ESD&EOS靜電釋放&過電應(yīng)力

ESD燒損圖示

EOS燒損圖示

FIRST概念定義

ESD

英文全稱：Electrostatic Stress Discharge

中文譯名：靜電釋放

定義：靜電釋放就是靜電從一個(gè)物體突然的，自發(fā)的傳遞到另一個(gè)電位不同的物體的過程。

它是一個(gè)高電壓(1kv~10kv)瞬時(shí)(1ns~100ns)及高電流(1~10Amps)的活動(dòng)。產(chǎn)生的微焦耳級(jí)的能量可以造成硅熔化及氧化層擊穿等失效模式。

ESD大小對(duì)產(chǎn)品的破壞程度：

（從小到大，損傷圖示變化圖）

EOS

英文全稱：Electrostatic Over Stress

中文譯名：過電應(yīng)力

定義：過電應(yīng)力是物體暴露在電流或電壓超出其最大上限值的過程。

通常，是過電壓的情況，低電壓（5~10v）長時(shí)間（1μs~10ms）中等電流（100ma~>1A）的過程。產(chǎn)生的能量是ESD產(chǎn)生能量的幾倍數(shù)量級(jí)，可以造成大范圍的硅熔化及氧化層擊穿及金屬熔化等失效模式。

SECOND失效機(jī)理

ESD

產(chǎn)生原理：

1.由于物理的接觸而帶電。

2. 感應(yīng)起電。

3.摩擦生電。

4.人體靜電。

根據(jù)靜電的產(chǎn)生方式以及對(duì)電路的損傷模式不同常分為以下測(cè)試方式：

1.人體模型(HBM：Human Body Model)

2.機(jī)器模型(MM：Machine Model)

3.帶電器件模型(CDM：Charged Device Model)

EOS

產(chǎn)生原理：

1.電源(AC/DC)?干擾、過電壓。

2.由于測(cè)試程序切換導(dǎo)致的瞬變電流、峰值、低頻干擾。

3.閃電。

4.測(cè)試程序開關(guān)引起的瞬態(tài)脈沖干擾。

5.測(cè)試設(shè)計(jì)欠佳或工作流程不合理。

6.其它設(shè)備的脈沖信號(hào)干擾。

7.由于接地點(diǎn)不夠?qū)е码娏骺焖俎D(zhuǎn)換引起高電壓。

ESD主要失效模型VSEOS主要失效模型

THIRD特征區(qū)分

ESD

·失效集中在小區(qū)域；

·一般不會(huì)造成多個(gè)元件損傷；

·損傷現(xiàn)象在相同芯片中出現(xiàn)是隨機(jī)的。

·若損傷集中于一點(diǎn)，范圍通常較小；

·可見性不強(qiáng)，損壞位置不易發(fā)現(xiàn)；

·通常導(dǎo)致電晶體級(jí)別的損壞。

EOS

·大片區(qū)域的失效；

·短的EOS脈沖損壞看起來像ESD損壞；

·可擴(kuò)散成大片熔化區(qū)域，導(dǎo)致多層損傷，且可能會(huì)有多種損傷同時(shí)發(fā)生；

·損壞現(xiàn)象較明顯，包括金屬線熔化、發(fā)熱、高功率、閂鎖效應(yīng)，甚至造成產(chǎn)品塑封體損傷，如塑封樹脂炭化；

ESD典型圖示

EOS典型圖示

新陽檢測(cè)中心有話說：

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審核編輯黃宇