電子發燒友網報道（文/李彎彎）2020年已接近尾聲，這一年對于存儲行業來說是不同尋常的一年。首先，價格漲跌出乎尋常，年初DRAM、NAND因為疫情原因產能供應不足，價格大漲，行業預計今年全年存儲都將處于持續上漲的趨勢，然而第二季度開始存儲價格開始下跌，9月因為華為禁令更是引起NAND、DRAM價格暴跌，不過市場預計隨著數據中心建設加速，明年存儲價格將有望回調。

其次，SK海力士發起收購英特爾NAND閃存業務，足以顛覆全球NAND市場的競爭格局。再者值得重點關注的是，今年對于國產存儲行業來說，可謂是飛速發展的一年，長江存儲推出128 3D NAND，進入國際主流水平，越來越多固態硬盤廠商紛紛推出基于長江存儲64層3D NAND的國產SSD產品，長鑫存儲DDR4量產，多家內存條廠商推出基于長鑫內存顆粒的內存條，國內多家NOR Flash廠商推出并量產50nm/48nm的產品，進入新一代工藝水平。

一、存儲芯片價格年初上漲，后持續下跌

今年年初，存儲價格長勢明顯，據3月11日報道，據渠道商透露，三星等多家主要供應商已經通知下季度DRAM、NAND Flash合約價，漲幅都達雙位數。

漲價的原因主要有，一是中國內地主要大廠停工、出貨不順，而渠道商庫存降低；二是疫情沖擊全球經濟，存儲器市場受惠于疫情帶動宅經濟大好，網購、電商、線上游戲、電競游戲逆勢成長，第一季度三大存儲器需求仍強，其中，因數據中心擴大服務器建置，推升服務器用DRAM和NAND Flash需求更為強勁。

當時行紛紛預測下半年DRAM市場供給將短缺，并推升價格上漲，NAND Flash下半年供應會更緊張。不過據6月份報道，存儲芯片總體的平均銷售價格，在二季度已出現了下滑的趨勢，現貨市場的價格也有下滑，今年10月份，DRAM 和 NAND 價格繼續遭遇集體暴跌，分析師認為，這是由于美國對華為的制裁所致，加劇了存儲芯片市場價格的下跌。

Trend Force分析師認為，NAND 是受華為影響相對較小的市場，由于市場對 5G 網絡的需求增加，以及通信網絡產品的銷售增長，NAND 價格并未出現大幅下降的現象。此外預計明年上半年內存市場將出現反彈，由于主要數據中心公司的投資有所增加，明年對 DRAM 的需求預計將增長 20%。

同時NOR Flash也喊漲價，明年上半年漲幅或達5-10%，隨著 TWS 耳機出貨放量，智能手機導入 OLED 面板，今年以來 NOR Flash 需求大增，但內存廠仍未開出新產能，第三季就已供給吃緊，到了第四季時已有業者漲價，反映供需吃緊的狀態。

外資近期報告指出，明年上半年單季漲幅都達 5%，不過業者透露，漲幅預計超過此幅度，甚至上看10%。據悉，華邦電子本季 NOR Flash 已漲價 7-9%，明年上半年價格持續看漲，而旺宏則指出，明年上半年價格仍未談妥，對于市場熱議明年上半年價格走勢正向看待。

二、SK海力士將以90億美元收購英特爾旗下NAND閃存芯片業務

2020年10月20日消息，SK海力士和英特爾已經達成協議，前者將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業務，具體包括英特爾NAND SSD業務、NAND部件及晶圓業務，以及其在中國大連的NAND閃存制造工廠。

兩家公司將爭取在2021年底前取得所需的政府機關許可，之后SK海力士將首先支付70億美元獲得英特爾的NAND SSD業務（包括NANDSSD相關知識產權和員工）以及大連工廠，預計到2025年3月，SK海力士最終支付20億美元收購其余相關資產，包括NAND閃存晶圓的生產及設計相關的知識產權、研發人員以及大連工廠的員工。

本次收購之前，整個NAND 市場基本由三星、鎧俠、西部數據、美光、SK海力士以及英特爾六家廠商主導，其中三星、鎧俠、西部數據的市場占比依次是32%、18%、15%，美光、SK海力士以及英特爾分別占11%，可見SK海力士排名第三，英特爾排名第六。

