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MOSFET驅(qū)動器具有電池反接保護(hù)

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:ADI ? 作者:ADI ? 2023-01-11 10:57 ? 次閱讀

MOSFET 電源開關(guān)驅(qū)動器必須受到電池反接連接保護(hù)。小型整流二極管可以防止電池反接,但對于電池壽命至關(guān)重要的系統(tǒng),這種方法通常是不可接受的。對于6V電池,二極管的正向壓降(典型值為0.6V至0.7V)會產(chǎn)生約10%的恒定功率損耗,該損耗隨著電池電壓的降低而增加。圖中顯示了對單二極管保護(hù)的改進(jìn)。

MOSFET 電源開關(guān)驅(qū)動器必須受到電池反接連接保護(hù)。小型整流二極管可以防止電池反接,但對于電池壽命至關(guān)重要的系統(tǒng),這種方法通常是不可接受的。對于6V電池,二極管的正向壓降(典型值為0.6V至0.7V)會產(chǎn)生約10%的恒定功率損耗,該損耗隨著電池電壓的降低而增加。

圖1顯示了對單二極管保護(hù)的改進(jìn)。一個p溝道MOSFET (Q1)可保護(hù)驅(qū)動器(U1)免受電池反接插入的影響。Q1 的 10mΩ 或更低低導(dǎo)通電阻可產(chǎn)生僅幾毫伏的正向壓降(而二極管則為數(shù)百毫伏)。因此,用MOSFET代替二極管可立即提高效率。

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圖1.一個外部 p 溝道 MOSFET (Q1) 可輕松保護(hù)該 MOSFET 驅(qū)動器 (U1) 免受電池反接和負(fù)載電流反接的影響。

將電池正電壓連接到Q1漏極時,其體二極管中產(chǎn)生正向偏置,使源極電壓比漏極電壓低一個二極管。當(dāng)源電壓超過Q1的閾值電壓時,Q1導(dǎo)通。FET導(dǎo)通后,電池將完全連接到系統(tǒng),并可為U1和負(fù)載供電。

錯誤插入的電池會使體二極管反向偏置。電源保持地電位,柵極接地,因此Q1保持關(guān)斷狀態(tài),斷開反接電池與系統(tǒng)的連接。當(dāng)您向后插入電池時,VDS 等于電池全負(fù)電壓,在某些應(yīng)用中,Q1 可能必須承受電池電壓的許多倍的瞬態(tài)水平。Q1必須能夠承受V一般事務(wù)人員和 VDS電壓至少等于最大電池電壓。

除了電池反接保護(hù)外,圖1電路還可防止啟動時的反向負(fù)載電流。Q3 確保在 U1 使能兩個 n 溝道 MOSFET(Q2 和 Q3)之前沒有負(fù)載電流流動。反向負(fù)載電流可能導(dǎo)致Q1意外導(dǎo)通,使電路不受電池反接保護(hù)。

審核編輯:郭婷

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