Linux SPI-NAND 驅(qū)動開發(fā)指南1 概述1.1 編寫目的1.2 適用范圍1.3 相關(guān)人員3 流程設(shè)計3.1 體系結(jié)構(gòu)3.2 源碼結(jié)構(gòu)3.3 關(guān)鍵數(shù)據(jù)定義3.3.1 flash 設(shè)備信息數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)3.3.2 flash chip 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)3.3.3 aw_spinand_chip_request3.3.4 ubi_ec_hdr3.3.5 ubi_vid_hdr3.4 關(guān)鍵接口說明3.4.1 MTD 層接口3.4.1.1 aw_rawnand_mtd_erase3.4.1.2 aw_rawnand_mtd_read3.4.1.3 aw_rawnand_mtd_read_oob3.4.1.4 aw_rawnand_mtd_write3.4.1.5 aw_rawnand_mtd_write_oob3.4.1.6 aw_rawnand_mtd_block_isbad3.4.1.7 aw_rawnand_mtd_block_markbad3.4.2 物理層接口3.4.2.1 aw_spinand_chip_read_single_page3.4.2.3 aw_spinand_chip_erase_single_block3.4.2.4 aw_spinand_chip_isbad_single_block3.4.2.5 aw_spinand_chip_markbad_single_block4 模塊配置4.1 uboot 模塊配置4.2 kernel 模塊配置4.3 env.cfg

Linux SPI-NAND 驅(qū)動開發(fā)指南

1 概述

1.1 編寫目的

介紹 Sunxi SPINand mtd/ubi 驅(qū)動設(shè)計, 方便相關(guān)驅(qū)動和應(yīng)用開發(fā)人員

1.2 適用范圍

本設(shè)計適用于所有 sunxi 平臺

1.3 相關(guān)人員

Nand 模塊開發(fā)人員，及應(yīng)用開發(fā)人員等

2 術(shù)語、縮略語及概念

MTD：（Memory Technology device）是用于訪問存儲設(shè)備的 linux 子系統(tǒng)。本模塊是MTD 子系統(tǒng)的 flash 驅(qū)動部分

UBI：UBI 子系統(tǒng)是基于 MTD 子系統(tǒng)的，在 MTD 上實現(xiàn) nand 特性的管理邏輯，向上屏蔽nand 的特性

壞塊 (Bad Block)：制作工藝和 nand 本身的物理性質(zhì)導(dǎo)致在出廠和正常使用過程中都會產(chǎn)生壞塊

3 流程設(shè)計

3.1 體系結(jié)構(gòu)

NAND MTD/UBI 驅(qū)動主要包括 5 大組件，如下圖：

圖 3-1: UBI 架構(gòu)

說明：

MTD standard interface: 對接 MTD 層通用讀寫接口

FLASH bad block manager: 驅(qū)動層對 flash 壞塊的管理

FLASH SPL: 主要是實現(xiàn)讀寫 boot0、boot1，可用于 ioctl 對boot0、boot1 的升級

SECURESTORAGE：主要是給上層提供私有數(shù)據(jù)的管理 SPI：HOST端控制器層的實現(xiàn)。

3.2 源碼結(jié)構(gòu)

kernel 源碼目錄：linux-5.4/drivers/mtd/awnand/spinand

.

├── Kconfig

├── Makefile

├── physic

│ ├── bbt.c

│ ├── cache.c

│ ├── core.c

│ ├── ecc.c

│ ├── id.c

│ ├── Makefile

│ ├── ops.c

│ └── physic.h

├── secure-storage.c

├── sunxi-common.c

├── sunxi-core.c

├── sunxi-debug.c

├── sunxi-nftl-core.c

└── sunxi-spinand.h

內(nèi)核目錄下

`-- include

`-- linux

`-- mtd

|-- aw-spinand.h

3.3 關(guān)鍵數(shù)據(jù)定義

3.3.1 flash 設(shè)備信息數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)

struct aw_spinand_phy_info {

const char *Model;

unsigned char NandID[MAX_ID_LEN];

unsigned int DieCntPerChip;

unsigned int BlkCntPerDie;

unsigned int PageCntPerBlk;

unsigned int SectCntPerPage;

unsigned int OobSizePerPage;

