一、破局進(jìn)口品牌壟斷

現(xiàn)階段半導(dǎo)體市場(chǎng)，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷，并存在價(jià)格高、交付周期長(zhǎng)等問題，為填補(bǔ)國(guó)內(nèi)該項(xiàng)系列產(chǎn)品的市場(chǎng)空白，瑞森半導(dǎo)體采用新型的橫向變摻雜技術(shù)，利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設(shè)計(jì)，研發(fā)出電壓更高、導(dǎo)通內(nèi)阻更低的超高壓系列MOS管，打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面。

二、產(chǎn)品應(yīng)用及特點(diǎn)

超高壓的器件主要應(yīng)用場(chǎng)景為音響電源、變頻器電源、逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換、工業(yè)三相智能電表、LED照明驅(qū)動(dòng)等輔助電源。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

1.新型的橫向變摻雜技術(shù)、超高電壓，超小內(nèi)阻；

2.散熱性能好，高溫漏電小，高溫電壓跌落小；

3.開關(guān)速度較低，具有更好的EMI兼容性；

4.產(chǎn)品性能高，可實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)口。

三、產(chǎn)品型號(hào)匹配應(yīng)用

瑞森半導(dǎo)體超高壓MOSFET-RS9N90F產(chǎn)品匹配：

可替代國(guó)外品牌多個(gè)產(chǎn)品型號(hào)，如：意法STF9NK90Z， ON安森美FQPF9N90C。

超高壓MOSFET-RS9N90F漏源擊穿電壓高達(dá)900V，漏極電流最大值為9A，適用于LED照明驅(qū)動(dòng)電源、變頻器電源、音響電源等。

RS9N90F的開啟延遲典型值為50nS，關(guān)斷延遲時(shí)間典型值為86nS，上升時(shí)間65nS，下降時(shí)間34nS，反向傳輸電容4pF，反向恢復(fù)時(shí)間550nS，正向電壓的最大值為1V。其導(dǎo)通阻抗典型值為1.2Ω，最大功耗為68W，最大結(jié)溫為150℃。此產(chǎn)品的儲(chǔ)存溫度在-55℃到150℃，可適用于大部分環(huán)境。

瑞森半導(dǎo)體超高壓MOSFET-RS3N150F產(chǎn)品匹配：

N溝道MOSFET--RS3N150F漏源擊穿電壓高達(dá)1500V，漏極電流最大值為3A，適用于逆變器、工業(yè)三相智能電表、DC-DC轉(zhuǎn)換等，可以替代3N150等型號(hào)參數(shù)的場(chǎng)效應(yīng)管。例如，在工業(yè)三相智能電表上主要運(yùn)用AC 380V變頻器反激式輔助電源其特點(diǎn)：

該MOS管VDS電壓1500V，在550V電壓上需留有1.5-2.5倍的余量，以2.5倍最高耐壓余量計(jì)算就是需要耐壓1375V，故需要應(yīng)用到1500V耐壓的MOS管，而RS3N150F耐壓VDS電壓為1500V滿足應(yīng)用需求；

其導(dǎo)通電阻為典型值5.5Ω，可降低導(dǎo)通損耗，降低輸入電源功耗；續(xù)漏極電流在25℃時(shí)最大額定值為3A，一般輔助電源功率在10幾V，電流余量可滿足功率需求，同時(shí)最大結(jié)溫為150℃，存儲(chǔ)溫度范圍均為-55℃到150℃，符合工業(yè)級(jí)溫度范圍，可完全適用于工業(yè)市場(chǎng)。

四、典型應(yīng)用拓?fù)鋱D

五、瑞森半導(dǎo)體產(chǎn)品推薦

RS3N150F的VDS電壓是1500V，完全適合母線電壓高達(dá)800V的使用場(chǎng)景，并留有足夠的防擊穿余量，同時(shí)瑞森半導(dǎo)體還推薦如下產(chǎn)品選型：

審核編輯：湯梓紅