NP2312MR n溝道增強型MOSFET概述
描述
NP2312使用先進的海溝技術提供優秀的RDS(上)、低門和收費操作門電壓2.5 v。這 設備適用于作為負荷開關或脈寬調制應用程序。
一般特征
? VDS =20V，ID = 6
DS(上)(Typ) = 13.5 m? @VGS = 4.5 v
R DS(上)(Typ) = 17 m? @VGS= 2.5 v
? High 功率 和 電流 處理 能力
應用程序
? PWM 應用 程序
? Load 開關
封裝
? SOT-23-3L
原理圖
標記和引腳分配
訂購信息
典型的性能特征
審核編輯：湯梓紅
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
147文章
7242瀏覽量
214278 -
PWM
+關注
關注
114文章
5198瀏覽量
214900 -
RDS
+關注
關注
0文章
103瀏覽量
16905
發布評論請先 登錄
相關推薦
AP2222D 20V N溝道增強型MOSFET
銓力授權一級代理商 AP2222D 20V N溝道增強型MOSFET
描述：
AP2222D采用先進的溝槽技術
可提供出色的RDS（ON）
低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作
該器
發表于 10-08 11:34
P溝道增強型場效應管有哪些特點
P溝道增強型場效應管（P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱P-MOSFET）是一種基于
簡單認識P溝道增強型場效應管
P溝道增強型場效應管，簡稱P-MOSFET（P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
N溝道增強型MOSFET的優缺點
N溝道增強型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管）作為現代電子技術中的關鍵元件
N溝道增強型MOSFET的基本結構和工作原理
N溝道增強型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管）作為半導體器件的重要組成部分
N溝道增強型MOSFET的優缺點是什么
N溝道增強型MOSFET（N-Channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Fiel
mos管怎么區分增強型和耗盡型
（Channel）隔離。通過在柵極上施加電壓，可以控制溝道中的電荷濃度，從而控制器件的導電能力。 2. 增強型MOSFET（
mos管增強型與耗盡型的區別是什么
MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件，具有高輸入阻抗、低驅動功率和良好的線性特性等優點。根據導電溝道的形成方式，MOSFET可以分為增強型
工商網監
評論