江化微、格林達等；

（2）電子材料平臺型企業，以泛半導體業務為主，具有客戶優勢，主要代表企業包括晶瑞電材和飛凱材料等；

（3）大化工企業，濕電子化學品種類較少，具有產業鏈協同優勢，原料成本方面占優。主要代表企業包括巨化股份和濱化股份。

靶材：

靶材在半導體生產中主要應用于晶圓制造和芯片封裝環節。靶材在晶圓制造環節主要被用作金屬濺鍍，常采用 PVD 工藝進行鍍膜，通常使用純度在 99.9995%（5N5）及以上的銅靶、鋁靶、鉭靶、鈦靶以及部分合金靶等；靶材在芯片封裝環節常用作貼片焊線的鍍膜，常采用高純及超高純金屬銅靶、鋁靶、鉭靶等。

靶材競爭格局：

日礦金屬、東曹公司以及美國的霍尼韋爾、普萊克斯公司，四家靶材制造國際巨頭，占據了全球半導體芯片用靶材市場約90%的份額。

我國半導體用銅、鋁、鈦等靶材已實現定點突破，江豐電子（鋁靶、鈦靶、鉭靶）、有研新材（銅靶、鈷靶）是國內半導體用濺射靶材的龍頭企業。

江豐電子現有產能：

目前擁有半導體或平板顯示用高純鋁靶材 36920 塊、高純鈦靶材11895塊、高純銅靶材1000塊、高純鎢靶材500塊、高純鈷靶材1000塊，高純鉭靶材4614塊。

有研新材現有產能：目前擁有約 2 萬噸半導體產能。

靶材原材料：

目前國內濺射靶材的高純金屬原料多數依靠日美進口。但部分企業在部分金屬提純方面已取得了重大突破。

封裝基板：

封裝基板不僅為芯片提供支撐、散熱和保護作用，同時為芯片與PCB母板之間提供電子連接，起著“承上啟下”的作用；甚至可埋入無源、有源器件以實現一定系統功能。封裝基板在HDI板的基礎上發展而來，是適應電子封裝技術快速發展而向高端技術的延伸，作為一種高端的PCB，封裝基板具有高密度、高精度、高性能、小型化及薄型化等特點。

封裝基板細分工藝對應不同的產品，主要可分為三個等級。入門級產品包括CSP、PBGA，用于芯片組、DRAM、Flash產品；一般類包括一般 FCCSP和FCBGA(非 CPU類)，可用于通信芯片組、SiP封裝模組；高端類包括復雜FCBGA(CPU類)產品，可用于CPU、GPU等產品。

CSP與FCCSP采用BT樹脂材料，產品層數較低，主要應用于手機及可穿戴設備的應用處理器、存儲等領域；FCBGA封裝基板保留玻纖布預浸BT樹脂(主要由日本三菱瓦斯與日立化成供應)作為核心，每層用疊構的方式增加層數，加上ABF樹脂(主要由日本味之素供應)作為積層介質薄膜導入構裝制程。

封裝基板競爭格局：

目前全球封裝基板廠商主要分布在日本、韓國和中國臺灣。

深南電路、興森科技、珠海越亞等內資廠商第一梯隊已初具雛形。深南電路在產能規模及營收體量上位居第一，產品制程能力可達到一般類封裝基板的水平(即包括一般類 FCCSP、CSP等)。深南電路以MEMS模組類產品向存儲類延伸，產能規模處于國內第一:珠海越亞產品以射頻類為主，產品均價相對較高而產能規模與興森科技相當。產品類型來看，深南電路與興森科技均是國內可量產存儲類封裝基板的廠商。

封裝基板上游原材料：

在基板成本結構中，覆銅板占比最高，占比約35%。

引線框架：

引線框架是一種集成電路芯片載體，并借助于鍵合絲使芯片內部電路引出端（鍵合點）通過內引線實現與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關鍵結構件。

根據生產工藝不同，引線框架分為沖壓型和蝕刻型兩種。按照國際生產經驗，100 腳位以上主要采用蝕刻型生產工藝，100腳位以下主要采用沖壓型生產工藝。

引線框架競爭格局

目前由日本和中國臺灣廠商占據主導地位，日本三井高排名第1，占比12%；中國臺灣長華科技排名第2，占比11%；日本新光電氣排名第3，占比9%；韓國HDS、中國臺灣順德工業、新加坡ASM、中國臺灣界霖科技分列第4-7位，占比分別為8%/7%/7%/4%；中國大陸康強電子排名第8，占比4%。

中國大部分廠商以生產沖壓引線框架為主，在更為高端的蝕刻引線框架方面，僅有康強電子、華洋科技、新恒匯、立德半導體、芯恒創半導體等少數廠商可以生產，與外資廠商相比產能也有所不足，目前中國蝕刻引線框架主要從日韓等進口，自給率較低。

