我們測量了硅化物膜(CoSi2、NiSi2、TiSi2和WSi)的濺射刻蝕速率，并研究了離子能量的依賴性，發(fā)現(xiàn)它們與二氧化硅薄膜的相對濺射刻蝕速率幾乎與濺射離子能量無關(guān)，從相對濺射蝕刻速率和計算的Ni和Si的截面比率來估計Ni的表面結(jié)合能，并發(fā)現(xiàn)由相對濺射刻蝕速率決定的表面結(jié)合能與眾所周知的值一致。

薄膜(Cosi2，Nisi2，Tisi2，WSi)通過濺射方法在n型Si (100)基板上沉積約200 納米，這些是由表面分析研究組提供的，它是多晶的，所以說一個的深度是用一個臺階總和來衡量的。

由本實驗求出的鎳對硅的相對濺射蝕刻速率的離子能量依賴性，用最小二乘法擬合核可阻止截面積比和濺射蝕刻速率，得到硅的離子能量依賴性，根據(jù)這些結(jié)果，可以認為通過實測不知道表面鍵能的物質(zhì)、表面鍵能和原子密度已知的物質(zhì)和相對濺射蝕刻速率，計算核阻止能截面積的比，可以推測某物質(zhì)的表面鍵能。

測量濺射坑的深度，并且測量硅化物薄膜的濺射蝕刻速率，并且檢查這些樣品的相對蝕刻速率對SiO2的能量依賴性，可以發(fā)現(xiàn)，硅化物薄膜相對于SiO2的相對蝕刻速率具有很小的能量依賴性，如從核阻擋能力橫截面積的計算中所預(yù)期的，并且能量依賴性放松是實際的優(yōu)點，因為它可以估計尚未測量的能量下的值，此外，樣品的近似表面結(jié)合能可以從相對濺射蝕刻速率和核阻擋能力截面比來估計。

審核編輯：湯梓紅