#define BAD_BLK_FLAG_MARK 0x03

#define BAD_BLK_FLAG_FRIST_1_PAGE 0x00

#define BAD_BLK_FLAG_FIRST_2_PAGE 0x01

#define BAD_BLK_FLAG_LAST_1_PAGE 0x02

#define BAD_BLK_FLAG_LAST_2_PAGE 0x03

int BadBlockFlag;

#define SPINAND_DUAL_READ BIT(0)

#define SPINAND_QUAD_READ BIT(1)

#define SPINAND_QUAD_PROGRAM BIT(2)

#define SPINAND_QUAD_NO_NEED_ENABLE BIT(3)

#define SPINAND_ONEDUMMY_AFTER_RANDOMREAD BIT(8)

int OperationOpt;

int MaxEraseTimes;

#define HAS_EXT_ECC_SE01 BIT(0)

#define HAS_EXT_ECC_STATUS BIT(1)

enum ecc_status_shift ecc_status_shift;

int EccFlag;

enum ecc_limit_err EccType;

enum ecc_oob_protected EccProtectedType;

};

說明：

? Model：flash 的 model 名字

? NandID：flash 的 id 碼

? DieCntPerChip：每 chip 的 die 個數(shù)

? BlkCntPerDie：每 die 有多少個 block

? PageCntPerBlk：每 block 有多少個 page

? SectCntPerPage：每 page 有多少個扇區(qū)

? OobSizePerPage：每 page 的 obb 大小

? BadBlockFlag：壞塊標(biāo)志存放在每個 block 的那個 page 中

BAD_BLK_FLAG_FRIST_1_PAGE

BAD_BLK_FLAG_FIRST_2_PAGE

BAD_BLK_FLAG_LAST_1_PAGE

BAD_BLK_FLAG_LAST_2_PAGE

? OperationOpt：支持的操作

SPINAND_DUAL_READ

SPINAND_QUAD_READ

SPINAND_QUAD_PROGRAM

SPINAND_QUAD_NO_NEED_ENABLE

SPINAND_ONEDUMMY_AFTER_RANDOMREAD

? MaxEraseTimes：最大擦除數(shù)據(jù)

? EccFlag：特性物料讀 ecc status 說需目錄不同

? GD5F1GQ4UCYIG 通過 0Fh + C0h 獲取 ecc status，則無需配置 EccFlag

? MX35LF1GE4AB 通過 7Ch + one dummy byte 獲取 ecc status，則配置 EccFlag = HAS_EXT_ECC_STATUS

? EccType：設(shè)置 ecc 值對應(yīng)的狀態(tài)關(guān)系

? EccProtectedType：在 spare 去選擇收 ecc 保護(hù)的 16byte 作為 oob 區(qū)

例（MX35LF2GE4AD）：

{

.Model = "MX35LF2GE4AD",

.NandID = {0xc2, 0x26, 0x03, 0xff, 0xff, 0xff, 0xff, 0xff},

.DieCntPerChip = 1,

.SectCntPerPage = 4,

.PageCntPerBlk = 64,

.BlkCntPerDie = 2048,

.OobSizePerPage = 64,

.OperationOpt = SPINAND_QUAD_READ | SPINAND_QUAD_PROGRAM | SPINAND_DUAL_READ,

.MaxEraseTimes = 65000,

.EccFlag = HAS_EXT_ECC_STATUS,

.EccType = BIT4_LIMIT5_TO_8_ERR9_TO_15,

.EccProtectedType = SIZE16_OFF4_LEN4_OFF8,

.BadBlockFlag = BAD_BLK_FLAG_FIRST_2_PAGE,

},

?

?

3.3.2 flash chip 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)

struct aw_spinand_chip {

struct aw_spinand_chip_ops *ops;

struct aw_spinand_ecc *ecc;

struct aw_spinand_cache *cache;

struct aw_spinand_info *info;

struct aw_spinand_bbt *bbt;

struct spi_device *spi;

unsigned int rx_bit;

unsigned int tx_bit;

unsigned int freq;

void *priv;

};

此結(jié)構(gòu)定義了 flash chip 層的物理模型數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)以及 chip 層對 flash 的操作接口。

