今天為大家?guī)淼诙v，聊一聊系統(tǒng)級封裝技術(shù)的第二駕創(chuàng)新馬車——電磁干擾屏蔽技術(shù)（EMI Shielding Technology）。

由于系統(tǒng)級封裝本身其制程中大量使用高密度線路、多種材質(zhì)的封裝材料，同時還要考慮芯片與各類功能器件間的協(xié)作，且封裝結(jié)構(gòu)較為復雜，因此伴隨而來的便會有電路元件間產(chǎn)生的電磁干擾問題。為了解決這一問題，長電科技目前擁有一系列導入量產(chǎn)的高效電磁干擾屏蔽技術(shù)方案。

下圖所示為一例由長電科技成功導入規(guī)模量產(chǎn)的高效電磁干擾屏蔽 SiP 射頻前端模塊產(chǎn)品。

在電磁干擾屏蔽材料（EMI Shielding Materials）方面，一場技術(shù)創(chuàng)新的盛宴正在全球上演。無論是傳統(tǒng)材料巨頭如杜邦、漢高、信越化學、東洋油墨等，還是新晉 EMI 屏蔽材料先鋒如 Ntrium 等，都爭相推出質(zhì)量更可靠、效果更全面、價格更實惠的全新產(chǎn)品及流程方案。

對于絕大多數(shù)倒裝型（Flip Chip）系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品來說，單芯（Per Die）的平均功率范圍一般在 1W 到 15W 之間，因此在地散熱能力（Local Thermal Conductivity）是檢驗 SiP 系統(tǒng)整體性能的關(guān)鍵一環(huán)。

目前可用來提升散熱性能的技術(shù)方案有以下幾種：芯片背面外露技術(shù)、高導熱塑封材料技術(shù)、芯片背面金屬板裝技術(shù)（例如 Heat Sink）、基板金屬內(nèi)層加厚技術(shù)以及芯片背面金屬化技術(shù)（Backside Metallization Technology）。

長電科技的工程驗證結(jié)果表明，與其他方案相比，芯片背面金屬化技術(shù)更適用于加強低、中功率范圍的倒裝型結(jié)構(gòu)的導熱性，同等成本條件下，散熱效果的裕值可達到 25%，可謂立竿見影。而電磁干擾屏蔽材料的背面金屬化技術(shù)同樣可以用于芯片背面金屬化。

如下圖所示，長電科技已獲得該技術(shù)方案的數(shù)項發(fā)明專利。

從材料到工藝，從技術(shù)到方案，長電科技對于創(chuàng)新的不斷追求促成了其在電磁干擾屏蔽技術(shù)領域強大的技術(shù)實力與全面的產(chǎn)品覆蓋。系統(tǒng)級封裝（SiP）技術(shù)作為目前火熱的封裝技術(shù)領域，在長電科技強大 EMI 技術(shù)的加持之下，能夠有效地完成對潛在電磁干擾的屏蔽，滿足全球市場需求。 下一期我們將為大家繼續(xù)講解并介紹系統(tǒng)級封裝（SiP）技術(shù)體系的“第三駕創(chuàng)新馬車”——激光輔助鍵合技術(shù)，敬請期待！

原文標題：詳解 SiP 技術(shù)體系中的三駕創(chuàng)新馬車（二）

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