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三星在NAND閃存市場將面臨哪些挑戰(zhàn)?

我快閉嘴 ? 來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 作者:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 2021-02-26 15:49 ? 次閱讀

眾所周知,三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領(lǐng)先地位,占有30%以上的份額。但是,由于競爭對手開始表現(xiàn)出更好的工藝,它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。

NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),不需要電源即可保留數(shù)據(jù)。隨著用于數(shù)據(jù)中心的IT設(shè)備和服務(wù)器需要更大的存儲(chǔ)容量,盡可能多地堆疊薄層已成為NAND閃存芯片制造商的首要任務(wù)。

三星尚未公布其最新的NAND堆棧技術(shù),該技術(shù)超越了其當(dāng)前的128層芯片,而競爭對手如SK hynix,美光(Micron)和Kioxia都在爭相展示前沿設(shè)計(jì)。這促使分析人士認(rèn)為,存儲(chǔ)芯片巨頭可能正在失去其技術(shù)優(yōu)勢。去年11月,美國芯片制造商美光宣布開發(fā)出業(yè)界首款176層NAND閃存芯片。SK Hynix隨后在12月發(fā)布了自己的176層芯片。

日本的Kioxia最近還宣布,它與Western Digital一起成功開發(fā)了162層3D NAND。他們說,新產(chǎn)品比以前的112層技術(shù)小40%,可以提供更高的密度和更低的讀取延遲。

Objective Analysis的半導(dǎo)體行業(yè)分析師Jim Handy表示,三星在NAND閃存行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位不會(huì)很快改變,但他同意三星在堆疊更多層方面正在失去競爭力。“是的,三星落后于競爭對手。這并不是三星首次落后于NAND閃存競爭。我記得2012年,三星采用27納米工藝的最不先進(jìn)工藝,而其他所有人都在采用24納米工藝或25納米零件?!痹摲治鰩煾嬖V《韓國時(shí)報(bào)》。

當(dāng)被問及三星為什么尚未宣布其新的NAND閃存具有比162或176層更高的堆棧數(shù)量時(shí),Handy指出,該公司過于依賴單平臺(tái)技術(shù),而其競爭對手將堆棧分為兩層。

據(jù)我所知,擁有更高的堆棧是增加存儲(chǔ)容量的最有效方法。三星一直在尋求一條更艱難的道路。三星通過使用單層方法增加了層數(shù),而其他公司則遷移到了兩層。從理論上講,單個(gè)平臺(tái)的生產(chǎn)成本應(yīng)該較低,但是開發(fā)時(shí)間會(huì)更長,這似乎就是三星落后的原因。”

三星預(yù)計(jì),隨著更多智能手機(jī)的銷售,今年對NAND芯片的需求將會(huì)增加,而長期的社會(huì)疏離措施也將推動(dòng)筆記本電腦等IT設(shè)備的銷售。為了滿足服務(wù)器需求,今年數(shù)據(jù)中心還將越來越多地訂購NAND芯片。

為了更好地與競爭對手競爭,三星公司還準(zhǔn)備采用雙層方法推出第七代V-NAND,該公司首席財(cái)務(wù)官崔允浩說。

“為了向您提供有關(guān)NAND的更新,我們的單堆棧第六代V-NAND已經(jīng)完成了產(chǎn)能提升。今年,我們將擴(kuò)大生產(chǎn)。在下一代產(chǎn)品中,第七代V -NAND,我們計(jì)劃首次采用雙堆棧,”崔在一月份告訴投資者?!斑@將為我們提供行業(yè)中最小的堆疊高度的優(yōu)勢。最重要的是,通過使用我們積累的單層堆疊技術(shù)知識,我們期望即使在多層堆疊的情況下也能保持出色的成本競爭力在第七代V-NAND上?!?/p>

盡管該公司有遠(yuǎn)見,但分析師表示,新方法能否使三星看到明顯更好的結(jié)果還有待觀察。

“開發(fā)單層設(shè)備比較困難,這減慢了三星的發(fā)展速度。三星表示將為其第七代V-NAND使用兩層方法。由于三星尚未生產(chǎn)兩層設(shè)備,因此,甲板上的NAND,它必須學(xué)習(xí)如何做其競爭對手已經(jīng)非常了解的事情?!?/p>

但是他并沒有改變他對三星將繼續(xù)領(lǐng)導(dǎo)NAND市場的看法。“三星正在保持其市場份額的領(lǐng)先地位。這是該公司的主要重點(diǎn),因此我認(rèn)為這不會(huì)改變。在技術(shù)上,三星有時(shí)會(huì)領(lǐng)先,有時(shí)還會(huì)跟隨。如今,該公司的NAND技術(shù)落后于某些競爭對手,分析師說。

分析師表示,毫無疑問,三星將保持其在NAND閃存業(yè)務(wù)中的領(lǐng)先地位,但從長遠(yuǎn)來看,對韓國公司最大的威脅可能是中國制造商長江存儲(chǔ)。

YMTC去年宣布開發(fā)128層3D NAND,從而在存儲(chǔ)芯片行業(yè)大放異彩。該公司并未正式宣布它有能力批量生產(chǎn)該產(chǎn)品,但是128層NAND的成功開發(fā)可能會(huì)增加其在該行業(yè)的占有率。

這位分析師表示,在中國管理者努力使中國成為芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者之一的支持下,YMTC有望實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定增長。

他說:“三星在NAND閃存中最大的長期威脅是中國的YMTC。YMTC擁有令人難以置信的資本來籌集新的生產(chǎn)設(shè)施。” “只要該公司學(xué)習(xí)如何大量生產(chǎn)NAND閃存,它就會(huì)通過搶占其他NAND閃存制造商的市場份額而迅速增長。當(dāng)這種情況發(fā)生時(shí),我相信三星可能會(huì)失去其排名第一的地位?!?br /> 責(zé)任編輯:tzh

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