本文將探討工作條件和損耗增加之間的關系。
損耗因素
此前介紹過在電源電路的很多部位都會產生損耗,整體損耗的構成部分–特定部位的損耗在某些工作條件下會增加。所以需要先認識到工作條件是造成損耗增加的因素之一。下面匯總了與條件相關的造成損耗的因素,同時還給出了損耗的計算公式,這樣可以更明確地理解其關聯性。
隨著負載電流 的增加而增加的損耗因素
?高邊側的MOSFET導通電阻 帶來的傳導損耗
?低邊側的MOSFET導通電阻 帶來的傳導損耗
?電感(線圈)的DCR 帶來的導通損耗
隨著頻率 的提高而增加的損耗因素
?柵極電荷損耗
受負載電流 和頻率
兩者影響的損耗因素
?開關損耗
這些是和電源電路的規格變更和條件變動有關的因素。只要理解了這些關系,就可以明白探討規格和條件變更時的注意要點。
審核編輯:湯梓紅
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
負載電流
+關注
關注
1文章
251瀏覽量
14378 -
電源電路
+關注
關注
48文章
1001瀏覽量
65322 -
損耗
+關注
關注
0文章
198瀏覽量
16073
發布評論請先 登錄
相關推薦
討論DC/DC穩壓器元件的傳導損耗
本帖最后由 liuyongwangzi 于 2018-6-7 10:19 編輯
傳導損耗是由設備寄生電阻阻礙直流電流在DC/DC變換器中的傳導產生的。傳導損耗與占空比有直接關系。
發表于 06-07 10:17
DC/DC穩壓器元件的傳導損耗
數據表中效率的三篇博客文章就全部結束了。現在,你應當能夠理解DC/DC穩壓器設計中不同元件的損耗。根據你的應用需求,你現在可以清楚地確定何時選擇DC
發表于 08-30 14:59
DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉換器死區時間的損耗
上一篇文章中介紹了同步整流降壓轉換器的開關節點產生的開關損耗。本文將探討開關節產生的死區時間損耗。死區時間損耗是指在死區時間中因低邊開關(M
![<b class='flag-5'>DC</b>/<b class='flag-5'>DC</b><b class='flag-5'>評估</b><b class='flag-5'>篇</b><b class='flag-5'>損耗</b><b class='flag-5'>探討</b>-同步整流降壓轉換器死區時間的<b class='flag-5'>損耗</b>](https://file.elecfans.com/web2/M00/92/F5/pYYBAGPzDb6AeI9_AACgABIUDm0288.gif)
DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉換器的控制IC功率損耗
繼上一篇“死區時間損耗”之后,本文將探討控制IC(Controller)自身功耗中的損耗。控制IC的自身功率損耗,在該例中,使用同步整流式控
![<b class='flag-5'>DC</b>/<b class='flag-5'>DC</b><b class='flag-5'>評估</b><b class='flag-5'>篇</b><b class='flag-5'>損耗</b><b class='flag-5'>探討</b>-同步整流降壓轉換器的控制IC功率<b class='flag-5'>損耗</b>](https://file.elecfans.com/web2/M00/92/F6/pYYBAGPzDgGAcjxeAACwZA5hNts521.gif)
DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉換器的柵極電荷損耗
本文將探討功率開關MOSFET的柵極驅動相關的損耗,即下圖的高邊和低邊開關的“PGATE”所示部分。柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg(柵極電荷總量)引起的損耗。
![<b class='flag-5'>DC</b>/<b class='flag-5'>DC</b><b class='flag-5'>評估</b><b class='flag-5'>篇</b><b class='flag-5'>損耗</b><b class='flag-5'>探討</b>-同步整流降壓轉換器的柵極電荷<b class='flag-5'>損耗</b>](https://file.elecfans.com/web2/M00/92/73/poYBAGPzDgSAKFkuAACvrYM4i-Y391.gif)
死區損耗包括哪些損耗
在電力電子領域,同步整流DC-DC變換器因其高效能和低損耗而得到廣泛應用。然而,在實際應用中,死區損耗成為影響變換器性能的重要因素。本文將深入探討
評論