氮化鎵技術是誰突破的技術

作為支撐“新基建”建設的關鍵核心器件，氮化鎵應用范圍非常廣泛，氮化鎵在數據中心，新能源汽車等領域都有運用。那么這么牛的氮化鎵技術是誰突破的技術？

氮化鎵技術是誰突破的技術

氮化鎵技術是由美國物理學家威廉·貝克（William Beck）于1962年突破的技術。（該答案未能證實）

1993年，Nichia公司首先研制成發光亮度超過lcd的高亮度GaInN/AlGaN異質結藍光LED，使用摻Zn的GaInN作為有源層，外量子效率達到2.7%，峰值波長450nm，并實現產品的商品化。

但是在1969年日本科學家Maruska等人采用氫化物氣相沉積技術在藍寶石襯底表面沉積出了較大面積的氮化鎵薄膜，但由于材料質量較差和P型摻雜難度大，曾經被行業內認為沒有什么應用前景。

1993年日亞化學的Nakamura等人用MOCVD方法實現了高質量管理InGaN銦鎵氮外延層的制備。

2014年3月，美國雷聲公司氮化鎵晶體管技術獲得突破，首先完成了歷史性X-波段GaN T/R模塊的驗證；

在2014年，日本名古屋大學和名城大學教授赤崎勇、名古屋大學教授天野浩和美國加州大學圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發明藍光LED而獲得當年的諾貝爾物理獎。

2015年1月，富士通和美國Transphorm在會津若松量產氮化鎵功率器件；

2015年3月，松下和英飛凌達成共同開發氮化鎵功率器件的協議；同月，東芝照明技術公司開發出在電源中應用氮化鎵功率元件的鹵素LED燈泡；

就在不久前，N極性氮化鎵又有新的技術突破，日本住友電工開發了基于GaN單晶N極性HEMT器件，該器件是他們通過在氮化鎵晶體中添加N極性所制成的，可滿足晶體管高輸出、高頻率的需求。按照住友電工的說法這是世界上第一個可用于“后5G”的單晶襯底GaN HEMT。

在半導體材料領域，第一代半導體為“硅”（Si），第二代半導體為“砷化鎵”（GaAs），第三代半導體（又稱“寬能隙半導體”，WBG）是“碳化硅”（SiC）和“氮化鎵”（GaN）。第一代和第二代半導體的硅和砷化鎵是低能隙材料，其值分別為1.12eV和1.43 eV。第三代（寬能隙）半導體 SiC 和 GaN 的能隙分別達到3.2 eV和3.4 eV。因此，在遇到高溫、高電壓和大電流時，與第一代和第二代相比，第三代半導體不會輕易從絕緣變為導電，特性更穩定，能量轉換更好。

氮化鎵技術是一種用于制造半導體器件的技術，它可以提高半導體器件的性能和可靠性。氮化鎵技術可以用于制造晶體管、存儲器、放大器和其他電子元件。它還可以用于制造太陽能電池、光電池和其他光電器件。

氮化鎵技術的優勢在于它可以提高半導體器件的性能和可靠性，并且可以提高半導體器件的功耗。此外，氮化鎵技術還可以提高半導體器件的熱穩定性，從而提高半導體器件的可靠性。

氮化鎵技術的應用未來可期，GaN的應用將繼續擴展至消費者電子等領域，比如更薄的平板顯示器，而且可以減少可充電設備的能源浪費，提升能效。