如果SK海力士完成對英特爾NAND業務的收購，即全球第三的NAND廠商收購了排名第六的廠商的NAND業務，可見收購完成之后全球NAND業務基本掌握在五家廠商手中，同時SK海力士能否很好的融合英特爾的NAND業務還是未知數，而長江存儲等新進入者正在強勢崛起，可見整個NAND市場的競爭格局將會發生很大變化。

三、長江存儲推出 128 層 QLC 閃存，業界領先

2020年4月13日消息，長江存儲宣布128層QLC 3D NAND 閃存研發成功，并已經在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證，該公司此次共發布兩款產能品，一款是128層QLC規格的3D NAND閃存X2-6070，一款是128層512Gb TLC（3 bit/cell）規格閃存芯片X2-9060。

值得一提的是，128層QLC規格的3D NAND閃存是業界首款，當前各大廠商推出的QLC規格基本是在96層。長江存儲128層NAND閃存最晚將于明年上半年開始量產，未來將在滿產時配合10萬片月產能，將在平衡全球供應上發揮關鍵作用。

目前128層3D NAND是國際主流水平，三星、東芝、美光等都在2019年發布了128層3D NAND產品，而長江存儲用短短3年時間便實現了從32層到64層再到128層的跨越，長江存儲此次重點推出的128層QLC更直接參與國際競爭。

此外需要注意的是，除了已經量產的128層3D NAND，英特爾預計將在今年年底實現更高層數144層產品的量產，三星正在開發176層第七代V-NAND，計劃明年4月實現量產，SK 海力士也正在進行176層3D NAND的研發，未來長江存儲也還是還需要繼續加快進度。

四、長江存儲64 層3D NAND量產，獲多家存儲主控芯片支持及SSD廠商采用

長江存儲2019年9月正式對外宣布，公司已開始量產基于Xtacking架構的64層3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。長江存儲副總裁楊道虹今年年初表示，公司當前的任務是如期達成月產能10萬片，在二期項目中達到30萬片/月產能。

隨著長江存儲64層3D NAND量產，得一微、群聯、慧容等主控芯片廠商紛紛表示公司主控支持長江存儲64層3D NAND，同時朗科、光威、臺電、國科微等固態硬盤廠商也陸續推出并開賣基于長江存儲64層3D NAND顆粒的純國產SSD產品，并且長江存儲還推出了自己的固態硬盤產品。

2020年9月，朗科在京東上線了朗系列S520S固態硬盤，采用基于Xtacking架構創新研發的長江存儲64層TLC 3D NAND原廠顆粒，主控為得一微電子的SATA固態硬盤主控芯片YS9082HC。

2020年5月，光威推出了SATA 6Gbps SSD光威弈Pro系列，搭載長江存儲量產的64層堆疊3D TLC閃存顆粒，采用自研領先的Xtacking架構，相比傳統架構存儲密度提升5倍，數據傳輸率翻番達到800Mbps，編程/擦寫循環可達3000次，容量可選240GB、256GB、512GB。主控芯片是聯蕓科技的MSA090X系列，采用SRAM融合Smart Cache架構設計。

2020年11月18日，臺電科技聯合長江存儲，發布臺電純國產化固態硬盤騰龍系列DS10，該SSD采用長江存儲全新一代64層TLC閃存顆粒。作為一款純國產化系列固態硬盤，臺電騰龍系列DS10搭載了同樣來自國產廠商的聯蕓科技專業級SATA主控MAS0902A。讀寫性能達到強勁的550MB/s和520MB/s，媲美國際主流產品性能。

2020年5月14日，國科微與長江存儲在湖南長沙正式簽署長期供貨協議，在簽約儀式上，國科微預發布搭載長江存儲64層3D NAND顆粒的固態硬盤。4月26日，國科微與長江存儲舉行“云簽約”，批量采購長江存儲64層3D NAND顆粒，全年采購金額預計突破億元。

9月10日，長江存儲推出致鈦系列兩款消費級固態硬盤(SSD)新品，分別為PCIe接口PC005 Active和SATA接口SC001 Active，兼具強勁的性能和可靠的品質。

