我國首臺新一代大尺寸集成電路單晶硅生長設備在西安實現一次試產成功。這是由西安理工大學和西安奕斯偉設備技術有限公司共同研制的。本次制成的單晶硅棒長度為 2.1 米，直徑達 300mm，也就是 12 英寸，標志著我國芯片制造領域中，12 英寸硅晶圓關鍵技術得到突破，解決了 “卡脖子”難題。

根據科技日報報道，該項目研發由西安理工大學劉丁教授的團隊領導。劉丁教授在半導體硅單晶生長領域精耕細作多年，先后主持承擔了多個國家科技重大專項、國家自然科學基金重點項目等，近年來取得了技術突破，獲得了一批標志性成果。

根據奕斯偉的介紹，硅單晶棒的制作首先需要將高純多晶硅放入石英坩堝，加熱至1400℃以上，融化成硅溶液，再把籽晶浸入硅熔液，經過引晶、放肩、轉肩、等徑生長、收尾等步驟，完成一根單晶硅棒的拉制。在單晶硅棒產出后，將晶棒切割成 300~400 毫米長的硅塊，之后采用線切割得到厚度約 1 毫米的薄片，再對其進行拋光、清洗加工，得到高品質的拋光片。

西安奕斯偉硅片技術有限公司是國內大型單晶硅制造骨干企業，2018 年起與西安理工大學劉丁教授的團隊合作。該公司能夠制造無位錯、無原生缺陷、超平坦和優良納米形貌的 12 英寸硅片，用于 28nm 以下集成電路芯片的制作。此外，公司還提供硅片加工、清洗及外延等服務。

目前，奕斯偉在西安擁有一座硅產業基地，分兩期進行建設，一期設計產能 50 萬片 / 月。本次大型單晶硅生長設備的成功制作，有利于滿足我國在集成電路發展的迫切需要，擺脫受制于人的情況。

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