在探討DC/DC轉(zhuǎn)換器的PCB板布局之前,需要了解實(shí)際的印刷電路板中存在寄生電容和寄生電感。它們的影響之大超出想象,即使電路沒錯,因布局而產(chǎn)生無法按預(yù)期工作的情況,往往是因?yàn)閷λ鼈兊目紤]不足。本次就“開關(guān)節(jié)點(diǎn)的振鈴”來驗(yàn)證其主要原因。在設(shè)計實(shí)際的布線圖形時,對寄生成分等的處理無處不在。
本章中還就以下項目進(jìn)行說明,要理解各項目需要參考前后相關(guān)項目,因此下面列出包括計劃在內(nèi)的項目一覽。
降壓型轉(zhuǎn)換器工作時的電流路徑
開關(guān)節(jié)點(diǎn)的振鈴
散熱孔的配置
電感的配置
輸出電容器的配置
反饋路徑的布線
接地
銅箔的電阻和電感
噪聲對策:拐角布線、傳導(dǎo)噪聲、輻射噪聲
噪聲對策:緩沖電路、自舉電阻、柵極電阻
實(shí)際的電路模型和開關(guān)節(jié)點(diǎn)的振鈴
下圖表示同步整流型降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器電路的寄生電容和寄生電感。即藍(lán)色的C和L。在實(shí)際的電路中,存在印刷電路板的寄生電容和寄生電感,開關(guān)ON時及OFF時產(chǎn)生如示意圖所示的高頻振鈴。
印刷布線的電感值每1mm約1nH左右。也就是說,如果布線過長(多余布線),布線電感值將增高。此外,開關(guān)用MOSFET的上升(tr)及下降(tf)時間一般為數(shù)ns。因寄生成分而產(chǎn)生的電壓和電流可通過以下公式計算。
另外,10nH約10mm。看似很小的距離,但電流越大產(chǎn)生的電壓也越大。
此外,由公式可知,MOSFET的tr和tf越短,電流和電壓都越大。tr和tf越快速,過渡損耗越低,可提高效率,但更容易產(chǎn)生振鈴。
振鈴的頻段可按f=1/小時來計算。假設(shè)tr和tf為5ns,則周期可認(rèn)為是10ns,頻段為100MHz,一般的開關(guān)頻率多為500kHz~1MHz,因此產(chǎn)生其100~200倍的高頻。
接下來介紹因本電路模型的寄生成分產(chǎn)生怎樣的電流。首先是高邊MOSFET導(dǎo)通時的示意圖。寄生電容C2被充電,寄生電感L1~L5積蓄能量,當(dāng)開關(guān)節(jié)點(diǎn)的電壓等于VIN時,積蓄于L1~L5的能量與C2產(chǎn)生諧振,發(fā)生較大振鈴。
其次,高邊MOSFET關(guān)斷時,同樣寄生電容C2被充電,寄生電感L1~L5積蓄能量,當(dāng)開關(guān)節(jié)點(diǎn)的電壓幾乎接近GND水平時,積蓄于L1~L5的能量此次與C1產(chǎn)生諧振,發(fā)生較大振鈴。寄生電感中積蓄的能量和諧振頻率可按右下公式進(jìn)行計算。
電感L4由CBYPASS的特性決定。另外,L3和L5受PCB板布局的影響很大。本電路是開關(guān)晶體管外置型的電路示例,使用開關(guān)晶體管內(nèi)置型IC時,L1、L2、C2取決于其IC,為固定值,與PCB板布局無關(guān)。
綜上所述,實(shí)際的印刷電路板中存在電路圖中沒有的成分,因此,比如開關(guān)節(jié)點(diǎn)中如果布局不當(dāng),會隨著開關(guān)而產(chǎn)生較大振鈴,可能導(dǎo)致無法正常工作或噪聲較多等問題。現(xiàn)在應(yīng)該明白關(guān)于PCB板布局經(jīng)常提到的“布線要短”的原因了。后續(xù)將介紹具體的配置和布線方法。
審核編輯:湯梓紅
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