您是否正在為具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用設(shè)計(jì)高度創(chuàng)新的混合信號(hào)集成電路，且正在尋找經(jīng)驗(yàn)豐富且可靠的開(kāi)發(fā)和制造合作伙伴？艾邁斯歐司朗提供針對(duì)客戶(hù)和應(yīng)用的特殊標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的廣泛組合，同時(shí)還為合作伙伴提供先進(jìn)的模擬半導(dǎo)體制造支持。艾邁斯歐司朗的全方位代工服務(wù)，為汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用提供多種經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗(yàn)證的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)。

工藝路線(xiàn)圖

艾邁斯歐司朗通過(guò)廣泛的專(zhuān)業(yè)工藝，展示自己在模擬和混合信號(hào)晶圓制造行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。特殊工藝特性和經(jīng)過(guò)優(yōu)化的器件為高效產(chǎn)品設(shè)計(jì)和確保產(chǎn)品高性能提供支持。

艾邁斯歐司朗將經(jīng)過(guò)模擬混合信號(hào)驗(yàn)證的工藝技術(shù)、高精度工藝表征和建模，以及艾邁斯歐司朗的先進(jìn)代工服務(wù)相結(jié)合，能夠滿(mǎn)足客戶(hù)各不相同的業(yè)務(wù)需求。

基礎(chǔ)技術(shù)Base technologies

艾邁斯歐司朗全方位代工服務(wù)的核心技術(shù)包括0.18μm CMOS和BCD、0.35μm數(shù)字和混合信號(hào)CMOS、超低噪聲CMOS、高壓CMOS和SiGe-BICMOS工藝。由于所有基礎(chǔ)工藝都與主要的半導(dǎo)體制造商兼容，因此可以輕松找到替代來(lái)源。

0.18μm CMOS / BCD:

180nm CMOS專(zhuān)業(yè)模擬、混合信號(hào)工藝已轉(zhuǎn)至艾邁斯歐司朗位于奧地利的200mm晶圓廠。C18專(zhuān)業(yè)工藝適用于各種應(yīng)用中的傳感器和傳感器接口器件，如可穿戴設(shè)備、醫(yī)療保健、家居自動(dòng)化、智能汽車(chē)和工業(yè)4.0。

0.18μm CMOS工藝細(xì)節(jié)(C18)*

0.18μm BCD工藝細(xì)節(jié)(BCD18)*

0.35μm數(shù)字和混合信號(hào)CMOS：

艾邁斯歐司朗的0.35μm CMOS工藝系列完全兼容TSMC授權(quán)的0.35μm混合信號(hào)基礎(chǔ)工藝。針對(duì)頻率合成優(yōu)化的高密度CMOS標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)、3層和4層路由可以確保實(shí)現(xiàn)最高門(mén)電路密度。外圍單元庫(kù)支持3.3V和5V電壓，提供出色的驅(qū)動(dòng)能力和ESD性能。可提供合格的數(shù)字宏塊（SPRAM、DPRAM和漫射可編程ROM）。提供各種高性能模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換器，以便集成在同一ASIC中。

0.35μm CMOS工藝細(xì)節(jié)(C35)*

0.35μm光學(xué)CMOS工藝細(xì)節(jié)(C35O)*

針對(duì)CMOS工藝的其他工藝選項(xiàng)：

CMOS-LVT；嵌入式內(nèi)存：NVM、RAM、ROM、OTP

Ultra-low noise CMOS超低噪聲CMOS

艾邁斯歐司朗的高性能模擬低噪聲CMOS工藝(“A30”)提供出色的噪聲性能，通過(guò)采用艾邁斯歐司朗先進(jìn)的0.35μm高壓CMOS工藝系列，光學(xué)面積縮小0.9。

0.30μm高性能模擬超低噪聲CMOS工藝：

A30高性能模擬超低噪聲CMOS工藝以艾邁斯歐司朗先進(jìn)的0.35μm工藝系列為基礎(chǔ)。先進(jìn)的A30工藝采用艾邁斯歐司朗的200mm制造設(shè)施制造，確保非常低的缺陷密度和高成品率。它提供3-4個(gè)金屬層和一套經(jīng)過(guò)超低噪音應(yīng)用和高性能模擬應(yīng)用優(yōu)化的有源器件。

A30工藝還包括一套無(wú)源器件，例如：高電阻聚乙烯和高精度多晶硅電阻、PIP電容以及經(jīng)過(guò)改進(jìn)的MOS變?nèi)萜骱透叩哪M性能。與0.35μ CMOS工藝相比，在掩膜車(chē)間進(jìn)行的光學(xué)面積縮小可額外節(jié)省20%的面積。

