吴忠躺衫网络科技有限公司

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

第三代半導(dǎo)體襯底材料供應(yīng)商 中圖科技科創(chuàng)板IPO進(jìn)入已問詢狀態(tài)

Carol Li ? 來源:電子發(fā)燒友整理 ? 作者:李彎彎 ? 2021-04-22 18:26 ? 次閱讀

4月21日,上海證券交易所網(wǎng)站顯示,廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司(簡稱“中圖科技”)科創(chuàng)板IPO進(jìn)入已問詢狀態(tài)。

中圖科技是一家面向藍(lán)寶石上氮化鎵(GaN on Sapphire)半導(dǎo)體技術(shù)的專業(yè)襯底材料供應(yīng)商。公司根據(jù)不同的LED芯片應(yīng)用領(lǐng)域及其外延技術(shù)特征進(jìn)行適配的襯底材料開發(fā),通過圖形化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、不同材料組合應(yīng)用、工藝制程實(shí)現(xiàn)等,為GaN LED芯片提供襯底材料綜合解決方案。


目前,公司主要產(chǎn)品包括2至6英寸圖形化藍(lán)寶石襯底(PSS)、圖形化復(fù)合材料襯底(MMS),主要應(yīng)用于照明、顯示、背光源、Mini/Micro LED、深紫外 LED 等領(lǐng)域。


報(bào)告期內(nèi),公司主營業(yè)務(wù)收入按產(chǎn)品分類如下:


公司本次發(fā)行募集資金在扣除發(fā)行費(fèi)用后將全部用于投資以下項(xiàng)目:


全球市場占有率約 29.69% 位于第一梯隊(duì)

氮化鎵(GaN)材料是第三代半導(dǎo)體的代表,其具有出色的抗擊穿能力,耐受更高的電子密度,有更高的電子遷移率,在半導(dǎo)體中通常用于光電子、微波射頻電力電子三大領(lǐng)域。

GaN 產(chǎn)業(yè)鏈一般劃分為上游的材料即襯底和外延片、中游的器件和模組、下游的系統(tǒng)和應(yīng)用。GaN 材料的應(yīng)用,主要包括襯底制備和外延工藝兩個(gè)環(huán)節(jié)。襯底是制作半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)材料,一般為外延材料的同質(zhì)材料或適配的異質(zhì)材料制成的晶圓片。半導(dǎo)體行業(yè)的外延概念,是指在襯底上生長一層新單晶薄膜的過程,新單晶薄膜可以與襯底為同質(zhì)材料,也可以是異質(zhì)材料。經(jīng)過外延生長環(huán)節(jié)制成的外延片,是半導(dǎo)體器件制造的基礎(chǔ)原材料。

藍(lán)寶石是目前 GaN 器件使用量最大、最成熟的襯底材料,通過藍(lán)寶石襯底制造的 GaN 器件通常被歸類為藍(lán)寶石上氮化鎵技術(shù)產(chǎn)品(GaN on Sapphire),大部分光電應(yīng)用的 GaN 器件都是通過藍(lán)寶石襯底外延 GaN 制造的。GaN 半導(dǎo)體器件的另外兩種常用襯底是 Si 和 SiC,通常稱為 GaN-on-Si(硅基氮化鎵)和 GaN-on-SiC(碳化硅基氮化鎵)器件,目前主要應(yīng)用在射頻器件、功率器件等領(lǐng)域。

中圖科技是一家面向藍(lán)寶石上氮化鎵(GaN on Sapphire)半導(dǎo)體技術(shù)的專業(yè)襯底材料供應(yīng)商。經(jīng)過持續(xù)努力,公司已成為全球 LED 產(chǎn)業(yè)鏈中具有突出競爭優(yōu)勢(shì)的襯底材料供應(yīng)商,折合 4 英寸的圖形化襯底的年產(chǎn)能超 1,300 萬片,與全球主要 LED 芯片制造企業(yè)建立了長期合作關(guān)系。目前公司已成為華燦光電、晶元光電、首爾偉傲世、兆馳股份、澳洋順昌、乾照光電、聚燦光電等頭部 LED 芯片企業(yè)的主要襯底供應(yīng)商。

根據(jù)LEDinside公開數(shù)據(jù),2019 年全球折合 4 英寸的 GaN-LED 外延片的產(chǎn)量為 3,755 萬片,GaN-LED 外延片以 PSS 襯底為核心原材料,考慮外延廠 2019 年整體去庫存的影響及良率消耗,PSS 需求量應(yīng)當(dāng)與外延片產(chǎn)量相當(dāng)。因此,2019 年全球 PSS 襯底需求量約 3,755 萬片,2019 年公司圖形化襯底的實(shí)際銷售總量達(dá) 983.31 萬片,全球市場占有率約 26.19%。據(jù) LEDinside 預(yù)測,2020 年全年 GaN-LED 外延片產(chǎn)量達(dá)到 4,038 萬片,增長約 7.54%,而公司 2020 年總銷售量約 1,198.86 萬片,測算 2020 年全球市場占有率約 29.69%,進(jìn)一步提升了3.50%。

