濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。尤其是在對氧化物去除殘留與表皮剝離的刻蝕中，比干法刻蝕更為有效和經(jīng)濟(jì)。濕法刻蝕的對象主要有氧化硅、氮化硅、單晶硅或多晶硅等。濕法刻蝕氧化硅通常采用氫氟酸（HF）為主要化學(xué)載體。為了提高選擇性，工藝中采用氟化銨緩沖的稀氫氟酸。為了保持 pH 值穩(wěn)定，可以加入少量的強(qiáng)酸或其他元素。摻雜的氧化硅比純氧化硅更容易腐蝕。濕法化學(xué)剝離( Wet Removal）主要是為了去除光刻膠和硬掩模（氮化硅）。熱磷酸 （H3PO4）是濕法化學(xué)剝離去除氮化硅的主要化學(xué)液，對于氧化硅有較好的選擇比。在進(jìn)行這類化學(xué)剝離工藝前，需要將附在表面的氧化硅用 HF 酸進(jìn)行預(yù)處理，以便將氮化硅均勻地清除掉。

濕法清洗與濕法刻蝕類似，主要是通過化學(xué)反應(yīng)去除硅片表面的污染物，包括顆粒、有機(jī)物、金屬和氧化物。主流的濕法清洗就是濕化學(xué)法。雖然干法清洗可以替代很多濕法清洗，但是目前尚未找到可以完全取代濕法清洗的方法。濕法清洗常用的化學(xué)品有硫酸、鹽酸、氫氟酸、磷酸、過氧化氫、氫氧化銨、氟化銨等，在實(shí)際應(yīng)用中視需要以一種或多種化學(xué)品按照一定比例與去離子水調(diào)配組成清洗液，如 SC1、SC2、DHF、BHF 等。

清洗常用于氧化膜沉積前工藝，因為氧化膜的制備必領(lǐng)在絕對清潔的硅片表面上進(jìn)行。常見的硅片清洗流程見下表 。

1970 年，由美國無線電公司的 W. Kern 和D.Puotinen 提出了 RCA 濕法清洗方法。在這種方法中，1號清洗液(RCA1 或 SC1）是堿性溶液，能去除表面顆粒物和有機(jī)物質(zhì)；2號清洗液（RCA2 或 SC2）是酸性溶液，能去除表面金屬污染物和顆粒。近年來，清洗技術(shù)在霧化蒸汽清洗( Vapor Clean)、超聲波輔助清洗等新技術(shù)支撐下，在高端芯片制造工藝中獲得了更廣泛的應(yīng)用。

審核編輯 ：李倩