0.30μm高性能模擬低噪聲CMOS工藝(A30)*

高壓工藝High voltage processes

艾邁斯歐司朗的高壓工藝平臺(tái)支持0.35μm工藝，針對(duì)復(fù)雜的混合信號(hào)電路（工作條件高達(dá)120V）進(jìn)行優(yōu)化。

除了標(biāo)準(zhǔn)的CMOS晶體管外，還有多種高壓晶體管可供選擇：高壓NMOS、高壓PMOS、高壓DMOS晶體管、N結(jié)FETS、隔離式NPN雙極型晶體管，以及隔離式低壓NMOS晶體管。

高壓和標(biāo)準(zhǔn)器件易于集成到同一芯片中。低功耗和快速的開(kāi)關(guān)速度在汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)中得到廣泛應(yīng)用。計(jì)劃進(jìn)一步應(yīng)用于傳感器的高精密模擬前端。

新工藝系列與艾邁斯歐司朗經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的混合信號(hào)庫(kù)結(jié)合之后，成為高壓設(shè)計(jì)的理想解決方案。

0.35μm高壓CMOS：

艾邁斯歐司朗的“H35”工藝針對(duì)復(fù)雜的混合信號(hào)電路（工作條件高達(dá)120V）進(jìn)行了優(yōu)化。

0.35μm高壓CMOS(H35)*

SiGe BiCMOS process

硅鍺BiCMOS工藝

艾邁斯歐司朗的SiGe-BiCMOS工藝旨在支持具有高性能、低工藝復(fù)雜性的先進(jìn)RF設(shè)計(jì)。

具有低噪聲系數(shù)的高速SiGe HBT晶體管使得設(shè)計(jì)的工作頻率最高可以達(dá)到7GHz，相比采用傳統(tǒng)的CMOS RF工藝的設(shè)計(jì)，其電流消耗大幅降低。

這些先進(jìn)工藝創(chuàng)造出具有高模擬性能（例如高Fmax和低噪聲(NF)）的高速雙極型晶體管、互補(bǔ)型MOS晶體管，極低的寄生線(xiàn)性電容、線(xiàn)性電阻和螺旋電感。針對(duì)所有有源、無(wú)源和寄生器件進(jìn)行表征和建模，由此獲得不同電路模擬器的模擬模型，以便能夠充分利用這些工藝。

嵌入式閃存技術(shù)Embedded flash technology

艾邁斯歐司朗利用0.35μm嵌入式閃存技術(shù)，為汽車(chē)、工業(yè)和消費(fèi)電子應(yīng)用（例如RFID、智能卡、傳感器接口、微控制器應(yīng)用、調(diào)整應(yīng)用等）中的SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）解決方案提供可靠的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器工藝。

具有競(jìng)爭(zhēng)力的高性能工藝技術(shù)

艾邁斯歐司朗為客戶(hù)提供非常有競(jìng)爭(zhēng)力的高性能工藝技術(shù)。這種非常可靠的嵌入式EEPROM/閃存塊使用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的基于PMOS的NVM技術(shù)，在擴(kuò)展溫度范圍內(nèi)提供低功耗操作和高數(shù)據(jù)保持性。

該存儲(chǔ)塊可以作為附加工藝模塊用于0.35μm CMOS和高壓CMOS工藝中，也可以配置為EEPROM塊或閃存，無(wú)需更改工藝。

0.35μm嵌入式EEPROM CMOS工藝(C35EE)*

0.35μm嵌入式EEPROM高壓CMOS工藝(H35EE)*

嵌入式閃存關(guān)鍵特性

嵌入式閃存技術(shù)基于0.35μm CMOS工藝和0.35μm高壓CMOS工藝，提供以下特性：

極高的可靠性（在125°C下數(shù)據(jù)可保持超過(guò)20年，耐久性100k寫(xiě)/讀周期）

耐受高達(dá)170°C高溫（適用于汽車(chē)應(yīng)用）

低功耗

完全可定制的閃存或EEPROM塊

EEPROM存儲(chǔ)塊可以和靜態(tài)RAM一樣訪(fǎng)問(wèn)

采用0.35μm CMOS基礎(chǔ)工藝C35完全模塊化，支持重復(fù)使用數(shù)字庫(kù)和IP區(qū)塊

審核編輯 ：李倩