康強電子蝕刻引線框架月產能300萬條，引線框架21年生產量1700億只，鍵和絲1900千克。

引線框架上游原材料：

引線框架上游原材料成本占比中，銅帶占46%，化學材料占27%，白銀占2%，銅帶是引線框架最重要的上游原材料。

強度大于600MPa、硬度HV大于130、電導率（IACS）大于80%，可被認為是較為理想的引線框架材料。目前國內廠商正努力解決高端銅合金材料國產化難題。在Cu-Fe-P系（銅鐵磷）和Cu-Ni-Si系（銅鎳硅）中，國內博威合金、寧波興業等廠商實現了C19400、C70250牌號的量產能力，在高端Cu-Cr-Zr系（鉻鋯銅）方面，博威合金已擁有boway 18150/18160/19010/19005型號產品。

鍵合絲：

鍵合絲是芯片內電路輸入輸出連接點與引線框架的內接觸點之間實現電氣連接的微細金屬絲，直徑為十幾微米到幾十微米。

上游原料主要為黃金、白銀、銅、鋁等金屬。根據材質不同，分為非合金絲和合金絲，非合金絲包括金絲、銀絲、銅絲、鋁絲；合金絲包括鍍金銀線、鍍銅鍵合絲。黃金化學性能穩定、抗氧化、不與酸堿反應，由黃金制成的鍵合金絲延展性好、導電性能佳、可靠性高， 因此是使用最早、用量最大的一類。但由于黃金價格成本較高，鍵合銅絲市占率持續提升。

鍵合絲競爭格局：

中國鍵合絲市場仍主要被德國、韓國、日本廠商占據，本土廠商產品相對單一或低端 。根據CEPEM數據，德國賀利氏占比21%，韓國銘凱益（MKE）占比20%，日本日鐵和田中占比分別為13%和10%。中國廠商一諾電子是本土產能最大的廠商，占比11%，萬生合金、達博有色和銘灃科技占比分別為6%、5%和2%，此外康強電子在鍵合金絲、鍵合銅絲 上也有所布局。

陶瓷基板：

陶瓷基板作為新興的散熱材料，具有優良電絕緣性能，高導熱特性，導熱性與絕緣性都優于金屬基板，更適合功率電子產品封裝，已成為大功率電力電子電路結構技術和互連技術的基礎材料，廣泛應用于LED、汽車電子、航天航空及軍用電子組件、激光等工業電子領域。

根據陶瓷基板的三維結構，可以分為平面陶瓷基板和多層陶瓷基板，LTCC、HTCC屬于是多層陶瓷基板。平面陶瓷基板又可以進一步分為薄膜基板、厚膜基板、陶瓷覆銅基板等，其中陶瓷覆銅基板又可以分為DPC（直接鍍銅）、DBC（直接覆銅）、AMB（活性金屬釬焊）和LAM（激光活化金屬）。

AMB工藝的陶瓷基板熱性能更好、可靠性更高。AMB是在800℃左右的高溫下，含有活性元素 Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金屬的界面潤濕并反應，從而實現陶瓷與金屬異質鍵合，是DBC技術的進化。AMB基板市場規模增長較快，逐漸成為主流。

陶瓷基板競爭格局：

目前AMB陶瓷基板仍主要依賴進口，國內AMB陶瓷基板產能相對較小。國外主要廠商有賀利氏、日本Ferrotec、日本DOWA、日本NGK、日本京瓷、羅杰斯，國內廠商AMB產能較大的有富樂華（日本Ferrotec控股）、博敏電子、威斯派爾等。

博敏電子AMB陶瓷襯板目前具備產能8萬張/月，處于國內前列，后續隨著設備不斷投入及配合相關客戶進行擴產，預計2023年有望達到15-20萬張/月的產能規模。

芯片粘接材料：

芯片粘結材料是采用粘結技術實現芯片與底座或封裝基板連接的材料，在物理化學性能上要滿足機械強度高、化學性能穩定、導電導熱、低固化溫度和可操作性強的要求。主要包括芯片粘接膠水（DAP）、非導電芯片粘接薄膜（DAF）以及導電芯片粘接薄膜（CDAF) 等，其中DAP技術門檻相對較低，DAF技術門檻相對較高，CDAF技術門檻要求最高。

芯片粘接材料競爭格局：

2019年全球芯片粘接材料市場規模約8.7億美元，德國日本廠商占據主導地位。根據CEPEM數據，2019年中國半導體芯片粘接材料主要供應商同樣以德國日本廠商為主。

德邦科技的芯片固晶導電膠等芯片固晶材料產品，覆蓋 MOS、QFN、QFP、BGA 和存儲器等多種封裝形式，已通過通富微電、華天科技、長電科技等國內多家知名集成電路封測企業驗證測試，并實現批量供貨。除公司外，國內供應商僅有長春永固實現產品供貨。

審核編輯 ：李倩