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Intel Xe HPC芯片的內(nèi)部照片曝光: 雙芯、7種工藝

工程師鄧生 ? 來源:驅(qū)動之家 ? 作者:驅(qū)動之家 ? 2021-01-27 16:05 ? 次閱讀

Intel Xe獨立顯卡正在穩(wěn)步推進,分為四種不同架構(gòu)分路出擊。

其中,基于Xe LP低功耗架構(gòu)的核顯版、移動獨顯版、桌面獨顯版都已經(jīng)發(fā)布出貨。

高性能的有Xe HPG、Xe HP、Xe HPC多種版本,全面覆蓋游戲、高性能計算、數(shù)據(jù)中心人工智能等各種領(lǐng)域,Xe HPG已經(jīng)點亮,Xe HP正在試產(chǎn),Xe HPC在開發(fā)之中。

Intel高級副總裁、首席架構(gòu)師、架構(gòu)圖形與軟件總經(jīng)理Raja Koduri今天曝出猛料,第一次公布了Xe HPC芯片的內(nèi)部照片,并透露它已經(jīng)準(zhǔn)備好點亮(Power On),而且在統(tǒng)一封裝內(nèi)應(yīng)用了多達7種不同的芯片技術(shù)——應(yīng)該是包含多種制造工藝、封裝工藝。

雖然沒有任何描述,但是從照片上看,這款Xe HPC芯片采用了2-Tile雙芯封裝的方式,各自應(yīng)該有8個計算核心,但不清楚又分為多少執(zhí)行單元,而在外部則是總共8顆HBM顯存堆棧,角落里還有一個用途不明的芯片,疑似獨立緩存或互連模塊。

Intel早在2019年底就宣布了第一個基于Xe HPC架構(gòu)的產(chǎn)品,代號“Ponte Vecchio”,7nm工藝制造,F(xiàn)overos 3D、Co-EMIB混合封裝,支持HBM顯存、CXL高速互連等、Ramo一致性緩存技術(shù),面向HPC高性能計算、AI人工智能等領(lǐng)域。

Raja聲稱,Xe HPC架構(gòu)擴展性極強,可以輕松做到1萬個執(zhí)行單元,每個單元都是全新設(shè)計,F(xiàn)P64雙精度浮點性能是現(xiàn)在的40倍,通過XEMF(Xe Memory Fabric)總線連接HBM顯存,而且CPUGPU都能訪問Rambo緩存。

根據(jù)Intel去年公布的最新資料,Xe HPC芯片中的基礎(chǔ)模塊(Base Tile)采用Intel 10nm SuperFin工藝,計算模塊(Compute Tile)同時采用Intel下一代工藝(7nm?)和第三方工藝(臺積電7nm?),Rambo緩存模塊使用Intel 10nm SuperFin增強版工藝,Xe Link I/O互連輸入輸出模塊則是第三方工藝。

先比之下,Xe LP都是10nm SuperFin,Xe HP都是10nm SuperFin增強版,Xe HPG則是外包。

責(zé)任編輯:PSY

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