吴忠躺衫网络科技有限公司

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

Nexperia均流技術的并行MOSFET設計應用

電子設計 ? 來源:Nexperia ? 作者:Stein Nesbakk ? 2021-03-12 11:29 ? 次閱讀

多年來,功率MOSFET一直是高功率應用的支柱,能夠可靠地提供大電流。然而,隨著功率應用技術的進步,需要極高水平的電流。這些應用已達到功率水平要求,而一個MOSFET的實現已不再足夠,這迫使設計人員不得不將MOSFET并聯放置。

并聯MOSFET的問題和解決方案

為了實現良好的并聯設計,傳統上是通過篩選來選擇MOSFET的,因為它們的閾值電壓相似,以確保它們同時導通。但是,屏蔽的MOSFET會增加成本和復雜度,并且仍然容易受到溫度不穩定的影響。因此,通過考慮到上述問題,無需額外的篩選過程,專用的MOSFET技術就可以在并行應用中提供更好的解決方案。

電流共享與MOSFET中的兩種主要模式有關:動態(即,開關轉換)和穩態/傳導(即,通過導通電阻)。穩態期間的電流共享對于MOSFET本質上是穩定的,因此不在本文討論范圍之內。本說明的重點是動態過程中的電流共享。在切換期間,并行設備同時打開很重要。在其中一個并聯MOSFET的導通時間比其他MOSFET早的情況下,該器件將傳導全部系統電流,直到另一器件導通為止,從而使其有磨損和潛在故障的風??險。MOSFET中不同時間的導通歸因于VGS的自然擴散閾值電壓。無論制造商或技術如何,都不能保證兩個MOSFET具有相同的閾值電壓。為了克服這個問題,設計人員通常采用一種解決方案,即通過匹配的閾值電壓來篩選和選擇MOSFET,從而縮小了取值范圍。這需要額外的制造過程,這增加了成本和復雜性。

VGS閾值電壓的匹配是一種有效的方法,但不能解決與VGS作為參數相關的所有問題。閾值電壓取決于溫度,并且具有負溫度系數,這意味著如果溫度升高,則器件閾值電壓電平會降低。如果設備在不同溫度下運行,則它們的Vth之差將更大。這是由于溫度不匹配導致較熱的器件的Vth電平下降,從而導通時間更早。因此,當放在實際應用中時,在理想的制造環境中被認為匹配的設備不一定會保持匹配狀態。這種效果如圖1和2所示。

圖1:將常規技術與電流共享技術在低溫下進行比較

圖2:在施加熱量時將常規技術與均流技術進行比較

在溫度下均流

圖1和2顯示了在并行應用程序中測得的結果。在圖1中,最上面的兩條跡線(藍色和黃色)是兩條PSMN2R0-100SSF[i]使用常規技術的設備,其閾值電壓之間的差值為0.5V。底部的兩條跡線,綠色和紅色是采用Nexperia均流技術的器件,其閾值電壓具有相同的0.5V分布。使用常規技術和Nexperia均流技術的兩種測試均具有相同的電路設計,以相同的頻率驅動相同的電感負載。對于常規和均流技術,熱量將以較低的閾值電壓同時,在溫度和速率(分別為藍色和綠色)時施加到設備。將圖2與圖1進行比較可知,與Nexperia均流技術相比,常規技術在溫度下不穩定。其背后的原因是Nexperia均流技術不依賴閾值電壓來保持匹配以均勻地共享電流。這很重要,因為現實生活中的應用不一定會在PCB上所有并聯的MOSFET上實現均勻的溫度。因此,在制造環境中進行篩選和匹配的設備在實際應用中可能不會保持匹配狀態。