? aw_spinand_chip_ops：flash 讀、寫、擦等操作接口

? aw_spinand_ecc：flash ecc 讀、寫和校驗操作接口

? aw_spinand_cache：對緩存 page 的管理，提高讀寫效率

? aw_spinand_info：flash ID、page size 等信息及獲取信息的操作接口

? aw_spinand_bbt：flash 壞塊表及管理等操作接口

? spi_device：spi 父設(shè)備的操作結(jié)構(gòu)體

? rx_bit：讀狀態(tài)操作標(biāo)志

? tx_bit：寫狀態(tài)操作標(biāo)志

3.3.3 aw_spinand_chip_request

struct aw_spinand_chip_request {

unsigned int block;

unsigned int page;

unsigned int pageoff;

unsigned int ooblen;

unsigned int datalen;

void *databuf;

void *oobbuf;

unsigned int oobleft;

unsigned int dataleft;

};

操作目標(biāo)結(jié)構(gòu)體，改結(jié)構(gòu)體填充我們待操作的 block 的那個 page 的多少偏移的數(shù)據(jù)

databuf/oobbuf

? block：待操作塊

? page：待操作頁

? pageoff：操作偏移

? ooblen：操作 oob 長度

? datalen：操作數(shù)據(jù)長度

? databuf：操作目標(biāo)數(shù)據(jù)

? oobbuf：操作目標(biāo) oob

3.3.4 ubi_ec_hdr

struct ubi_ec_hdr {

__be32 magic;

__u8 version;

__u8 padding1[3];

__be64 ec; /* Warning: the current limit is 31-bit anyway! */

__be32 vid_hdr_offset;

__be32 data_offset;

__be32 image_seq;

__u8 padding2[32];

__be32 hdr_crc;

} __packed;

@magic: erase counter header magic number (%UBI_EC_HDR_MAGIC)

@version: version of UBI implementation which is supposed to accept this UBI image

@padding1: reserved for future, zeroes

@ec: the erase counter

@vid_hdr_offset: where the VID header starts

@data_offset: where the user data start

@image_seq: image sequence number

@padding2: reserved for future, zeroes

@hdr_crc: erase counter header CRC checksum

EC: Erase Count，記錄塊的擦除次數(shù)，在 ubiattach 的時候指定一個 mtd，如果 PEB 上沒有

EC，則用平均的 EC 值，寫入 EC 值只有在擦除的時候才會增加 1

3.3.5 ubi_vid_hdr

struct ubi_vid_hdr {

__be32 magic;

__u8 version;

__u8 vol_type;

__u8 copy_flag;

__u8 compat;

__be32 vol_id;

__be32 lnum;

__u8 padding1[4];

__be32 data_size;

__be32 used_ebs;

__be32 data_pad;

__be32 data_crc;

__u8 padding2[4];

__be64 sqnum;

__u8 padding3[12];

__be32 hdr_crc;

} __packed;

@magic: volume identifier header magic number (%UBI_VID_HDR_MAGIC)

@version: UBI implementation version which is supposed to accept this UBI image(%UBI_VERSION)

@vol_type: volume type (%UBI_VID_DYNAMIC or %UBI_VID_STATIC)

@copy_flag: if this logical eraseblock was copied from another physical eraseblock(for wear-leveling reasons)

@compat: compatibility of this volume(%0, %UBI_COMPAT_DELETE, %UBI_COMPAT_IGNORE,%UBI_COMPAT_PRESERVE, or %UBI_COMPAT_REJECT）

@vol_id: ID of this volume

@lnum: logical eraseblock number

@padding1: reserved for future, zeroes

@data_size: how many bytes of data this logical eraseblock contains

@used_ebs: total number of used logical eraseblocks in this volume

@data_pad: how many bytes at the end of this physical eraseblock are not used

@data_crc: CRC checksum of the data stored in this logical eraseblock

@padding2: reserved for future, zeroes

@sqnum: sequence number

@padding3: reserved for future, zeroes

@hdr_crc: volume identifier header CRC checksum

參數(shù)說明

@sqnum 是創(chuàng)建此 VID 頭時的全局序列計數(shù)器的值。每次 UBI 寫一個新的 VID 頭到 flash 時，全局序列計數(shù)器都會增加，比如當(dāng)它將一個邏輯的 eraseblock 映射到一個新的物理的 erase-block 時。全局序列計數(shù)器是一個無符號 64 位整數(shù)，我們假設(shè)它永遠(yuǎn)不會溢出。@sqnum(序列號) 用于區(qū)分新舊版本的邏輯擦除塊。