根據(jù) LEDinside 披露,目前全球圖形化襯底廠商按綜合競爭力排名可分為兩個(gè)梯隊(duì):第一梯隊(duì)包括中圖科技、福建晶安,第二梯隊(duì)包括博藍(lán)特、徐州同鑫、水晶光電、元旭光電等。其中,第一梯隊(duì)的福建晶安系三安光電的全資子公司,其圖形化襯底產(chǎn)品主要供三安光電內(nèi)部使用。

公司與行業(yè)內(nèi)主要企業(yè)的對(duì)比情況如下:


未來發(fā)展戰(zhàn)略

自創(chuàng)立至今,中圖科技一直圍繞著第三代半導(dǎo)體氮化鎵材料技術(shù)進(jìn)行圖形化襯底的開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,多年來占據(jù)了圖形化藍(lán)寶石襯底這一細(xì)分領(lǐng)域的領(lǐng)先位置,為促使公司的發(fā)展更上一個(gè)臺(tái)階,2020 年,公司制定了新的發(fā)展規(guī)劃,確定了公司發(fā)展的方向:

一是持續(xù)發(fā)展主營業(yè)務(wù),圍繞著 GaN LED 芯片技術(shù),鞏固公司圖形化襯底的行業(yè)領(lǐng)先地位。公司將保持在圖形化襯底產(chǎn)能規(guī)模、技術(shù)、品質(zhì)上的領(lǐng)先位置,以圖形化襯底為出發(fā)點(diǎn),加大研發(fā)投入,從藍(lán)寶石平片加工、圖形化技術(shù)到外延材料生長,實(shí)現(xiàn) LED 上游材料核心環(huán)節(jié)的協(xié)同研究。進(jìn)一步提升圖形化襯底的綜合水平,配合客戶提高 LED 芯片的性價(jià)比,同時(shí)開發(fā)各種類 LED 新應(yīng)用的適 配襯底,推進(jìn)新技術(shù)應(yīng)用的開發(fā)。LED 具有廣闊的應(yīng)用前景和龐大的市場需求, 公司將繼續(xù)夯實(shí)在 LED 這一大行業(yè)中的細(xì)分領(lǐng)域領(lǐng)先地位,立足產(chǎn)業(yè)鏈上游,與行業(yè)上下游企業(yè)協(xié)同創(chuàng)新,共謀發(fā)展。

二是沿著藍(lán)寶石上氮化鎵技術(shù)進(jìn)行橫向發(fā)展,充分發(fā)揮藍(lán)寶石上氮化鎵外延層晶體質(zhì)量較好的優(yōu)勢(shì),開發(fā)藍(lán)寶石上氮化鎵的其他應(yīng)用技術(shù),為藍(lán)寶石上氮化 鎵器件提供一個(gè)具有競爭優(yōu)勢(shì)的材料解決方案。同時(shí),公司將利用多年來積累的產(chǎn)業(yè)資源,挖掘產(chǎn)業(yè)鏈配套細(xì)分領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)會(huì),與公司襯底材料業(yè)務(wù)形成 良性互補(bǔ),進(jìn)一步提升公司的綜合競爭力。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    59

    文章

    1646

    瀏覽量

    116621
  • miniled
    +關(guān)注

    關(guān)注

    18

    文章

    854

    瀏覽量

    38588
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    破產(chǎn)、并購、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤點(diǎn)2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

    帶來更大的未來增長空間。但與此同時(shí),碳化硅產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷了過去幾年的大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)后,2024年大量產(chǎn)能落地,而需求增長不及預(yù)期,產(chǎn)業(yè)加速進(jìn)入了淘汰賽階段。 ? 過去一年,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中發(fā)生了不少大事件,有并購,有技術(shù)突破,但
    的頭像 發(fā)表于 01-05 05:53 ?2561次閱讀
    破產(chǎn)、并購、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤點(diǎn)2024年全球<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>行業(yè)十大事件

    第三代半導(dǎo)體廠商加速出海

    近年來,在消費(fèi)電子需求帶動(dòng)下,加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。
    的頭像 發(fā)表于 01-04 09:43 ?526次閱讀

    第三代半導(dǎo)體對(duì)防震基座需求前景?

