一對MOSFET驅(qū)動器IC和一個鐵氧體磁珠變壓器的非正統(tǒng)應(yīng)用產(chǎn)生了一個單通道、隔離的數(shù)字信號耦合器。
光耦合器是在不同接地電平隔離電路之間耦合數(shù)字信號的常用選擇。然而,光耦合器也有缺點。它們最重要的參數(shù),電流傳輸和傳播時間,隨著年齡的增長而變化。它們的靜態(tài)功耗相對較高,對于大多數(shù)類型,速度有限。
圖1是光耦合器設(shè)計的替代方案。這種非正統(tǒng)的方法提供非常低的I/O電容(小于0.5pF),靜態(tài)功耗為零,傳播時間約為10ns,脈寬傳輸能力范圍為30ns至DC。該磁耦合電路利用了兩個MOSFET驅(qū)動器IC(MAX5048A)輸入端的邏輯結(jié)構(gòu),以及這些IC的快速匹配傳播時間。
圖1.這種用于數(shù)字信號的磁耦合電路是光耦合器設(shè)計的替代方案。
除了MAX5048驅(qū)動器的10ns傳播時間外,由于高邊觸發(fā)器柵極,還有10ns的傳播時間。通過使用更快的邏輯可以減少10ns。I/O絕緣柵的擊穿電壓僅取決于用作磁耦合器和電路板結(jié)構(gòu)的鐵氧體磁珠變壓器的絕緣。此外,通過改變單圈磁耦合器中使用的導(dǎo)線絕緣,可以將該電壓提高到幾kV。
磁耦合器是一個鐵氧體磁珠(外徑3.5mm、內(nèi)徑1.3mm和高度3.25mm)變壓器,有兩個繞組,每個繞組一個匝。I/O電容非常小(約0.3 pF),同樣,僅取決于變壓器、電路板設(shè)計和結(jié)構(gòu)。
示波器照片顯示了50ns負輸入脈沖(圖2)和50ns正輸入脈沖(圖3)的傳播延遲,以及相關(guān)的輸入和輸出信號。
圖2.這些波形顯示了圖1中電路的負脈沖輸入的傳播延遲(約25ns)。
通道 1 = 輸入信號
通道 2 = A 側(cè)線圈驅(qū)動器
通道 3 = B 側(cè)線圈驅(qū)動器
通道 4 = 柵極觸發(fā)器的輸出
圖3.這些波形顯示了圖1中電路的正脈沖輸入的傳播延遲(也約為25ns)。
通道 1 = 輸入信號
通道 2 = A 側(cè)線圈驅(qū)動器
通道 3 = B 側(cè)線圈驅(qū)動器
通道 4 = 柵極觸發(fā)器的輸出
與光耦合器電路不同,磁耦合器設(shè)計的初始輸出狀態(tài)在任一極性的第一個輸入信號躍遷發(fā)生之前才能確定。此后,隔離輸出遵循輸入狀態(tài)。輸入信號上升和下降時間必須很快(<10ns)。
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