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長鑫預計在2021年完成低功耗高速率17nm工藝內存芯片

lhl545545 ? 來源:比特網 ? 作者:賈桂鵬 ? 2020-09-18 14:18 ? 次閱讀

在2019年,國內的內存以及閃存領域分別有一個重大的突破,長江存儲量產64層3D閃存,合肥長鑫則量產了DDR4內存,而后者在2020年有望成為全球第四大DRAM內存芯片廠。

在DRAM內存芯片市場上,三星、SK海力士和美光三大公司占據了95%以上的市場份額,其中三星占據44%左右、SK海力士占比約30%、美光則占比21%左右。

目前,排在全球第四的內存芯片廠商是南亞科技,但是,只有3%的份額,其產能不過7萬片晶圓/月。

據悉,合肥長鑫將會在今年年底產能達到7萬片晶圓/月,這樣意味著他們將有希望超越南亞成為全球第四大DRAM芯片廠。

但是,即便可以達到7萬片/月,合肥長鑫還是與前三名有不小的差距。

據了解,長鑫預計在2021年完成17nm工藝內存芯片,可以繼續提升內存的存儲密度。

根據官方信息顯示,以長鑫為代表的安徽半導體行業,在未來的2-3年內將會推進低功耗高速率LPDDR5?DRAM產品開發,主要會面向中高端移動、平板機消費類產品DRAM存儲芯片自主可控需求,并且繼續研發先進低功耗高速率LPDDR5產品并實現產業化。
責任編輯:pj

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