有兩種情況，可能有多個物理 eraseblock 對應(yīng)同一個邏輯 eraseblock，即在卷標(biāo)識頭中有相同的 @vol_id 和 @lnum 值。假設(shè)我們有一個邏輯的擦除塊 L，它被映射到物理的擦除塊 P。

因為 UBI 可以異步擦除物理上的擦除塊，所以可能出現(xiàn)以下情況:L 被異步擦除，所以 P 被安排擦除，然后 L 被寫入，即。映射到另一個物理的擦除塊 P1，所以 P1 被寫入，然后不干凈的重啟發(fā)生。結(jié)果-有兩個物理的 eraseblock P 和 P1 對應(yīng)同一個邏輯的 eraseblock L。但是 P1 的序列號更大，所以 UBI 在連接 flash 時選擇 P1。

UBI 不時地將邏輯擦除塊移動到其他物理擦除塊，以達(dá)到損耗均衡的目的。例如，如果 UBI將 L 從 P 移動到 P1，在 P 被物理擦除之前會發(fā)生不干凈的重啟，有兩個物理擦除塊 P 和 P1 對應(yīng)于 L, UBI 必須在 flash 連接時選擇其中一個。@sqnum 字段表示哪個 PEB 是原始的 (顯然 P 的 @sqnum 更低) 和副本。但是選擇具有更高序列號的物理擦除塊是不夠的，因為不干凈的重新引導(dǎo)可能發(fā)生在復(fù)制過程的中間，因此 P 中的數(shù)據(jù)被損壞（P->P1 沒復(fù)制完）。僅僅選擇序號較低的物理擦除塊是不夠的，因為那里的數(shù)據(jù)可能很舊 (考慮在復(fù)制之后向 P1 添加更多數(shù)據(jù)的情況)。此外，不干凈的重啟可能發(fā)生在擦除 P 剛剛開始的時候，所以它會導(dǎo)致不穩(wěn)定的 P，“大部分” 是 OK 的，但仍然有不穩(wěn)定的情況。

UBI 使用 @copy_flag 字段表示這個邏輯擦除塊是一個副本。UBI 還計算數(shù)據(jù)的 CRC，當(dāng)數(shù)據(jù)被移動時，并將其存儲在副本 (P1) 的 @data_crc 字段。因此，當(dāng) UBI 需要從兩個 (P 或 P1)中選擇一個物理擦除塊時，會檢查新塊 (P1) 的 @copy_flag。如果它被清除，情況就簡單了，新的就會被選中。如果設(shè)置了該值，則檢查副本 (P1) 的數(shù)據(jù) CRC。如果 CRC 校驗和是正確的，這個物理擦除塊被選中 (P1)。否則，將選擇較老的 P。如果是靜態(tài)卷，@data_crc 字段包含邏輯擦除塊內(nèi)容的 CRC 校驗和。對于動態(tài)卷，它不包含 CRC 校驗和規(guī)則。唯一的例外情況是，當(dāng)物理擦除塊的數(shù)據(jù)被磨損均衡子系統(tǒng)移動時，磨損均衡子系統(tǒng)計算數(shù)據(jù) CRC，并將其存儲在 @data_crc 字段中。

@used_ebs 字段僅用于靜態(tài)卷，它表示該卷的數(shù)據(jù)需要多少個擦除塊。對于動態(tài)卷，這個字段不被使用并且總是包含 0。

@data_pad 在創(chuàng)建卷時使用對齊參數(shù)計算。因此，@data_pad 字段有效地減少了該卷的邏輯擦除塊的大小。當(dāng)一個人在 UBI 卷上使用面向塊的軟件 (比如，cramfs) 時，這是非常方便的。

LEB 與 PEB

圖 3-2: PEB-LEB

3.4 關(guān)鍵接口說明

3.4.1 MTD 層接口

3.4.1.1 aw_rawnand_mtd_erase

static int aw_rawnand_mtd_erase(struct mtd_info *mtd, struct erase_info *instr)

description：mtd erase interface

@mtd：MTD device structure

@instr：erase operation descrition structure

return：success return 0，fail return fail code

3.4.1.2 aw_rawnand_mtd_read

static int aw_rawnand_mtd_read(struct mtd_info *mtd, loff_t from, size_t len,size_t *retlen, u_char *buf)

description：mtd read interface

@mtd：MTD device structure

@from：offset to read from MTD device

@len： data len

@retlen：had read data len

@buf：data buffer

return：success return max_bitflips，fail return fail code

3.4.1.3 aw_rawnand_mtd_read_oob

static int aw_rawnand_mtd_read_oob(struct mtd_info *mtd, loff_t from, struct mtd_oob_ops *ops)

