SGT MOSFE是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有傳統(tǒng)深溝槽MOSFE的低導(dǎo)通損耗的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)具有更加低的開(kāi)關(guān)損耗。SGT MOSFE作為開(kāi)關(guān)器件應(yīng)用于新能源電動(dòng)車、新型光伏發(fā)電、節(jié)能家電等領(lǐng)域的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、逆變器系統(tǒng)及電源管理系統(tǒng)，是核心功率控制部件。

SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET結(jié)構(gòu)及工藝制造方法，因其不需要在溝槽內(nèi)生長(zhǎng)厚的屏蔽電極介質(zhì)層，同時(shí)Bsg具有良好的高溫回流特性，具備良好的溝槽填充能力，可以將溝槽CD極大程度縮小，因而可以縮小單位元胞尺寸(Pitch Size)，采用更高摻雜濃度的外延片實(shí)現(xiàn)同樣的擊穿電壓，降低器件Rsp，增強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

圖1 Trench MOSFET Structure

圖2SGT MOSFET Structure

SGT技術(shù)優(yōu)勢(shì),具體體現(xiàn):

1)米勒電容SGT 工藝明顯比溝槽工藝低很多， 所以開(kāi)關(guān)損耗低。
2)SGT 比溝槽工藝挖槽深度3-5倍， SGT可以橫向使用更多的硅外延體積來(lái)阻止電壓，使得SGT的內(nèi)阻比普通MOSFET低2倍左右。
3)由于SGT MOSFET具有更深的溝槽深度，因此可以使用更多硅體積來(lái)吸收EAS能量。所以SGT可以在雪崩中做同樣或更好。
4)同等規(guī)格下，芯片面積可以做到更小，性價(jià)比更高。 尚陽(yáng)通采用SGT最新一代工藝，基于多項(xiàng)專利技術(shù)推出中低壓MOSFET系列產(chǎn)品。舉例介紹尚陽(yáng)通最新推出150V SGT MOSFET。 結(jié)合150V產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域的不同，尚陽(yáng)通同時(shí)推出兩款Rdson接近的產(chǎn)品： SRT15N050H、SRT15N059H封裝形式有TO-22OC、TO-263。

SRT15N050H、SRT15N059H主要參數(shù)比較

SRT15N050H、SRT15N059H器件開(kāi)關(guān)特性對(duì)比測(cè)試條件:Vdc=75V;Rg=20Ω;Vgs=12V;Id=26A

SRT15N050H適合需要低內(nèi)阻,開(kāi)關(guān)速度要求不高的系統(tǒng),類似BMS領(lǐng)域應(yīng)用; SRT15N059H適合要求開(kāi)關(guān)損耗小,開(kāi)關(guān)速度快的系統(tǒng),類似高頻同步整流(SR)應(yīng)用。

圖3SR Application

圖4BMS Application 尚陽(yáng)通中低壓SGT系列產(chǎn)品，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)工具、PD適配器、大功率電源等各個(gè)領(lǐng)域已大批量供貨，為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件的發(fā)展助力。附:尚陽(yáng)通部分SGT MOSFET產(chǎn)品選型表

責(zé)任編輯：xj

原文標(biāo)題：SGT MOSFET 介紹

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