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Flash存儲器的擦寫操作流程

h1654155282.3538 ? 來源:老馬識途單片機 ? 作者:老馬識途單片機 ? 2021-05-01 16:21 ? 次閱讀

ME32F030采用高可靠的嵌入式Flash技術,64K用戶區間,支持IAP/ISPFlash擦寫技術。MCUFlash采用32位數據總線讀寫,充分利用32位ARMCPU性能優勢,同時它的512字節小扇區結構,管理操作也更加靈活。Flash存儲器支持的操作如下:

讀操作:

ARMCPU可以通過讀指令直接從嵌入式Flash讀取數據,最高支持達30MHz的讀取速度。當CPU時鐘超過Flash的最大讀取速度時,需要插入延遲時鐘,延遲時鐘由RDCYC寄存器控制。

FLASH擦寫操作:

Flash擦寫采用扇區擦除,字(WORD)寫入模式,并通過一寄存器組實現。擦寫地址必須是32位對齊。擦除扇區流程如下:

①、向地址寄存器寫入要操作的FLASH地址。

②、發FLASH扇區擦除指令0x04。

③、判斷FLASH是否處于忙狀態,不處于忙狀態則流程結束。

字(WORD)編程的流程如下:

①、向地址寄存器寫入要操作的FLASH地址。

②、向數據寄存器寫入要編程的數據。

③、發FLASH扇區擦除指令0x02。

④、判斷FLASH是否處于忙狀態,不處于忙狀態則流程結束。

這里要注意的是如果要編程數據,一定要先進行擦除步驟,然后再向FLASH進行編程操作。否則直接執行編程流程是無效的。
責任編輯人:CC

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