對于SSD來說，主控芯片與存儲顆粒的配合密不可分，據了解，國內知名主控廠商得一微電子全產品線存儲控制芯片（PCIe/SATA/eMMC/UFS/ NM/USB/SD）已全面支持長江存儲歷代NAND Flash顆粒。并且作為鉆石級生態合作伙伴，得一微與長江存儲于今年8月份正式簽署了Xtacking商標使用協議。

閃存控制芯片群聯電子很早就開始與長江存儲接洽合作，目前群聯全系列NAND控制芯片已經全面支持長江存儲64層NAND，例如高階的PCIe SSD控制芯片PS5012、SATA SSD控制芯片PS3112、符合高速移動存儲需求的UFS控制芯片PS8318及eMMC控制芯片PS8229、NM Card (NanoMemory Card) 控制芯片PS8229、以及消費應用的SD與USB控制芯片等，均支持長江存儲的64層3D NAND，董事長潘健成指出，除了64層3D NAND以外，群聯也已經開始安排研發團隊著手支持長江存儲近期發布的128層3D NAND。

2020年9月，慧榮科技宣布公司全系列主控芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發成功的128層 Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。

慧榮科技身為SSD主控芯片的市場領導者，近10年的NAND Flash主控出貨累積超過60億顆，憑借對NAND市場及技術的深入了解，與長江存儲保持緊密合作及技術交流, 并提供完整的主控芯片解決方案, 來提升存儲巿場的應用。

近些年來長江存儲在3D NAND技術迅速提升, 已成為閃存市場的主要供應廠商之一，今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片, 是目前行業內首款單顆 Die 容量 1.33Tb 的 NAND 閃存，可見，在技術的快速升級下，在越來越多的主控和固態硬盤廠商的支持下，長江存儲未來的市場競爭力也將迅速提升，國產NAND也將與國際大廠同臺競爭。

五、長鑫存儲DDR4、LPDDR4x量產開賣，多家廠商推出國產內存條

2020年2月，長鑫存儲正式在官網公開列出DDR4內存芯片、DDR4內存條、LPDDR4X內存芯片，全部產品都符合國際通行標準規范，并已開始接受上述產品的技術和銷售咨詢，據報道，長鑫DDR4內存芯片可匹配主流市場需求，支持多領域應用、多產品組合，并有充分的可靠性保障，預計到2020年底長鑫存儲的內存芯片月產能可達4萬片晶圓。

隨著長鑫存儲內存芯片開賣，威剛、江波龍、七彩虹、金泰克等內存廠商紛紛推出基于長鑫存儲內存芯片的國產內存條。

2020年5月，威剛宣布將在中國市場導入長鑫存儲的高質量、高效能內存顆粒，包括桌面級U-DIMM、筆記本級SO-DIMM。威剛表示，長鑫存儲的8Gb DDR4內存芯片，均以10nm級工藝，經過多次優化，制程工藝已達國際主流水平，并符合JEDEC設計生產規范、RoHS環保標準。

2020年11月23日，江波龍嵌入式存儲品牌FORESEE宣布推出3款國產化內存，分別為DDR4 SODIMM 8GB、DDR4 UDIMM 8GB、DDR4 UDIMM 16GB，核心DRAM均采用長鑫存儲的顆粒，標志著中國存儲開始參與市場競爭。2019年9月，長鑫存儲發布與國際主流DRAM產品同步的10nm級第一代8Gb DDR4。目前長鑫存儲正使用其 10G1 技術來制造8Gb DDR4 存儲器芯片，經過多次迭代和優化，其工藝已進入國際化主流水平，其技術突破和自主制造已達到行業一流。

2020年6月，七彩虹正式推出了自己的國產內存條產品“國創·戰戟”系列，采用了合肥長鑫的DDR4內存顆粒，由江波龍代工生產。七彩虹旗下內存產品現在分為四個檔次：其中戰斧系列是普通入門級的馬甲條；國創·戰戟系列是面向中低端市場的裸條，全系列標配國產顆粒；CVN系列為高端燈條，支持五大主板平臺ARGB同步；iGame系列則是主打玩家定制，定位于旗艦電競市場。

2020年7月，金泰克推出全新的驍帥系列DDR4內存8GB DDR4-2666，該系列內存采用合肥長鑫存儲新一代顆粒，引用真正的國內芯片，據報道，金泰克首批發布DDR4 8GB 2666MHz，后續還會增加DDR4 16GB 2666MHz，DDR4 8GB/16GB 3200MHz系列產品。

