Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術的650伏行業領先高功率產品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。

這兩款全新大功率HEMT——TDG650E30B和TDG650E15B——分別提供30A和15A的較低電流性能，而去年推出的第一款650 V產品TDG650E60提供60A的電流。

這些650 V GaN HEMT是市面上電壓最高的GaN功率器件，用于要求嚴格的高可靠性軍事、航空電子和太空應用，是諸如電源、電機控制和半橋拓撲等應用的理想之選。

這些器件配有底部冷卻裝置，采用超低FOM Island Technology?芯片和低電感GaNPX?封裝，提供大于100 Mhz的超高頻率開關、快速且可控制的下降和上升時間、反向電流能力等等。

Teledyne e2v HiRel業務開發副總裁Mont Taylor表示：“我們很高興繼續為需要最高可靠性的航空等應用打造650 V系列高功率GaN HEMT。我們相信，這些新器件更小的封裝將使從事最高功率密度項目設計的客戶真正受益。”

TDG650E15B和TDG650E30B均為增強型硅上GaN功率晶體管，可實現大電流、高壓擊穿和高開關頻率，同時為大功率應用提供非常低的結殼（junction-to-case）熱阻。

氮化鎵器件已經革新了其他行業的功率轉換元件，現在以耐輻射的塑料封裝推出，這種封裝經過嚴格的可靠性和電氣測試以確保關鍵任務的成功。這些新型GaN HEMT的發布為客戶提供了關鍵航空航天和國防電力應用所需的效率、尺寸和功率密度優勢。

對于所有產品線，Teledyne e2v HiRel都會針對最高可靠性應用執行最嚴苛的認證和測試。對于功率器件，這些測試包括硫酸測試、高空模擬、動態老化、環境溫度高達175°C的階躍應力、9伏柵極電壓以及全溫度測試。與碳化硅（SiC）器件不同，這次發布的兩款器件可以輕松地并行實施，以增加負載電流或降低有效導通電阻（RDSon）。
編輯：hfy