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長江存儲已打入華為供應鏈

璟琰乀 ? 來源:21ic電子網 ? 作者:21ic電子網 ? 2020-11-23 11:59 ? 次閱讀

種種“摧殘”下的華為,不得不賣出自己的榮耀,試圖最后拯救榮耀這一子品牌。然而在國產化的大背景下,華為又迎來了重大的好消息!

21ic家獲悉,日前,IC WORLD上長江存儲(YMTC)首席執行官楊士寧表示,很多人反映很少看到國產內存, 實際上華為Mate 40系列手機現在也使用了長江存儲的64層3D NAND閃存。

他強調,與國際存儲大廠6年的路程相比, 長江存儲僅用了短短3年時間實現了3D NAND的32層、64層、128層的跨越。

會議上, 他還展示了長江存儲 先進的Xtacking技術, 他表示目前只有帶有這個標簽的終端產品才是真正的長存國產芯片。 他表示,Xtacking生態聯盟于今年8月成立,目前已匯聚20多家廠商和100多款產品。

Xtacking是什么?

Xtacking?:創新架構使3D NAND能擁有更快的I/O接口速度

采用Xtacking?,可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進邏輯工藝,以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工后,創新的Xtacking?技術只需一個處理步驟就可通過數十億根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路,而且只增加了有限的成本。

Xtacking?:創新架構使3D NAND能擁有更高的存儲密度

傳統3D NAND架構中,外圍電路約占芯片面積的20~30%,降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高,外圍電路可能會占到芯片整體面積的50%以上。Xtacking?技術將外圍電路置于存儲單元之上,從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。

Xtacking?:模組化的工藝將提升研發效率并縮短生產周期

Xtacking?技術充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優勢,實現了并行的、模塊化的產品設計及制造,產品開發時間可縮短三個月,生產周期可縮短20%,從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間。此外,這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創新功能以實現NAND閃存的定制化提供了可能。

“長江存儲是走在國際最前沿的,技術也是非常先進的,以后可以委托給中芯國際” ,他如是說。

搭載在華為Mate40系列手機的是SFS1.0閃存,容量上擁有128GB、256GB、512GB三種,實測持續讀取、寫入速度分別達到了1966MB/s、1280MB/s。

通過測試,這個SFS1.0比UFS 3.1閃存還要快。此前手機閃存大多使用的是三星、海力士、美光等進口產品。

長江存儲官方網站顯示,長江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月,總部位于“江城”武漢,是一家專注于3D NAND閃存設計制造一體化的IDM集成電路企業,同時也提供完整的存儲器解決方案。長江存儲為全球合作伙伴供應3D NAND閃存晶圓及顆粒,嵌入式存儲芯片以及消費級、企業級固態硬盤等產品和解決方案,廣泛應用于移動通信、消費數碼、計算機、服務器及數據中心等領域。

2017年10月,長江存儲通過自主研發和國際合作相結合的方式,成功設計制造了中國首款3D NAND閃存。

2019年9月,搭載長江存儲自主創新Xtacking?架構的64層TLC 3D NAND閃存正式量產。

2020年4月,長江存儲宣布128層TLC/QLC兩款產品研發成功,其中X2-6070型號作為業界首款128層QLC閃存,擁有業界最高的IO速度,最高的存儲密度和最高的單顆容量。

截至目前長江存儲已在武漢、上海、北京等地設有研發中心,全球共有員工6000余人,其中資深研發工程師約2200人。通過不懈努力和技術創新,長江存儲致力于成為全球領先的NAND閃存解決方案提供商。

21ic家注意到,長江存儲日前在市場占有率越來越高,2020年第三季度數據顯示,長江存儲已進入全球第七。楊士寧更是表示,近三年長江存儲每年增加10倍,長江存儲將借助Xtacking平臺,堅持合作開放,不斷深化國際國內方面的合作。

Mate 40作為華為發布的最高端的產品系列,研發經費達到了37億,也是華為的匠心之作。 除了長江存儲,這款手機還使用了京東方的國產OLED屏幕。

值得一提的,紫光集團下紫光展銳也迎來好消息,紫光展銳執行副總裁周晨,在近日接受采訪時表示, 自研6nm 5G芯片即將在明年量產。

責任編輯:haq

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