PMDE與PMDU封裝：外形比較下面是PMDE和PMDU的外形比較圖。新封裝PMDE與傳統(tǒng)的PMDU封裝相比，安裝面積削減了約40%，盡管如此，通過將背電極面積增加1.5倍左右，還是確保了與PMDU同等的封裝容許損耗，而且實裝強度也提高了約1.4倍。

傳統(tǒng)封裝PMDU與新封裝PMDE的外形比較

PMDE與PMDU封裝：內(nèi)部結(jié)構(gòu)和散熱路徑的比較與傳統(tǒng)的PMDU封裝不同，新封裝PMDE對于元件與引線框架之間的電氣連接并未使用金屬絲，而是采用了將元件直接夾在引線框架之間“無線結(jié)構(gòu)”。這種結(jié)構(gòu)消除了由浪涌電流導致斷線的風險，從而實現(xiàn)了出色的浪涌電流耐受性（IFSM）。在后述的SBD產(chǎn)品陣容中，IFSM為20～30A，保證了非常大的值。下面是PMDE與PMDU內(nèi)部結(jié)構(gòu)和散熱路徑的比較。

PMDE與PMDU內(nèi)部結(jié)構(gòu)和散熱路徑的比較

在PMDU的情況下，PMDU的大部分下表面被模塑樹脂覆蓋，因此陰極側(cè)的散熱主要通過引線框架的橫向熱傳導來進行。而PMDE的結(jié)構(gòu)，通過大面積暴露底部電極，能夠直接有效地將熱量散發(fā)到電路板上。綜上所述，PMDE的設(shè)計使得封裝的容許損耗不會因小型化而降低。

關(guān)鍵要點:

?PMDE與PMDU相比實際安裝面積減少了約40%，還確保了同等的封裝容許損耗，且安裝強度提高了1.4倍。 ?無線結(jié)構(gòu)消除了浪涌電流導致斷線的風險，因此實現(xiàn)了出色的浪涌電流耐受能力（IFSM）。 ?PMDE的結(jié)構(gòu)通過大面積暴露底部電極，能夠直接有效地將熱量散發(fā)到電路板上。

審核編輯：湯梓紅