    隨著科技的發(fā)展,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴(kuò)張階段。在全球范圍內(nèi),各國都在加大對(duì)第三代半導(dǎo)體的投入,建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國,多地都有相關(guān)大型項(xiàng)目規(guī)劃與建設(shè),像蘇州的國家
    的頭像 發(fā)表于 12-27 16:15 ?177次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>對(duì)防震基座需求前景?

    第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展

    當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要?jiǎng)恿χ唬履茉雌囆枰咝?、高密度的功率器件來?shí)現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 12-16 14:19 ?365次閱讀

    第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

    ,被稱為第三代寬禁帶半導(dǎo)體。 優(yōu)勢(shì) 高溫、高頻、高耐壓:相比第一(Si、Ge)和第二(GaAs、InSb、InP)半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?532次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>寬禁帶<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>:碳化硅和氮化鎵介紹

    第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)

    第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:06 ?834次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

    隨著科技的發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革,而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn),正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
    的頭像 發(fā)表于 10-30 11:24 ?795次閱讀

    第三代半導(dǎo)體半導(dǎo)體區(qū)別

    半導(dǎo)體是指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料,具有獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì),是電子工業(yè)不可或缺的基礎(chǔ)材料。隨著科技的進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,
    的頭像 發(fā)表于 10-17 15:26 ?1424次閱讀

    納微半導(dǎo)體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs

    納微半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者,近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速(G3F)碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列,包括650V和1200V兩大規(guī)格。
    的頭像 發(fā)表于 06-11 16:24 ?1065次閱讀

    一、二、三代半導(dǎo)體的區(qū)別

    在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求,碳化硅和氮化鎵等第三
    發(fā)表于 04-18 10:18 ?3271次閱讀
    一、二、<b class='flag-5'>三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的區(qū)別

    深圳第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園揭牌 重點(diǎn)布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線

    2月27日,深圳市第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園揭牌儀式在寶安石巖街道舉行。
    的頭像 發(fā)表于 03-07 16:48 ?828次閱讀

    總投資32.7億!第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用

    2月27日,第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用,由深圳市重投天半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“重投天
    的頭像 發(fā)表于 02-29 14:09 ?639次閱讀

    深圳第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地啟用

    總計(jì)投資32.7億元人民幣的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地是中共廣東省委和深圳市委重點(diǎn)關(guān)注的項(xiàng)目之一,同時(shí)也是深圳全球招商大會(huì)的重點(diǎn)簽約項(xiàng)目。
    的頭像 發(fā)表于 02-28 16:33 ?955次閱讀

    利德創(chuàng)IPO被終止

    大連利德半導(dǎo)體材料股份有限公司(簡稱“利德”),一家專業(yè)的高純半導(dǎo)體材料
    的頭像 發(fā)表于 02-27 11:34 ?992次閱讀

    新華錦第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園選址平度市

    據(jù)悉,新華錦集團(tuán)計(jì)劃將該公司在山東平度市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)內(nèi)投入的20億元資金用于建立新華錦第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園區(qū),該項(xiàng)目將涵蓋年產(chǎn)量達(dá)5000噸的半導(dǎo)體細(xì)顆粒等靜壓石墨以及1000噸
    的頭像 發(fā)表于 02-22 13:52 ?830次閱讀
    弥渡县| 澳门百家乐鸿运| 卡卡湾网上娱乐| 百家乐有多少种游戏| tt娱乐城官方网站| 做生意风水 门对门| 明升m88| HG百家乐大转轮| 百家乐官网白菜价| 全讯网高手世家| 爱拼百家乐官网的玩法技巧和规则| 顶级赌场官方直营网| 做生意人的风水| 康马县| 百家乐五湖四海娱乐平台| 百家乐官网群html| 亚洲顶级赌场 网投领导者| 百家乐分路单析器| 百家乐官网游戏排行榜| 澳门百家乐官网www.bjbj100.com| 菲律宾百家乐官网娱乐网| 郑州太阳城宾馆| 百家乐分析下载| 百家乐官网注册下注平台| 百家乐博彩吧| 24山之巽山乾向水法及兼家分针| 百家乐官网补牌规制| 百家乐平注法口诀技巧| 网上百家乐官网试| 百家乐官网压钱技巧| 威尼斯人娱乐城博彩网站| 百家乐官网14克粘土筹码| 澳门百家乐官网公试打法| 大发888娱乐城客服| 奔驰百家乐可信吗| 单机百家乐官网在线小游戏| 济州岛娱乐场cns| 亚洲百家乐论坛| 银河百家乐官网的玩法技巧和规则 | 缅甸百家乐官网视频| 百家乐官网游戏类型|