·推出LPDDR5X后，僅隔兩個月成功開發出速度提高13%的新產品，兼具高速度和低功耗

·采用HKMG工藝實現性能的極大化

·“不斷加緊超前的技術開發，將成為IT領域的游戲規則改變者”

1月25日， SK海力士宣布，公司成功開發出當前速度最快的移動DRAM（內存）“LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)”，并已向客戶提供了樣品。

繼SK海力士在去年11月推出的移動DRAM LPDDR5X*，將其性能提升成功開發出了LPDDR5T。本次產品的速度比現有產品快13%，運行速度高達9.6Gbps（Gb/s）。公司為了強調其超高速度特性，命名時在規格名稱“LPDDR5”上加以“Turbo（渦輪增壓）”作為了后綴。

* LPDDR（低功耗雙倍數據速率）：是用于智能手機和平板電腦等移動端產品的DRAM規格，因以耗電量最小化為目的，具有低電壓運行特征。規格名稱附有“LP（Low Power，低功耗）”，最新規格為第七代LPDDR（5X），按1-2-3-4-4X-5-5X的順序開發而成。LPDDR5T是SK海力士業界首次開發的產品，是第八代LPDDR6正式問世之前，將第七代LPDDR（5X）性能進一步升級的產品。

同時，LPDDR5T在國際半導體標準化組織(JEDEC)規定的最低電壓1.01~1.12V（伏特）下運行。公司強調本次產品兼具了高速度和低功耗的特性。

SK海力士表示：“公司推出每秒8.5Gb速度的LPDDR5X后，僅隔兩個月再次突破了技術局限。今后將供應客戶所需求的多種容量產品，進一步鞏固移動DRAM市場的主導權。”

公司近期向客戶提供了將LPDDR5T芯片組合為16GB(千兆)容量的封裝樣品。該樣品的數據處理速度可達每秒77GB，相當于每秒處理15部全高清（Full-HD）電影。

SK海力士計劃采用第4代10納米級（1a）精細工藝，將于今年下半年推進本次產品的量產。

另外，SK海力士在本次產品中也采用了“HKMG（High-K Metal Gate）”*工藝。公司表示：“本次產品通過采用HKMG工藝技術實現了最佳性能表現。堅信在下一代LPDDR6問世之前，大幅拉開技術差距的LPDDR5T將主導該市場。”

* HKMG（High-K Metal Gate）：在DRAM晶體管內的絕緣膜上采用高K柵電介質，在防止漏電的同時還可改善電容（Capacitance）的新一代工藝。不僅可以提高內存速度，還可降低功耗。SK海力士去年11月在移動DRAM上全球首次采用了HKMG工藝。

IT行業預測，今后在智能手機5G時代，能夠滿足高速度、高容量、低功耗等所有配置的高性能存儲器需求將會增長。在這種趨勢下，SK海力士期待LPDDR5T的應用范圍不僅限于智能手機，還將擴展到人工智能(AI)、機器學習(Machine Learning)、增強/虛擬現實(AR/VR)。

SK海力士DRAM商品企劃擔當副社長柳成洙表示：“公司通過本次新產品的開發，提前滿足了客戶對高速度產品的需求。今后也將致力于開發引領新一代半導體市場的超前技術，成為IT領域的游戲規則改變者。”

審核編輯 ：李倩