賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元（訪問時間高達20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個工作范圍內具有20年的數據保留。具有控制器的典型NV-SRAM接口如圖1所示。

圖1.帶微控制器的NV-SRAM接口

高速SRAM單元提供了非常高速的讀寫訪問，并且可以像標準SRAM中一樣無限次地寫入或讀取NV-SRAM。

如果斷電則利用存儲在與NV-SRAM的VCAP引腳相連的小電容器中的電荷將SRAM中保存的數據傳輸到與每個SRAM單元集成的非易失性元件。

NV-SRAM VCAP引腳上需要的電容器只有幾十μF，典型值為68 μF（有關VCAP的允許范圍，并在上電期間通過內部充電電路進行充電。

VCAP上存儲的電荷足以在掉電期間將SRAM數據復制到非易失性元件（稱為存儲操作）。

此存儲操作對應用程序是透明的，因為當VCC電源在閾值水平（VSWITCH）以下故障時會自動執行該存儲操作。

數據從SRAM到集成非易失性元件的并行傳輸意味著存儲（將SRAM數據傳輸到非易失性元件）所花費的時間等于一次EEPROM寫（字節寫或頁寫）操作。

上電時非易失性數據會自動傳送回SRAM，這稱為RECALL操作。這使NV-SRAM成為真正的非易失性存儲器，可以在斷電時將數據保存在其非易失性元素中，而無需任何外部電源備份，例如電池或Supercaps。

NV-SRAM中的STORE和RECALL操作也可以通過軟件命令按需執行。 NV-SRAM具有許多其他功能，新應用程序可以使用這些功能。

與其他現有電路解決方案相比，賽普拉斯的NV-SRAM提供了最快，最可靠的非易失性解決方案。

審核編輯：劉清