（1） 首先來一些舊聞 ／ web search，扼要 摘取 如下，先熟悉下本文背景情況：

紫外LED一般指發光中心波長在400nm以下的LED，但有時將發光波長大于380nm時稱為近紫外LED，而短于300nm時稱為深紫外LED。因短波長光線的殺菌效果高，因此紫外LED常用于冰箱和家電等的殺菌及除臭等用途 。

UVA ／ UVB ／ UVC的波長分類不贅述了，而且筆者習慣于寫成UV－c，按照目前的通訊慣例。（不幸的是很多地方都寫成UV－C， or UVC， etc．）

405nm Blu－ray Disk “藍光”光盤的標準激光讀寫波長，也是種近紫外光。

265nm – 280nm UV－c band。

產品方面，日亞化學工業上市了發光中心波長從365nm～385nm不等的品種，Nitride Semiconductor上市了發光中心波長為355nm～375nm不等的品種。

波長不足300nm的深紫外LED的開發活動也很活躍。2008年理化學研究所和松下電工曾公布，采用GaN類半導體的InAlGaN四元化合物半導體開發出了發光中心波長為282nm，光輸出功率為10mW的深紫外LED。

波長更短的深紫外LED方面，NTT物性科學基礎研究所采用AlN材料開發出了發光中心波長為210nm的深紫外LED。

美國南卡羅萊納州立的Asif Khan教授小組曾在AlGaN深紫外LED的研究方面（外延與器件工藝）作出很多早期開創性工作。（下圖是其代表性器件結構。）

目前，首爾Viosys、中科潞安、青島杰生（由馬鞍山圓融收購）、深圳深紫、武漢優煒星、美國Bolb等有UV－c LED產品，但普遍光效（外量子效率）尚須進一步提升。

旭宇、國星、鴻利等有若干UV LED的封裝產品。

歐司朗與AlN單晶基板供應商HexaTech公司簽署兩項戰略協議。這些協議包括長期供應協議和若干HexaTech的知識產權（IP）許可，其中，前者涉及作為HexaTech公司2英寸（直徑）基板開發項目的氮化鋁（AlN）基板。此舉有助于歐司朗加速其基于HexaTech材料的UV－c LED器件開發，使歐司朗成為主要的高性能光電技術提供商，提供從深紫外波長到紅外波長的各種產品。

日本化學大廠德山與日本電氣設備大廠斯坦利電氣決定，在深紫外線LED領域擴大合作，德山維持深紫外線LED材料研發，而晶圓生產、封裝、與產品制造銷售等業務，由Stanley Electric負責。德山的深紫外線LED晶圓生產線及專利，均轉讓給Stanley Electric。

臺灣LED廠光鋐與研晶預計共組品牌，進軍殺菌UV－c LED市場，雙方已開始利用新合資品牌擴大行銷。

2017年臺塑石化宣布與日商日機裝（Nikkiso）攜手發展UV LED事業，生產深紫外光LED（Deep UV LED）晶粒及銷售深紫外光應用產品，該合作案將聚焦水殺菌、空氣殺菌、樹脂固化及分析設備等。

… … many other more news on the webpage ～

（2） 應用背景介紹

紫外LED （UV LED） 主要應用在生物醫療、防偽鑒定、凈化 （水、空氣等） 除菌殺毒領域、計算機數據存儲和軍事 （如LiFi不可見光保密通信） 等方面。

而且隨著技術的發展，新的應用還會不斷出現以替代原有的技術和產品。

紫外LED有著廣闊的市場應用前景，如紫外LED光療儀是未來很受歡迎的醫療器械，但是目前技術還處于成長期。

傳統紫外光源與燈具廠商如下：

傳統紫外光源為HID燈。

UV LED要完全替換傳統紫外光源，在效率、性價比等方面還有很長一段路要走。

目前特別是UV－c 深紫外LED的效率，總體上類似于2000年前后綠藍光LED的水平。

（3） InN， GaN， AlN 紫外與藍綠LED的帶隙問題 （外延相關）

InN、GaN、AlN均為直接帶隙半導體，禁帶寬度分別為1．9 eV， 3．4 eV， 6．2 eV。

一般藍綠光LED為InxGa1－xN有源發光區，壓應變compressive strain

· 465nm 藍光In組分約為20％ ＋

· 525nm 綠光In組分約為30％ ＋

· 265nm的AlxGa1－xN有源發光區，張應變tensile strain

Al組分約為70％ ＋／－

壓應變、張應變與能帶工程，外延層內的應變控制，是門大學問！

還有AlGaN／GaN多量子阱有源區的載流子注入、輸運與泄漏等問題。

（4） UV LED的外延與芯片問題

半導體深紫外光源在照明、殺菌、醫療、印刷、生化檢測、高密度的信息儲存和保密通訊等領域具有重大應用價值。

以AlGaN材料為有源區的深紫外LED的發光波長能夠覆蓋210nm － 365nm的紫外波段，是實現該波段深紫外LED器件產品的理想材料，具有其它傳統紫外光源無法比擬的優勢。

基于MOCVD的深紫外LED外延材料和芯片器件研究工作，須著重解決材料存在的表面裂紋、晶體質量差、鋁組分低、無法實現短波長發光和結構材料設計、芯片工藝等問題。

材料是器件性能的基礎與核心突破點。

MOCVD反應室 Reactor中Al的“記憶”效應，memory effect，這個真是記憶深刻、乃至可以說刻骨銘心！？？ OELAB的MOCVD師兄弟們 ～ 想必如果看到此節 必然是會心一笑。

高Al組分下的應變控制是關鍵。

UV LED的歐姆接觸電極制作工藝也是很crucial的 ～

隨之而來的是電流擴展spreading ／ electrodes design， 又要不遮光、又要均勻注入 ～

Flip Chip design seems to be the main stream architecture ～

（5） UV LED的封裝主要問題

由于此前作為封裝材料使用的環氧類樹脂材料在紫外光的作用下，容易出現樹脂性能惡化的現象，導致透明性降低，從而使得LED亮度也隨之降低。

因此，為了解決LED封裝器件因紫外光而出現的性能惡化現象，在封裝過程中采用了不使用樹脂材料的方法。

通過將LED芯片裝入金屬封裝內，不使用任何其他封裝材料而直接用金屬殼體及玻璃等蓋封住。（這種方法此前一直在GaN類藍紫色半導體激光器中采用。）

審核編輯：符乾江