六、國內NOR Flash廠商陸續量產50nm產品，進入新一代工藝節點

當前行業主流NOR Flash產品的工藝節點是65nm，其中Cypress和鎂光到了45nm，技術節點較為領先，旺宏目前最先進的制程是48nm，華邦58nm，國內兆易創新有少量55nm工藝節點的產品。今年以來，國內多家廠商陸續宣布50nm產品量產，包括武漢新芯、恒爍半導體、博雅科技、東芯半導體，著意味著國內諸多NOR Flash廠商都在進入新一代工藝節點。

2020年5月13日，武漢新芯宣布其采用50nm Floating Gate工藝SPINOR Flash寬電壓產品系列XM25QWxxC全線量產，產品容量覆蓋16Mb到256Mb。武漢新芯運營中心副總裁孫鵬先生表示，XM25QWxxC系列產品采用業界先進的50nm FloaTIng Gate工藝，在性能和成本方面進一步提高了競爭力。針對快速發展的IoT和5G市場，武漢新芯將持續投入研發自有品牌的閃存產品，不斷拓展產品線，為客戶帶來更多高性價比的產品與解決方案。

2020年5月22日，東芯半導體宣布公司進行自主研發、改良，升級，全新打造出的48nm Serial NOR Flash 產品正式上線，東芯當時表示該48nm NOR Flash 產品已經開始給客戶送樣測試，預計今年下半年開始量產。東芯總經理陳磊對電子發燒友表示，“在低功耗1.8V的產品規劃上，目前公司已經有了從64Mb到256Mb的產品，下一步將會向更高容量的512Mb產品延續，包括1Gb的SPI NOR FLASH。”

2020年4月，恒爍半導體推出了第一款面向物聯網應用的 50nm 128Mb 高速低功耗 NOR Flash 存儲芯片，恒爍半導體呂向東6月份在接受電子發燒友采訪的時候表示，50nm128Mb NOR Flash芯片客戶驗證已經通過，預計Q3在很多應用市場大量出貨。呂向東談到，128Mb的產品是公司在50nm工藝下量產的第一款產品，今年年底計劃推出256Mb、64Mb的產品，明年會將全線產品都切入50nm技術工藝下。

2020年7月31日，上海華力微電子有限公司與珠海博雅科技有限公司共同宣布，博雅科技研發的50nm 256M ETOX NOR Flash于2020年初在上海華力領先流片成功，現已成功量產。該產品是國內首顆50nm 256M NOR Flash，產品性能參數指標和國際一線品牌同類產品相比，達到同一水平甚至更高，其成功量產標志著國內NOR Flash高容量產品正式邁入50nm時代。

七、TWS等可穿戴設備帶動NOR Flash市場規模增長

NOR Flash芯片應用領域極其廣泛，幾乎所有需要存儲系統運行數據的電子設備都需要使用NOR Flash。當前在新興應用的推動下，市場對NOR Flash需求非常旺盛。

以TWS耳機為例，據央視報道， 剛過去的“雙十一”購物狂歡節，TWS耳機銷量再創新高，蘇寧易購深圳大區消費電子公司總經理張維在央視采訪中表示，雙十一期間，無線藍牙耳機全渠道銷售額同比增長116％，其中AirPods Pro同比增長了360％。

Counterpoint數據顯示，2017年、2018年、2019年，TWS耳機出貨量增速為118％、130％、183％，呈現飛速發展狀態。根據Counterpoint的預測，2020年TWS耳機的出貨量有望達2。3億臺。

TWS耳機為了存儲更多固件和代碼程序，必須外擴一顆串行NOR Flash，一對TWS耳機則需要兩顆NOR Flash。隨著技術的不斷進步，以及相關企業為了保證自家TWS耳機具有較強的市場競爭力，TWS耳機功能將會持續增加，而功能的增加也就意味著NOR Flash容量需求的增多。

八、數據中心等企業級需求將持續帶動DRAM、NAND市場增長

今年年初，因為疫情原因，線上教育、線上娛樂、線上辦公等需求帶動服務器需求大增，三星、美光等存儲芯片廠商也因此受益，以美光為例，2020年7月，美光公布截至5月28日的第三季度業績顯示，公司第三季度營業收入為54.4億美元，同比增長13.6%，高于市場53.1億美元的預期。