高電流分流

與前面提到的制造篩選過程方法相比,Nexperia均流技術解決了在技術本身內實現更均等電流共享的問題。使用具有Nexperia均流技術的MOSFET意味著設計工程師不再需要依賴Vth參數被匹配。如圖3和圖4所示,該技術在溫度下穩定,并提供更好的電流共享性能,與Nexperia電流相比,該技術顯示了實際測量結果,與已選擇的閾值電壓擴展為0.5V的常規技術進行了比較。共享技術,其閾值電壓也具有相同的0.5V擴展。通過將每種技術的兩個設備放在同一塊板上,以相同的頻率驅動相同的電感負載并捕獲流過它們的電流來捕獲結果。在此示例中,每個以20 kHz開關的設備的電流約為75A。但是,與常規技術相比,并聯設備之間的峰值電流差異超過30 A,而Nexperia均流技術差異僅為5A。

o4YBAGBK37WAdDYWAAEgiMRV7N0989.png

圖3:閾值電壓擴展為0.5V的常規技術

o4YBAGBK38eAOTFOAAEHZtTcZu4723.png

圖4:Nexperia均流技術,閾值電壓擴展為0.5V

值得指出的是,與圖4相比,常規技術大約需要5 μs才能開始更平均地開始共享電流,在圖4中,器件在不到0.5 μs的時間內開始平均共享。對于常規技術,具有較低Vth的器件將增加應力,增加磨損并增加故障風險。進行的進一步測試(此處未顯示)表明,電流共享的動態響應是恒定的,這意味著如果要增加頻率,則動態響應仍將是相同的。因此,Nexperia均流技術也可以在更高頻率下切換的應用中受益。

結論

如實際實驗室測量所示,Nexperia均流技術為并行MOSFET設計應用帶來了明顯的好處。它提供了一種技術解決方案,該技術解決方案不需要基于Vth的屏蔽,也不依賴于Vth來實現更均等的均流。該技術解決了在較高電流下甚至電流均分的問題,并且可以抵抗整個PCB上的溫度變化-就像實際應用中會遇到的那樣。

Nexperia應用工程師Stein Nesbakk

編輯:hfy

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    147

    文章

    7240

    瀏覽量

    214259
  • Nexperia
    +關注

    關注

    1

    文章

    628

    瀏覽量

    57064
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    碳化硅(SiC)MOSFET并聯應用控制技術的綜述

    碳化硅(SiC)MOSFET并聯應用控制技術的綜述,傾佳電子楊茜綜合了當前研究進展與關鍵技術方向。
    的頭像 發表于 02-05 14:36 ?34次閱讀
    碳化硅(SiC)<b class='flag-5'>MOSFET</b>并聯應用<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>控制<b class='flag-5'>技術</b>的綜述

    UPS電源“十全十測”之9:UPS并機性能測試

    一、什么是UPS并機性能UPS(不間斷電源)并機性能指的是在多臺UPS并聯運行時,各臺UPS能夠均勻分擔負載電流的能力。在實際應用中,為了確保電力系統的穩定性和可靠性,往往需要
    的頭像 發表于 01-10 17:23 ?462次閱讀
    UPS電源“十全十測”之9:UPS并機<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>性能測試

    Nexperia推出CCPAK1212封裝MOSFET,性能再升級

    Nexperia公司近日宣布,成功推出16款全新的80V和100V功率MOSFET,這些產品采用了創新的CCPAK1212封裝技術。這一突破性設計不僅提升了功率密度,還帶來了卓越的性
    的頭像 發表于 12-24 09:15 ?318次閱讀

    CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現

    提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力 ? 奈梅亨,2024 年12 月12 日 :Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產品采用創新型銅夾片
    發表于 12-16 14:09 ?132次閱讀

    安世半導體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現

    基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產品采用創新型銅夾片CCPAK1212封裝,具有業內領先的功率密度
    的頭像 發表于 12-12 11:35 ?666次閱讀

    冗余系統中的

    電子發燒友網站提供《冗余系統中的.pdf》資料免費下載
    發表于 10-17 11:20 ?0次下載
    冗余系統中的<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>

    Nexperia、東芝和Navitas擴展MOSFET產品線以應對高效能需求

    隨著電動車、可再生能源和數據中心等領域對高效、高性能組件需求的持續上升,電源管理系統的復雜性也隨之增加,市場對更先進和可靠的MOSFET需求愈加旺盛。對此,Nexperia、東芝和Navitas等
    的頭像 發表于 08-27 11:47 ?427次閱讀
    <b class='flag-5'>Nexperia</b>、東芝和Navitas擴展<b class='flag-5'>MOSFET</b>產品線以應對高效能需求

    Nexperia擴展NextPower MOSFET產品線,助力高效能應用

    全球基礎半導體器件領域的高產能生產領軍者Nexperia(安世半導體)近日宣布了一項重要戰略舉措,旨在持續強化其NextPower系列MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的產品陣容。此次擴充
    的頭像 發表于 08-13 14:33 ?547次閱讀

