關(guān)鍵要點(diǎn)

?新封裝“PMDE”是傳統(tǒng)“PMDU”封裝的改進(jìn)版。

?PMDE與PMDU相比實(shí)際安裝面積減少了約40%，通過(guò)將背面電極擴(kuò)大約1.5倍確保了同等的封裝容許損耗，且安裝強(qiáng)度提高了1.4倍。

關(guān)鍵要點(diǎn)

?PMDE與PMDU相比實(shí)際安裝面積減少了約40%，還確保了同等的封裝容許損耗，且安裝強(qiáng)度提高了1.4倍。

?無(wú)線結(jié)構(gòu)消除了浪涌電流導(dǎo)致斷線的風(fēng)險(xiǎn)，因此實(shí)現(xiàn)了出色的浪涌電流耐受能力（I_FSM）。

?PMDE的結(jié)構(gòu)通過(guò)大面積暴露底部電極，能夠直接有效地將熱量散發(fā)到電路板上。

關(guān)鍵要點(diǎn)

?在PCB實(shí)際安裝狀態(tài)下，隨著銅箔面積的增加，熱量變得更容易擴(kuò)散，因而能夠提高散熱性能。

?如果銅箔面積過(guò)小，PMDE的R_th(j-a)會(huì)比PMDU還大，從而無(wú)法充分發(fā)揮出散熱性能。

?隨著銅箔面積的增加，PMDE的散熱性能提高并會(huì)超過(guò)PMDU。

?PMDE的散熱性能是銅箔面積越厚越能以更小的銅箔面積超過(guò)PMDU。

?即使將銅箔面積增加到超過(guò)所需面積，由于散熱性能飽和也無(wú)法獲得與面積相稱(chēng)的散熱效果，因此應(yīng)采用合適的銅箔面積。

關(guān)鍵要點(diǎn)

?在此次比較評(píng)估中，盡管 PMDE封裝的尺寸更小，但其封裝溫度Tc和效率卻達(dá)到了與PMDU同等的水平。

?如果效率同等，則可以推斷Tj也同等，這表明PMDE雖然尺寸更小，但卻表現(xiàn)出與PMDU同等的散熱性能。

關(guān)鍵要點(diǎn)

?PMDE封裝適用于以SBD為主的眾多機(jī)型。

?未來(lái)，ROHM計(jì)劃將PMDE封裝擴(kuò)大應(yīng)用到FRD、ZD、TVS等產(chǎn)品中。