吴忠躺衫网络科技有限公司

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

創(chuàng)新型封裝如何推動(dòng)提高負(fù)載開(kāi)關(guān)中的功率密度

21克888 ? 來(lái)源:廠商供稿 ? 作者:德州儀器(TI) ? 2022-04-26 22:54 ? 次閱讀

智能手機(jī)到汽車(chē),消費(fèi)者要求將更多功能封裝到越來(lái)越小的產(chǎn)品中。為了幫助實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),TI 優(yōu)化了其半導(dǎo)體器件(包括用于子系統(tǒng)控制和電源時(shí)序的負(fù)載開(kāi)關(guān))的封裝技術(shù)。封裝創(chuàng)新支持更高的功率密度,從而可以向每個(gè)印刷電路板上安裝更多半導(dǎo)體器件和功能。

晶圓級(jí)芯片封裝方式 (WCSP)

目前,尺寸最小的負(fù)載開(kāi)關(guān)采用的是晶圓級(jí)芯片封裝方式 (WCSP)。圖1展示了四引腳WCSP器件的示例。

圖 1:四引腳 WCSP 器件

WCSP技術(shù)使用硅片并將焊球連接到底部,可讓封裝尺寸盡可能小,并使該技術(shù)在載流能力和封裝面積方面極具競(jìng)爭(zhēng)力。由于WCSP盡可能減小了外形尺寸,用于輸入和輸出引腳的焊球數(shù)量將會(huì)限制負(fù)載開(kāi)關(guān)能夠支持的最大電流。

采用引線鍵合技術(shù)的塑料封裝

需要更高電流的應(yīng)用或工業(yè)PC這樣的更嚴(yán)苛的制造工藝需要采用塑料封裝。圖2展示了采用引線鍵合技術(shù)的塑料封裝實(shí)現(xiàn)。

圖 2:標(biāo)準(zhǔn)引線鍵合 Quad-Flat No Lead (QFN) 封裝

QFN或Small-Outline No Lead (SON) 封裝使用引線鍵合技術(shù)將芯片連接到引線,從而在為自發(fā)熱提供良好散熱特性的同時(shí),讓更大電流從輸入端流向輸出端。但引線鍵合塑料封裝需要為鍵合線本身提供大量空間,與芯片尺寸本身相比,需要更大的封裝。鍵合線還可增加電源路徑的電阻,從而增加負(fù)載開(kāi)關(guān)的總體導(dǎo)通電阻。在這種情況下,折衷方案是在更大尺寸和更高功率支持之間進(jìn)行平衡。

塑料HotRod封裝

雖然WCSP和引線鍵合封裝都有其優(yōu)點(diǎn)和限制,但TI的HotRod QFN負(fù)載開(kāi)關(guān)結(jié)合了這兩種封裝技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。圖3展示了HotRod封裝的分解圖。

圖 3:TI HotRod QFN結(jié)構(gòu)和芯片連接

這些無(wú)引線塑料封裝使用銅柱將芯片連接到封裝,因?yàn)檫@種方法比鍵合線需要的空間小,從而可以盡可能減小封裝尺寸。銅柱還支持高電流電平,并且為電流路徑增加的電阻極小,允許單個(gè)引腳傳輸高達(dá)6A的電流。

表1通過(guò)比較TPS22964C WCSP、TPS22975引線鍵合SON和TPS22992負(fù)載開(kāi)關(guān),說(shuō)明了這些優(yōu)點(diǎn)。

產(chǎn)品和封裝類(lèi)型 TPS22964C WCSP TPS22975引線鍵合SON TPS22992 HotRod封裝
輸入電壓 1 V 至 5.5V 0.6 V 至 5.7 V 0.1 V 至 5.5V
電流最大值 3 A 6 A 6 A
導(dǎo)通電阻 13m? 16m? 8.7m?
可調(diào)上升時(shí)間
電源正常信號(hào)
可調(diào)快速輸出放電
解決方案尺寸 1.26mm2 4mm2 1.56mm2