    Nexperia擴展NextPower系列MOSFET陣容,引領高效低噪新紀元

    2024年8月7日,全球領先的半導體解決方案提供商Nexperia宣布,其NextPower 80V及100V MOSFET產品線再次迎來重大擴充,成功推出了采用標準化5x6mm及8x8mm封裝
    的頭像 發表于 08-07 14:53 ?435次閱讀

    Nexperia擴展一系列創新應用專用MOSFET

    MOSFET參數組來更好地匹配這些要求。例如,應用可能要求軟啟動、擴展的安全工作區域、可靠的線性模式性能或增強的保護。在Nexperia,我們將久經驗證的MOSFET專業知識和廣泛的應用認知相結合,打造了一系列更豐富的應用專用
    的頭像 發表于 07-15 16:07 ?552次閱讀

    Nexperia發布微型DFN0603 MOSFET,助力可穿戴設備創新

    隨著可穿戴設備市場的持續繁榮,如何在極其緊湊的電路板空間中集成多種功能成為行業面臨的重要挑戰。近日,半導體巨頭Nexperia推出了一款專為便攜設備設計的微型尺寸DFN0603 MOSFET,為設計師們提供了全新的解決方案。
    的頭像 發表于 05-28 09:59 ?628次閱讀

    Nexperia發布新款1200V碳化硅MOSFET

    Nexperia(安世半導體)近日宣布,公司推出了業界領先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,標志著其在高功率半導體領域的又一重要突破。
    的頭像 發表于 05-23 11:34 ?997次閱讀

    Nexperia(安世)發布高性能碳化硅MOSFET,滿足工業應用增長需求

    近日,全球知名的半導體制造商Nexperia(安世)半導體推出采用D2PAK-7SMD封裝的高度先進的1200V碳化硅(SiC)MOSFET。此次發布的MOSFET共包含四種不同選項,RDSon值
    的頭像 發表于 05-23 10:57 ?581次閱讀
    <b class='flag-5'>Nexperia</b>(安世)發布高性能碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>,滿足工業應用增長需求

    多路電源并聯輸出如何做到不倒灌?

    如果負載所需要的功率較大,單獨一路供電又滿足不了需求,但是有暫時沒有大的供電電源,那么是如何做到兩個或者多個同樣的電源做到相等輸出不倒灌呢?有什么辦法解決,其原理是什么? 舉例,在兩個LDO輸出
    發表于 04-27 22:54

    Nexperia在APEC上發布新型MOSFET

    全球知名半導體制造商Nexperia(安世半導體)在最近的APEC上展示了其最新的產品創新,宣布推出幾款新型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),以進一步擴大其分立開關解決方案的覆蓋范圍。這些新產品旨在滿足多個終端市場中各種應用的需求。
    的頭像 發表于 03-04 11:41 ?896次閱讀
    德州扑克明星| 网上百家乐官网是叫九五至尊么| 棋牌百家乐怎么玩| 香港六合彩论坛| 神州百家乐官网的玩法技巧和规则 | 百家乐官网怎么下注能赢| 百家乐双面数字筹码| 88娱乐城注册| 旅百家乐官网赢钱律| 新澳门娱乐城官网| 百家乐官网软件| 188比分| 24山的丑方位| 联众博彩| 百家乐下注口诀| 至尊百家| 实战百家乐官网的玩法技巧和规则| 大发888手机客户端| 海尔百家乐官网的玩法技巧和规则 | 百家乐赢钱公式论| 百家乐官网2号程序| 大发888娱乐城高手| 香港百家乐官网马书| 大赢家足球即时比分| 3U百家乐娱乐城| 百家乐官网注册就送| 新西兰百家乐的玩法技巧和规则 | 全讯网qtqnet| 贵族百家乐官网的玩法技巧和规则| 百家乐几点不用补牌| 太原百家乐官网的玩法技巧和规则| 明升网站| 百家乐大西洋城| 百家乐官网水浒传| 香港六合彩网| 百家乐看澳门| 澳门百家乐官网限红规则| 大发888存款方式| 租nongcun房看风水做生意的| 麟游县| 火箭百家乐的玩法技巧和规则|