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相移全橋電路的功率轉換效率提升:效率的評估

石勝厚 ? 來源:香奈兒苦苦奶茶 ? 作者:香奈兒苦苦奶茶 ? 2023-02-13 09:30 ? 次閱讀

相移全橋電路的功率轉換效率提升

針對本系列文章的主題——轉換效率,本文將會給出使用實際電源電路進行評估的結果。具體而言,本文對Q1~Q4的MOSFET使用導通電阻約0.2Ω的五種快速恢復型SJ MOSFET時的結果進行了比較。測試條件為輸入電壓in=390V、輸出電壓Vout=12V、輸出電流Iout=10A~50A、開關頻率fsw=100kHz。

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如圖所示,結果顯示R6020JNX(紅色實線)在整個負載范圍內效率最高。R6020JNX最新一代的PrestoMOS?,具有業內先進的高速trr和優化的寄生電容

此外,與比較對象R6020FNX(相當于上一代產品)和其他MOSFET相比,柵極閾值電壓VGS(th)更高,這會使誤導通導致的直通電流難以流過。通常,當VGS(th)高時,導通損耗會增加,但在PSFB電路中,可以在輕負載時調整Dead Time,在重負載時利用ZVS技術,來減少各自的導通損耗,因此,弱化了高VGS(th)帶來的劣勢。

從這些方面來看,可以說要想提高使用了SJ MOSFET的PSFB電路的效率,選擇trr盡可能小、開關特性優異的SJ MOSFET很重要。

關鍵要點:

?在SJ MOSFET的效率對比中,PrestoMOS?是效率最好的。

?要想提高使用了SJ MOSFET的PSFB電路的效率,重要的是要選擇trr盡可能小、開關特性優異的SJ MOSFET。

審核編輯:湯梓紅

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