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臺積電明年5nm產(chǎn)能全年維持滿載

我快閉嘴 ? 來源: 工商時報 ? 作者: 工商時報 ? 2020-10-26 14:50 ? 次閱讀

蘋果A14及A14X處理器已在臺積電采用5nm制程量產(chǎn),預期明年會推出新款桌面計算機A14T處理器及蘋果自行開發(fā)繪圖處理器(GPU),同樣采用臺積電5nm制程投片。據(jù)供應鏈業(yè)者消息,蘋果已著手進行新一代A15系列處理器開發(fā),預期會采用臺積電5nm加強版(N5P)制程,明年第三季開始投片。

蘋果今年下半年推出新款iPadiPhone 12產(chǎn)品線,采用自家設計的A14系列處理器,其中,iPad Air及iPhone 12全系列都采用A14應用處理器,至于即將在11月發(fā)表的Arm架構Macbook則會采用自行研發(fā)的A14X處理器。蘋果A14以及A14X均已在臺積電采用5nm制程量產(chǎn)。

蘋果已宣布將推出Apple Silicon的Arm架構處理器以取代英特爾x86架構中央處理器。事實上,蘋果自2010年開發(fā)出應用在iPhone及iPad的首款A4應用處理器至今,A系列芯片已經(jīng)歷10個世代的演進,自有Arm架構芯片研發(fā)及量產(chǎn)的學習曲線同樣走了10年,運算效能及低功耗表現(xiàn)優(yōu)于預期,預計在二年之內(nèi)把Macbook及iMac處理器轉(zhuǎn)換自家設計的Apple Silicon。

除了應用于Macbook的首款Apple Silicon處理器A14X已采用臺積電5nm量產(chǎn),根據(jù)蘋果供應鏈消息,蘋果明年將推出研發(fā)代號為Lifuka的首款自行研發(fā)GPU,以及研發(fā)代號為Mt.Jade的首款桌面計算機處理器A14T,兩款芯片都會在明年上半年采用臺積電5nm制程投片。

蘋果研發(fā)團隊近期亦著手進行新一代A15系列處理器的開發(fā),其中,應用在蘋果明年新款iPhone 13系列5G智能手機的A15 Bionic應用處理器,預期會采用臺積電明年推出的5nm加強版N5P制程,明年第三季開始投片,而后續(xù)包括A15X、A15T等第二代Apple Silicon亦會隨后推出,預估同樣采用臺積電N5P制程量產(chǎn)。

法人表示,蘋果iPhone、iPad、Macbook及iMac等產(chǎn)品線已開始進入A14系列處理器的世代交替,而且新一代A15系列處理器研發(fā)符合預期,明年將會成為臺積電5nm最大客戶。由于包括高通博通、邁威爾、超威、聯(lián)發(fā)科等明年也會推出5nm產(chǎn)品,樂觀看待臺積電明年5nm產(chǎn)能全年維持滿載。

臺積電強攻3nm,穩(wěn)坐全球EUV龍頭

臺積電及光刻設備大廠艾司摩爾(ASML)于上周法人說明會透露更多3nm細節(jié)。臺積電3nm采用鰭式場效晶體管(FinFET)架構及極紫外光(EUV)微影技術,邏輯密度與5nm相較將大幅增加70%,且EUV光罩層數(shù)將倍增且超過20層。因此,臺積電積極采購EUV曝光機設備,未來三~五年仍將是擁有全球最大EUV產(chǎn)能的半導體廠,包括家登及崇越等供貨商可望受惠。

臺積電EUV光刻技術已進入量產(chǎn)且制程涵蓋7+nm、6nm、5nm。據(jù)設備業(yè)者消息,臺積電7+nm采用EUV光罩層最多達四層,超威新一代Zen 3架構處理器預期是采用該制程量產(chǎn)。6nm已在第四季進入量產(chǎn),EUV光罩層數(shù)較7+nm增加一層,包括聯(lián)發(fā)科、輝達、英特爾等大廠都將采用6nm生產(chǎn)新一代產(chǎn)品。

臺積電下半年開始量產(chǎn)5nm制程,主要為蘋果量產(chǎn)A14及A14X處理器,包括超威、高通、輝達、英特爾、博通、邁威爾等都會在明年之后導入5nm制程量產(chǎn)新一代產(chǎn)品。5nmEUV光罩層數(shù)最多可達14層,所以Fab 18廠第一期至第三期已建置龐大EUV曝光機臺設備因應強勁需求,臺積電明年將推出5nm加強版N5P制程并導入量產(chǎn),后年將推出5nm優(yōu)化后的4nm制程,設備業(yè)者預期N5P及4nm的EUV光罩層數(shù)會較5nm增加。

臺積電在日前的法說會中宣布,3nm研發(fā)進度符合預期且會是另一個重大制程節(jié)點,與5nm制程相較,3nm的邏輯密度可增加70%,在同一功耗下可提升15%的運算效能,在同一運算效能下可減少30%功耗。3nm制程采用的EUV光罩層數(shù)首度突破20層,業(yè)界預估最多可達24層。

ASML執(zhí)行長Peter Wennink在日前法說會中指出,5nm邏輯制程采用的EUV光罩層數(shù)將超過10層,3nm制程采用的EUV光罩層數(shù)會超過20層,隨著制程微縮EUV光罩層數(shù)會明顯增加,并取代深紫外光(DUV)多重曝光制程。

臺積電5nm及3nm的EUV光罩層數(shù)倍數(shù)增加,提供EUV光罩盒(EUV Pod)的家登受惠最大,今、明兩年產(chǎn)能均已被大客戶預訂一空。至于EUV產(chǎn)能大幅提高,代理EUV光阻液的崇越接單暢旺,訂單同樣排到明年下半年。
責任編輯:tzh

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