表 1:各種負(fù)載開(kāi)關(guān)解決方案的比較

雖然TPS22975引線鍵合SON器件也可支持6A電流,但實(shí)現(xiàn)這一電流電平需要使用兩個(gè)引腳來(lái)提供輸入和輸出電壓,這會(huì)限制其他功能的數(shù)量,例如電源正常和可調(diào)上升時(shí)間。鍵合線還可增加器件的導(dǎo)通電阻,從而限制最大電流。

WCSP負(fù)載開(kāi)關(guān)是這三種解決方案中最小的,但其受限的引腳使其具有的功能最少,支持的電流最低。

結(jié)語(yǔ)

TPS22992負(fù)載開(kāi)關(guān)結(jié)合了WSCP和SON的優(yōu)點(diǎn),既具有WCSP解決方案尺寸小巧的優(yōu)點(diǎn),也具有引線鍵合SON解決方案的大電流支持和額外功能。TI的 TPS22992和TPS22998負(fù)載開(kāi)關(guān)使用HotRod封裝優(yōu)化小解決方案尺寸,同時(shí)支持大電流、低導(dǎo)通電阻和許多器件功能。

其他資源

·閱讀技術(shù)白皮書(shū)“何時(shí)將開(kāi)關(guān)改為集成的負(fù)載開(kāi)關(guān)”。

·閱讀應(yīng)用報(bào)告“負(fù)載開(kāi)關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)”,了解有關(guān)負(fù)載開(kāi)關(guān)的更多信息

·閱讀電子書(shū)“11種保護(hù)電源路徑的方法”,了解設(shè)計(jì)技巧。

·閱讀應(yīng)用報(bào)告“增強(qiáng)型HotRod QFN封裝:在業(yè)界超小的4A轉(zhuǎn)換器中實(shí)現(xiàn)低EMI性能”。

·查看TI的QFN和WCSP封裝解決方案。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 智能手機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    66

    文章

    18550

    瀏覽量

    181057
  • 系統(tǒng)控制
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    33

    瀏覽量

    16264
  • 汽車(chē)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    13

    文章

    3602

    瀏覽量

    37656
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    一種新型正激高功率密度逆變器

    一種新型正激高功率密度逆變器
    發(fā)表于 04-08 15:43

    一種新型正激高功率密度逆變器

    本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 編輯 一種新型正激高功率密度逆變器
    發(fā)表于 04-08 16:29

    如何在高功率密度模塊電源中實(shí)現(xiàn)低損耗設(shè)計(jì)

    ,高功率密度的電源模塊多采用國(guó)際流行的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,產(chǎn)品兼容性更廣。其次,產(chǎn)品的同等功率體積重量大大縮小,只有傳統(tǒng)產(chǎn)品的四分之一。第三,技術(shù)指標(biāo)有重大改善,特別是效率提高到90%.第四
    發(fā)表于 01-25 11:29

    對(duì)更高功率密度的需求推動(dòng)電動(dòng)工具創(chuàng)新解決方案

    )5mm×6mm FET這類(lèi)更新的方形扁平無(wú)引線(QFN)封裝在硅片和源極管腳之間能提供更小的封裝電阻。單位面積的電阻較小意味著單位面積的傳導(dǎo)損耗較少,也意味著更高的電流能力和更高的功率密度。因此
    發(fā)表于 08-21 14:21

    什么是功率密度?如何實(shí)現(xiàn)高功率密度

    什么是功率密度功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度
    發(fā)表于 03-11 06:51

    什么是功率密度?限制功率密度的因素有哪些?

