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為您的智能負載選擇合適的保護

星星科技指導員 ? 來源:ADI ? 作者:ADI ? 2022-12-21 14:49 ? 次閱讀

電子負載需要保護免受停電和波動、感性負載切換和雷擊的影響。在此設計解決方案中,我們回顧了一種集成度低的典型保護解決方案,該解決方案會導致 PC 板空間效率低下和物料清單增加。我們將研究如何開發具有低R的新型集成式、高度靈活的保護ICDS(ON)提供直接、反向電壓和電流保護。這些新型IC具有更小的物料清單和更好的印刷電路板空間利用率,在負載周圍建立了保護周邊,以增強安全性和可靠性。

介紹

保護電路是現代電子產品的無名英雄。 長電動鏈條,從交流線路到數字負載,沒有 物質應用,穿插著保險絲和瞬態 各種尺寸和形狀的電壓抑制器。沿電氣 路徑、電應力源,例如由于以下原因引起的浪涌電流 存儲電容器,停電引起的反向電流, 感性負載引起的過電壓和欠壓 開關或閃電 - 會損壞寶貴的電子負載。 對于構建的微處理器和存儲器來說也是如此。 采用脆弱的亞微米低壓技術。像 舊西部的先驅者繞著馬車轉,有必要 在負載周圍建立保護周界以處理這些 潛在的災難性事件。

此設計解決方案首先回顧了有效 保護方案。隨后,它突出了缺點 典型的保護實施,例如高賬單 材料和PC板尺寸占用。最后,它引入了一個 全新集成、高度靈活的保護IC系列,可 解決這些問題。

典型系統保護

圖2顯示了圍繞 智能負載,例如微處理器。直流-直流 轉換器—帶控制裝置(IC2)、同步 整流場效應管 (T3/ 74) 和相關本征二極管 (D3, D4), 以及輸入和輸出濾波電容器(C在- 乙外)—為微處理器供電。電壓浪涌 來自 48V 電源總線 (V總線),如果直接連接到 V在愿意 對 DC-DC 轉換器造成災難性后果 及其負載。因此,前端電子保護是 必要。這里的保護是通過控制器實現的 (集成電路1),驅動兩個分立式 MOSFET T1和 T2.

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圖2.典型的電子系統和保護。

保護電子設備必須處理故障條件,例如 過壓/欠壓、過流和反向電流 在其額定電壓和電流范圍內流動。如果 預期電壓浪涌超過保護電子設備 這里討論的評級,額外的保護層可以是 添加,以濾波器和瞬態電壓抑制的形式 (TVS) 設備。

過壓保護

如果DC-DC轉換器的最大工作電壓為60V, 保護器 IC 主要由一個 MOSFET 開關組成 (T2),在此操作范圍內關閉并在上方打開 它。相關的本征二極管D2在以下情況下反向偏置 過壓,不起作用。T 的存在1/D1在這種情況下也是無關緊要的,與 T1完全“開啟”。

過流保護

即使輸入電壓被限制在允許的范圍內 操作范圍,問題可能會持續存在。上行電壓 波動會產生高 CdV/dt 浪涌電流,該浪涌電流可能 熔斷保險絲或使系統過熱,降低其可靠性。 因此,保護IC必須配備限流器 機制。

反向電流保護

MOSFET 漏極和源極之間的本征二極管為 MOSFET“導通”時反向偏置,正向偏置 當 MOSFET 電壓極性反轉時。由此可見, T2本身不會阻塞負輸入電壓。這些可以 意外發生,例如,在負瞬態期間 或停電時,當輸入電壓(V總線在圖 2) 中,是 低電平或不存在且 DC-DC 轉換器輸入電容 (C在) 通過本征二極管D為電源總線供電2.要阻止 反向電流,晶體管T1,與其本征二極管一起放置 D1反對負電流流動,是必要的。結果 是兩個 MOSFET 的昂貴背靠背配置,具有 它們的本征二極管相反偏置。

集成背靠背 MOSFET

如果離散,則對背靠背配置的需求是顯而易見的 使用MOSFET,如圖2所示,如果 保護是單片的,即當控制電路 和 MOSFET 集成在單個 IC 中。許多集成 配備反向電流保護的保護IC 利用 單個 MOSFET,具有額外的開關預防措施 器件體二極管,無論 MOSFET 如何,均可反向偏置 極化。此實現方案適用于 5V MOSFET, 在源和 排水。源體和漏極體最大工作電壓 在這里是一樣的。在我們的例子中,高壓MOSFET不是 對稱,只有排水管設計為承受高 相對于身體的電壓。高壓MOSFET的布局 更為關鍵,具有優化 R 的高壓 MOSFETDS(ON)來 只有源短路到身體。底線,高壓 (> 5V)集成解決方案必須采用背靠背 配置也是如此。

電機驅動應用

電機驅動器應用中,直流電機電流由PWM控制 帶 MOSFET 橋式驅動器。在關閉部分期間 PWM控制周期,電流再循環 回到輸入電容,有效地實現能量 恢復方案。在這種情況下,反向電流保護不是 要求。

傳統分立式解決方案

圖3顯示了PC板面積方面的高成本 和物料清單,利用離散實現,如 圖2中的那個(24V在,-100V至+40V保護)。電腦 電路板面積為70mm2.

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圖3.傳統分立式保護(70mm2).

集成解決方案

圖 4 顯示了集成控件和 功率MOSFET在同一IC中,封裝在3mm×3mm中, TDFN-EP 封裝。在這種情況下,PC 板面積占用為 低至分立解決方案的大約 40%(28mm2).

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圖4.集成保護(28mm2)

集成保護系列

MAX17608/MAX17609/MAX17610系列可調 過壓和過流保護器件提供 此類集成解決方案的示例。它具有一個210mΩ的低電阻, 導通電阻集成場效應管設備保護下游 從正負輸入電壓故障到最高 ±60V.過壓鎖定閾值 (OVLO) 可通過 可選外部電阻器,可連接 5.5V 至 60V 之間的任何電壓。 此外,還調整了欠壓鎖定閾值 (UVLO) 可選外部電阻器,電壓介于 4.5V 之間 和 59V。它們具有可編程限流保護功能 高達 1A。限流閾值可通過以下方式編程 將合適的電阻連接到SETI引腳。The MAX17608 MAX17610阻斷反向電流,而 MAX17609允許電流反向流動。 這些器件還具有熱關斷保護功能,可防止 內部過熱。它們采用小型 12 引腳 (3mm × 3毫米)TDFN-EP封裝。這些器件的工作溫度范圍為 -40°C 至 +125°C 擴展溫度范圍。

結論

電子負載需要保護免受電源影響 中斷和波動、感性負載切換以及 閃電。我們回顧了一個典型的保護解決方案,其 集成度低,導致效率低下 的 PC 板空間和高物料清單。一個新的家庭 集成、高度靈活、低 RDS(ON)保護 IC 提供 直接和反向電壓和電流保護,帶 最小物料清單和 PC 板空間占用。 對于MAX17608、MAX17609和MAX17610,“貨車”是 緊密地圈起來,在負載周圍建立保護周邊 增強的安全性和可靠性。

審核編輯:郭婷

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