利用功率MOSFET制造線性放大器，可能發(fā)生兩個問題：在元件封裝的柵極引腳與柵極本身之間具有串聯(lián)的電阻路徑，電阻路徑位于半導(dǎo)體內(nèi)部，由嵌入式多晶硅通道組成；功率MOSFET是非常高速的元件，如果將放在線性工作區(qū)域，可能會突發(fā)寄生RF振蕩。

多年前，Rudy Severns曾參加國際整流器(International Rectifier，IR)的巡回演講，討論了該公司的“Hexfets”功率MOSFET。當時這條產(chǎn)品線還相當新，根據(jù)筆者的記憶，大約是在1981年左右。那時候，Severns擔任IR外部顧問及發(fā)言人。

Severns介紹了Hexfets如何為開關(guān)模式電源(SMPS)做出了出色的貢獻。但他明確建議，對于制造線性放大器或用于任何其他非飽和業(yè)務(wù)，選擇Hexfets都可能引起麻煩。因為會發(fā)生以下兩個問題：

1. Hexfet在元件封裝的柵極引腳與柵極本身之間具有串聯(lián)的電阻路徑，該電阻路徑位于半導(dǎo)體內(nèi)部，由嵌入式多晶硅通道組成。 2. Hexfet本身是非常高速的元件，如果將它們放在線性工作區(qū)域，可能會相當容易突發(fā)為寄生RF振蕩。

他擔心的是，如果功率MOSFET開始振蕩，該元件的多晶硅通道內(nèi)部就會產(chǎn)生熱，并且?guī)缀鯖]有散發(fā)熱量的位置。通道可能會變得很熱，足以穿透柵極的氧化層，從而損壞MOSFET。

過了一段時間后，摩托羅拉推出了他們的TMOS功率MOSFET元件，因此我聯(lián)系了他們并進行了簡短的交談。和我交談的人證實了Severns所說的一切，并且還告訴我，摩托羅拉當時正試圖找到一種方法來繞過TMOS多晶硅通道進行金屬化處理，以免產(chǎn)生熱量滯留。但問題在于，他們無法找到一種方法既可避免TMOS柵極遭受靜電放電(ESD)損壞，又可實現(xiàn)這一目的。

幾年后，我碰巧拜訪了一家制造AC電源產(chǎn)品的公司，令我驚訝的是，這家公司使用了Hitachi的功率MOSFET作為推挽(push-pull) B類服務(wù)中的線性功率放大器。

盡管Severns之前的擔心仍然存在，但我看到它確實可以工作，但是如果你決定自己嘗試，請務(wù)必小心以防寄生振蕩。

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