description：mtd read data with oob

@mtd：MTD device structure

@ops：oob eperation descrition structure

return：success return max_bitflips，fail return fail code

3.4.1.4 aw_rawnand_mtd_write

static int aw_rawnand_mtd_write(struct mtd_info *mtd, loff_t to, size_t len, size_t *retlen, const u_char *buf)

description：mtd write data interface

@to：offset to MTD device

@len：want write data len

@retlen：return the writen len

@buf：data buffer

return：success return 0, fail return code fail

3.4.1.5 aw_rawnand_mtd_write_oob

static int aw_rawnand_mtd_write_oob(struct mtd_info *mtd, loff_t to, struct mtd_oob_ops * ops)

description：write data with oob

@mtd：MTD device structure

@to：offset to MTD device

@ops：oob operation descrition structure

return：success return 0, fail return code fail

3.4.1.6 aw_rawnand_mtd_block_isbad

static int aw_rawnand_mtd_block_isbad(struct mtd_info *mtd, loff_t ofs)

description：check block is badblock or not

@mtd：MTD device structure

@ofs: offset the mtd device start (align to simu block size)

return：true if the block is bad, or false if the block is good

3.4.1.7 aw_rawnand_mtd_block_markbad

static int aw_rawnand_mtd_block_markbad(struct mtd_info *mtd, loff_t ofs)

description：mark block at the given offset as bad block

@mtd：MTD device structure

@ofs：offset the mtd device start

return：success to mark return 0, or fail return fail code.

3.4.2 物理層接口

3.4.2.1 aw_spinand_chip_read_single_page

static int aw_spinand_chip_read_single_page(struct aw_spinand_chip *chip, struct aw_spinand_chip_request *req)

description：Read physics on a page

@chip：See 3.3.2

@req：See 3.3.3

return：zero on success, else a negative error code.

3.4.2.2 aw_spinand_chip_write_single_page

static int aw_spinand_chip_write_single_page(struct aw_spinand_chip *chip, struct aw_spinand_chip_request *req)

description：Write physics on a page

@chip：See 3.3.2

@req：See 3.3.3

return：zero on success, else a negative error code.

3.4.2.3 aw_spinand_chip_erase_single_block

static int aw_spinand_chip_erase_single_block(struct aw_spinand_chip *chip, struct aw_spinand_chip_request *req)

description：Erase physics on a block

@chip：See 3.3.2

@req： See 3.3.3

return：zero on success, else a negative error code.

3.4.2.4 aw_spinand_chip_isbad_single_block

static int aw_spinand_chip_isbad_single_block(struct aw_spinand_chip *chip, struct aw_spinand_chip_request *req)

description：Set to bad block

@chip：See 3.3.2

@req：See 3.3.3

return：zero on success, else a negative error code.

3.4.2.5 aw_spinand_chip_markbad_single_block

static int aw_spinand_chip_markbad_single_block(struct aw_spinand_chip *chip, struct aw_spinand_chip_request *req)

description：Set to bad block

@chip：See 3.3.2

@req：See 3.3.3

return：zero on success, else a negative error code.

4 模塊配置

4.1 uboot 模塊配置

Device Drivers-->Sunxi flash support--> [*]Support sunxi nand devices [*]Support sunxi nand ubifs devices [*]Support COMM NAND V1 interface

如下圖：

圖 4-1: u-boot-spinand-menuconfig

4.2 kernel 模塊配置

Device Drivers->Memory Technology Device(MTD) support-->sunxi-nand

圖 4-2: UBI

圖 4-3: ker_nand-cfg

圖 4-4: ker_spinand

Device Drivers->SPI support

圖 4-5: spi-1

圖 4-6: spi-2

Device Drivers->DMA Engine support

圖 4-7: DMA-1

圖 4-8: DMA-2

Device Drivers->SOC（System On Chip）

圖 4-9: SID

File systems-->Miscellaneous filesystems-->

圖 4-10: menuconfig_spinand_ubifs

4.3 env.cfg

在 env.cfg 中添加修改下值，setargs_nand_ubi 先 copy 一份 setargs_nand 再添加對應(yīng)變量

圖 4-11: build-mkcmd


審核編輯黃宇