美光致力于銷售利潤更高的固態硬盤，該公司表示，第三財季硬盤銷量創下歷史新高，而四分之三的NAND芯片是作為其高附加值產品給公司帶來了極大的利潤。美光表示，預計到2020年下半年，消費者對智能手機和其他消費電子產品的需求將低于最初的預期，但數據中心需求強勁，因此美光計劃將DRAM和閃存芯片的供應從智能手機市場轉向數據中心市場。

事實上今年服務器存儲芯片用市場需求增長跟年初疫情有關，但是當前5G、云計算、人工智能等快速發展，持續帶動服務器需求擴張，根據TrendForce集邦咨詢，明年服務器的出貨量大概還會持續6%到7%的成長，從DRAM市場來看，數據中心的落實是近年DRAM需求的主要推手，全年占DRAM市場五成以上的消耗量與三成以上的出貨量。

九、大基金二期等資本增資存儲企業，加速國產化推進

2020年11月11日消息，長鑫存儲母公司睿力集成獲得149億元增資，根據出資方兆易創新公告顯現，該公司擬出資3億元與長鑫集成、石溪集電、大基金二期、三重一創等多名投資人簽署協議，共同參與睿力集成增資事項，增資完成后，公司持有睿力集成約0.85%股權。

本次增資前，睿力集成的注冊資本為189億元，其中石溪集電持股69.01%，長鑫集成持股30.99%；本次增資后，睿力集成的注冊資本將增至337.99億元，石溪集電和長鑫集成的持股比例分別將降至38.59%和19.72%，大基金二期和兆易創新將各自持股14.08%。

目前長鑫存儲是國內唯一量產國產DRAM內存的廠商，成立于2016年，公司專業從事動態隨機存取存儲芯片（DRAM）的設計、研發、生產和銷售，當前長鑫存儲已經完成首顆國產 DDR4 內存芯片的量產和銷售，并已推出第四代超低功耗雙倍速率同步動態隨機存儲器LPDDR4X及第四代高速模組DDR4模組。

另外大基金二期還出資9.50億元參與設立沛頓存儲，沛頓存儲投資總額30.67億元，注冊資本30.60億元，其中，沛頓科技、大基金二期、合肥經開投創和中電聚芯分別現金出資17.10億元、9.50億元、3億元和1億元。

沛頓存儲是存儲先進封測與模組制造項目的主體，該項目將主要建設包括DRAM存儲芯片封測、存儲模組、NAND存儲芯片封裝業務，預計全部達產后月產能分別4800萬顆、246萬條、320萬顆，建設期3年，可實現年產值28.63億元。

可以預見，隨著大基金二期等資本陸續投資存儲企業，國內存儲產業在資本的加持下，將有更多能量繼續前進。

十、更高的176層3D NAND，預計明年4月份量產

從全球范圍來看，NAND Flash廠商主要有三星、鎧俠、美光、英特爾、西部數據、SK海力士，以及中國臺灣地區的旺宏、華邦，以及國內的長江存儲、兆易創新、東芯半導體、北京君正（收購北京矽成）等。

目前三星、鎧俠、美光、英特爾、西部數據、SK海力士、長江存儲已經推出或量產3D NAND產品。128層是目前已經量產的最高層數，三星、SK海力士已經實現量產。美光公司在今年二季度財報電話會議中表示，公司即將開始基于全新 RG 架構的第四代 3D NAND存儲器（128層）的量產工作，按計劃將于2020 Q3 開始生產，Q4 向客戶發貨。

另外國產領先NAND Flash廠商長江存儲也已于今年4月份發布128層3D NAND產品，并將于今年年底或明年年初量產128層3D NAND。與2D NAND 相比，3D NAND 能夠實現更高的容量和性能、更低的功耗和成本，因此提高3D NAND層數，產品的容量和性能將更高。

這也是為什么眾多廠商都在積極研發和推出更高層數的3D NAND產品，據了解，英特爾預計將在今年年底實現更高層數144層產品的量產，三星正在開發176層第七代V-NAND，計劃明年4月實現量產。

2020年存儲行業充斥著諸多變化，2021年可以預見將會有更多挑戰和突破。

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