    什么是功率密度?限制功率密度的因素有哪些?
    發(fā)表于 03-11 08:12

    如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度

    如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度
    發(fā)表于 04-25 07:40

    提高開(kāi)關(guān)電源功率密度和效率的方法

    開(kāi)關(guān)型電源(SMPS)在通常便攜式計(jì)算機(jī)中占總重量的10%以上,因此,廠商們致力于提高功率密度和效率。
    發(fā)表于 10-02 16:23 ?6798次閱讀

    封裝技術(shù)在負(fù)載開(kāi)關(guān)中的應(yīng)用

    從智能手機(jī)到汽車(chē),消費(fèi)者要求將更多功能封裝到越來(lái)越小的產(chǎn)品中。為了幫助實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),TI 優(yōu)化了其半導(dǎo)體器件(包括用于子系統(tǒng)控制和電源時(shí)序的負(fù)載開(kāi)關(guān))的封裝技術(shù)。
    的頭像 發(fā)表于 04-27 09:26 ?1710次閱讀

    創(chuàng)新型封裝如何推動(dòng)提高負(fù)載開(kāi)關(guān)中功率密度

    從智能手機(jī)到汽車(chē),消費(fèi)者要求將更多功能封裝到越來(lái)越小的產(chǎn)品中。為了幫助實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),TI 優(yōu)化了其半導(dǎo)體器件(包括用于子系統(tǒng)控制和電源時(shí)序的負(fù)載開(kāi)關(guān))的封裝技術(shù)。
    發(fā)表于 04-29 17:16 ?0次下載

    如何提高器件和系統(tǒng)的功率密度

    功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
    的頭像 發(fā)表于 05-31 09:47 ?2490次閱讀
    如何<b class='flag-5'>提高</b>器件和系統(tǒng)的<b class='flag-5'>功率密度</b>

    如何提高系統(tǒng)功率密度

    功率器件領(lǐng)域,除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外,材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來(lái)巨大的性能提升。比如,在談?wù)?b class='flag-5'>功率密度時(shí),GaN(氮化鎵)憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢(shì),能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 05-18 10:56 ?1327次閱讀
    如何<b class='flag-5'>提高</b>系統(tǒng)<b class='flag-5'>功率密度</b>

    提高4.5kV IGBT模塊的功率密度

    提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
    的頭像 發(fā)表于 11-23 15:53 ?1034次閱讀
    <b class='flag-5'>提高</b>4.5kV IGBT模塊的<b class='flag-5'>功率密度</b>

    使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

    使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
    的頭像 發(fā)表于 12-01 16:35 ?559次閱讀
    使用集成 GaN 解決方案<b class='flag-5'>提高</b><b class='flag-5'>功率密度</b>

    TPS25981-提高功率密度

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS25981-提高功率密度.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 08-26 09:34 ?1次下載
    TPS25981-<b class='flag-5'>提高</b><b class='flag-5'>功率密度</b>
    百家乐庄闲排| 棋牌休闲游戏| 做生意门口朝向| 百家乐官网投注外围哪里好| 百家乐官网楼梯缆| 百家乐官网游戏程序出售| 百家乐官网庄闲规则| 海门市| 梁平县| 联兴棋牌| 昭平县| 呼伦贝尔市| 林周县| 伊通| 烟台市| 黑山县| 百家乐官网是骗人的| 永利百家乐官网开户| 百家乐官网是赌博吗| 圣淘沙百家乐官网游戏| 百家乐官网是否有路子| 百家乐官网娱乐分析软| 承德市| 百家乐官网下注平台| 百家乐官网开户送十元| 百家乐官网高人玩法| 百家乐官网必胜软件下载| 7人百家乐官网桌子| 澳门百家乐官网技巧| 钱隆百家乐官网软件| 百家乐官网的规则玩法 | 视频百家乐官网信誉| 百家乐官网稳赢技法| 尊龙百家乐官网娱乐平台| 百家乐官网www| 百家乐官网博乐城| 木星百家乐官网的玩法技巧和规则 | 百家乐玩法窍门| 百家乐机器手怎么做弊| 如何玩百家乐游戏| 红桃K百家乐的玩法技巧和规则|