上篇文章聊了MOS管-傳輸特性曲線的細微之處，希望同學們能精準識別三種特性曲線的區別，而不是死記硬背。研究MOS管，一定繞不開一個重要現象——Miller效應，今天我們就一起探討下，一次聊不完，可能會分幾篇來探討。

一個問題

照例，先拋出來一個問題：MOS管的米勒效應，重點是研究哪個電容的影響？為什么是它？

A、Cgs；B：Cgd；C：Cds；D：Cgb(襯底)

其實這個問題回答出是哪個電容并不難，難就難在說清楚為什么是它。

基于分析方法論看米勒效應

網絡上關于米勒效應、米勒平臺的文章很多，隨便一搜就能檢索出來很多。很多文章一上來，就直接說米勒效應、米勒平臺，而沒有說清楚為什么要學習米勒效應。今天我們就換一個維度來切入米勒平臺。

前面在研究MOS管時，我們知道MOS管有Vgs和Vds兩個關鍵變量。當存在多個變量時，我們有一個通用“分析方法論”：為了簡化分析過程，通常是先固定其他變量（讓其他變量等于0或某一固定值），只允許唯一個變量變化。根據上面的方法論，MOS管有兩個變量，共有4種情況需要分析。

回憶下在分析N溝道-增強型-MOS管時，在分析Vgs的影響時，我們假設Vds=0V；在分析Vds的影響時，我們假設Vgs>Vth且不變。

現在，我們把這4種情況再分別討論下：

①條件：Vds=0V，變量：讓Vgs逐漸增大；

==>目的：研究Vgs對導電溝道寬度的控制作用；

結論：Vgs可以有效控制溝道電阻Rds的大小。

④條件：Vgs>Vth且保持在某一數值不變，變量：讓Vds逐漸增大。

==>目的：研究Vds對漏極電流Id的影響；

結論：預夾斷的臨界條件是Vds=Vgs-Vth。VdsVgs-Vth時，飽和區，Id幾乎只受Vgs影響。時，可變電阻區，id是同時受vgs和vds影響；vds>

上述兩種分析情況，在《Rdson對應MOS管的哪個工作區？》文章中做過詳細解說，這里不做贅述。我們把這兩種情況更新到表格中，如下圖：

剩下的兩種情況 ，在教科書上很少提及，我們也分析下：

②條件：Vds>Vgs-Vth且保持在某一數值不變，變量：讓Vgs逐漸增大。

==>目的：研究Cgd對MOS管導通過程的影響；

==>巧不巧，這就是米勒平臺的形成過程！

③條件：Vgs=0V，變量：Vds逐漸增大；

==>MOS管一直處于截止狀態，沒有導電溝道，沒有討論的必要。

所以，Miller效應實際是分析Vgs和Vds兩個變量的影響時必然會遇到的一種情況，至關重要。

為什么是Vds>Vgs-Vth?

細心的同學在看到上述表格后，針對條件②，可能會有個疑問：Vds為什么是大于Vgs-Vth，小于不行么？

確實是個好問題。對于該問題，其中條件①和條件②的區別就在于Vds的數值，前者是漏-源兩極短路，Vds=0V，后者是Vds>Vgs-Vth。

根據MOS管的輸出特性曲線，如果Vds，vds數值較小，那么即便vgs增大到vth及以上，漏極電流id依然是受vds和vgs同時影響，受控關系相對復雜，不便于后續分析。而且測試出來的米勒平臺的波形，由于mos管無法進入飽和區（下圖t1-t2時間段），而呈現出異常波形。下圖紅框內波形肯定是沒有，具體會變成怎樣的波形，需要仿真下才知道。今天篇幅有限，我們后面再進行仿真。<>

所以Vds數值必須大，大到足以讓MOS管進入飽和區（還需要滿足Vgs>Vth），這樣Id可以擺脫Vds的影響，幾乎僅僅取決于Vgs，受控關系單一，便于分析。

為什么是研究Cgd的影響？

細心的同學可能還會問道：為什么目的是研究Cgd的影響，而不是Cgs和Cds呢？

這個問題，算是問到關鍵點上了。

審核編輯：湯梓紅